1.一種有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備方法，其特征在于，包括步驟：
A、在基底上依次沉積柵極和絕緣層；
B、在絕緣層上沉積復(fù)合物半導(dǎo)體層；其中，所述復(fù)合物半導(dǎo)體層的材料為金納米棒與P3HT溶液的混合液；
C、在復(fù)合物半導(dǎo)體層上沉積源漏電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備方法，其特征在于，所述金納米棒的長寬比為（1~5）:1。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備方法，其特征在于，所述金納米棒為經(jīng)過配體表面修飾后的金納米棒。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備方法，其特征在于，所述配體為烷基胺、烷基硫醇、苯胺、苯硫醇中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備方法，其特征在于，所述基底為PET薄膜基底。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備方法，其特征在于，所述柵極的材料為圖案化的銀。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備方法，其特征在于，所述絕緣層的材料為氧化鋁。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備方法，其特征在于，所述源漏電極的材料為金。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備方法，其特征在于，所述基底的厚度為100μm。
10.一種有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，采用如權(quán)利要求1~9任一所述的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備方法制備而成。