技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了具有柵極的半導(dǎo)體器件和形成該半導(dǎo)體器件的方法。該方法包括形成柵電介質(zhì)、在柵電介質(zhì)上形成第一導(dǎo)電材料層、在第一導(dǎo)電材料層上形成源材料層、和通過執(zhí)行熱處理工藝將源材料層中包含的第一元素擴散到第一導(dǎo)電材料層中以形成摻雜材料層。

技術(shù)研發(fā)人員：李東鎮(zhèn);李知恩;鄭磬鎬;山田悟;鄭文泳
受保護的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：2016.09.18
技術(shù)公布日：2017.07.07