本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種降低化學(xué)機械拋光工藝熱點檢測漏報率的方法。

背景技術(shù)：

在現(xiàn)有化學(xué)機械拋光工藝熱點檢測過程中，通常包括如圖1所示流程。在幾何信息提取前，需將版圖按照一定大小切割成若干格點。版圖切割起始點固定為版圖窗口左下角(固定起始點切割)，在切割過程中，那些處在格點交界處的圖形會被多個格點所切分。當(dāng)格點交界處圖形面積較小時，格點交界處圖形對所在格點工藝波動的貢獻(xiàn)可以忽略不計，但是當(dāng)格點交界處圖形面積較大或格點內(nèi)圖形都分布在格點交界處時，格點交界處圖形對所在格點的工藝影響將不可被忽略。然而因為切分會對圖形自身幾何信息提取產(chǎn)生弱化，所以處在格點交界處的圖形自身幾何信息將不能被各切分格點正確提取，如圖2A所示:處于格點Grid(n,n+1)、Grid(n+1,n+1)、Grid(n,n)、Grid(n+1,n)交界處邊長為2a的正方形圖形恰好被4個交界格點平均切分，假設(shè)格點大小為S并且大于正方形圖形邊長的一半a，那么根據(jù)格點幾何信息提取公式可以得出交界處4個格點的提取幾何信息都為：

密度＝(a*a)/(S*S)

周長＝a+a＝2a

權(quán)重線寬＝{a*(a*a)}/(a*a)＝a

而當(dāng)該圖形沒有被格點切分，即不處在格點交界處時(如圖2B所示)的提取幾何信息為：

密度＝(2a*2a)/(S*S)

周長＝4*2a＝8a

權(quán)重線寬＝{2a*(2a*2a)}/(2a*2a)＝2a

通過比較可以看出，格點交界處的圖形由于圖形切分從而導(dǎo)致了自身圖形提取幾何信息弱化，對上述提取幾何信息進(jìn)行化學(xué)機械拋光工藝模擬預(yù)測時，格點交界處圖形對工藝波動的影響將不能被正確預(yù)測，從而在熱點檢測過程中，容易漏報處在格點交界處圖形的熱點。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠降低化學(xué)機械拋光工藝熱點檢測漏報率的方法。

為了實現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種降低化學(xué)機械拋光工藝熱點檢測漏報率的方法，包括：

第一步驟：執(zhí)行版圖載入；

第二步驟：選定格點大小，根據(jù)設(shè)置的起始點移動步長，并計算兩個垂直移動方向上的單方向移動次數(shù)；

第三步驟：將版圖切割起始點(X,Y)按照{(diào)(X-m*s),(Y-n*s)}進(jìn)行移動，其中s為起始點移動步長，m和n為整數(shù)且初值均為所述單方向移動次數(shù)；

第四步驟：執(zhí)行格點幾何信息提??；

第五步驟：執(zhí)行化學(xué)機械拋光工藝模擬預(yù)測；

第六步驟：執(zhí)行熱點檢測；

第七步驟：使得n遞增1，在遞增1之后的n小于單方向移動次數(shù)時，重復(fù)步驟第三步驟到第六步驟，或使得m遞增1，在遞增1之后的m小于單方向移動次數(shù)時，使得n遞增1，當(dāng)遞增1后的n也小于單方向移動次數(shù)時，重復(fù)步驟第三步驟到第六步驟；

第八步驟：當(dāng)遞增1之后的m和遞增1之后的n都不小于各自單方向移動次數(shù)時執(zhí)行熱點綜合和熱點修復(fù)。

優(yōu)選地，所述單方向移動次數(shù)為格點大小除以起始點移動步長之商取整。

優(yōu)選地，起始點移動最大次數(shù)為單方向移動次數(shù)的平方。

優(yōu)選地，所述移動步長大于零。

優(yōu)選地，所述移動步長小于所述格點大小。

優(yōu)選地，所述格點大小是大于零的整數(shù)值。

優(yōu)選地，所述降低化學(xué)機械拋光工藝熱點檢測漏報率的方法用于化學(xué)機械拋光工藝熱點檢測。

優(yōu)選地，所述降低化學(xué)機械拋光工藝熱點檢測漏報率的方法用于集成電路制造。

本發(fā)明提出的移動起始點版圖切割方法，可以避免固定版圖切割所產(chǎn)生的格點交界處圖形提取幾何信息弱化，從而可以正確預(yù)測出固定起始點切割格點交界處圖形的工藝波動，進(jìn)而降低了固定起始點割切格點交界處熱點漏報的幾率。

附圖說明

結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細(xì)描述，將會更容易地對本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點和特征，其中：

圖1示意性地示出了現(xiàn)有技術(shù)的固定起始點版圖切割化學(xué)機械拋光工藝熱點檢測流程。

圖2A和圖2B示意性地示出了固定起始點版圖切割格點交界處圖形提取幾何信息弱化示例。

圖3示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的降低化學(xué)機械拋光工藝熱點檢測漏報率的方法的流程圖。

圖4A至圖4D示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的具體示例。

需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實施例和附圖對本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。

本發(fā)明旨在提出一種移動起始點版圖切割方法，從而避免因為固定起始點切割所產(chǎn)生的格點交界處圖形幾何信息弱化，進(jìn)而使版圖各處特別是格點交界處的工藝波動能夠被正確預(yù)測，降低固定起始點切割格點交界處圖形的化學(xué)機械拋光工藝熱點漏報的幾率。

與現(xiàn)有固定起始點版圖切割不同，本發(fā)明通過對切割起始點按照一定的移動間隔進(jìn)行多次移動，并以每次移動后的起始點對版圖進(jìn)行切割、化學(xué)機械拋光工藝模擬預(yù)測以及熱點檢測。這樣之前處在固定起始點切割格點交界處的圖形會在移動起始點版圖切割中移向新格點的中間，即遠(yuǎn)離新格點的交界處。當(dāng)移動間隔足夠小且移動總距離等于格點大小時，那些處在固定起始點版圖切割格點交界處的圖形在變化起始點切割過程中總會在某一次移動中出現(xiàn)最小的幾何信息弱化，因而固定起始點切割格點交界處的圖形工藝波動在該次切割中能夠被正確預(yù)測，對多次移動起始點版圖切割化學(xué)機械拋光工藝熱點進(jìn)行綜合，從而可以降低因固定起始點版圖切割所產(chǎn)生的格點交界處圖形的化學(xué)機械拋光熱點漏報幾率。

圖3示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的降低化學(xué)機械拋光工藝熱點檢測漏報率的方法的流程圖。

如圖3所示，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的降低化學(xué)機械拋光工藝熱點檢測漏報率的方法包括：

第一步驟S1：執(zhí)行版圖載入；

第二步驟S2：選定格點大小S，根據(jù)設(shè)置的起始點移動步長s，并計算兩個垂直移動方向(x方向和y方向)上的單方向移動次數(shù)N；

第三步驟S3：將版圖切割起始點(X,Y)按照{(diào)(X-m*s),(Y-n*s)}進(jìn)行移動，其中m和n為整數(shù)且初值均為N；

第四步驟S4：執(zhí)行格點幾何信息提??；

第五步驟S5：執(zhí)行化學(xué)機械拋光工藝模擬預(yù)測；

第六步驟S6：執(zhí)行熱點檢測；

第七步驟S7：使得n遞增1，在遞增1之后的n小于單方向移動次數(shù)時，重復(fù)步驟第三步S3驟到第六步驟S6，或使得m遞增1，在遞增1之后的m小于單方向移動次數(shù)時，使得n遞增1，當(dāng)遞增1后的n也小于單方向移動次數(shù)時，重復(fù)步驟第三步S3驟到第六步驟S6；

第八步驟S8：執(zhí)行熱點綜合和熱點修復(fù)。

優(yōu)選地，所述單方向移動次數(shù)N為S/s取整。

優(yōu)選地，起始點移動最大次數(shù)為N*N。

優(yōu)選地，所述移動步長s滿足條件0<s<S。

優(yōu)選地，所述格點大小S滿足條件0<S的整數(shù)值。

優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的降低化學(xué)機械拋光工藝熱點檢測漏報率的方法可用于化學(xué)機械拋光工藝熱點檢測。

優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的降低化學(xué)機械拋光工藝熱點檢測漏報率的方法可用于集成電路制造。

舉例來說，如圖4A至圖4D所示，假設(shè)版圖左下角坐標(biāo)為(0,0)，格點大小X為20，選定移動間隔為4，則單方向移動次數(shù)＝20/4＝5，那么移動總次數(shù)＝5*5＝25。

按照(0,0)，……，{(0-m*4),(0-n*4)}對起始點進(jìn)行移動，其中m,n為整數(shù)且m,n<＝5。

1)當(dāng)m,n＝0時，如圖4A所示。

4個格點的幾何提取信息均為；

密度＝(8*4)/(20*20)＝0.08

周長＝8+4＝12

權(quán)重線寬＝{4*(4*8)}/(4*8)＝4

2)當(dāng)m＝1,n＝0時，如圖4B所示。

左下與左上兩個格點的幾何提取信息均為0.

右下與右上兩個格點的提取幾何信息均為：

密度＝(8*8)/(20*20)＝0.16

周長＝8+8*2＝24

權(quán)重線寬＝{8*(8*8)}/(8*8)＝8

3)當(dāng)m＝0,n＝1時，如圖4C所示。

左下與右上兩個格點的幾何提取信息均為0.

左上與右上兩個格點的提取幾何信息均為：

密度＝(16*4)/(20*20)＝0.08

周長＝16+4*2＝24

權(quán)重線寬＝{4*(4*16)}/(4*16)＝4

4)當(dāng)m＝1,n＝1時，如圖4D所示。

左下、左上與右下三個格點的幾何提取信息均為0.

右上格點提取幾何信息為：

密度＝(16*8)/(20*20)＝0.32

周長＝(16+8)*2＝48

權(quán)重線寬＝{8*(8*16)}/(8*16)＝8

從以上各移動格點提取幾何信息可以看出，當(dāng)m＝1,n＝1時，圖形的幾何信息可以被完全提取即幾何信息弱化最小。所以在該次移動起始點版圖切割中，該圖形的幾何信息能夠被正確提取，從而在化學(xué)機械拋光工藝模擬預(yù)測中能夠正確反映其工藝波動，降低其熱點漏報的幾率。

本發(fā)明通過設(shè)定一定的移動間隔，將版圖切割起始點按所設(shè)移動間隔進(jìn)行移動，然后對版圖進(jìn)行幾何信息提取并據(jù)此進(jìn)行模擬預(yù)測以及熱點檢測，最后將不同切割起始點的熱點檢測結(jié)果綜合，從而避免了因固定起始點版圖切割產(chǎn)生的提取幾何信息弱化所導(dǎo)致的預(yù)測結(jié)果弱化，進(jìn)而降低了化學(xué)機械拋光熱點檢測的漏報率。

需要說明的是，除非特別說明或者指出，否則說明書中的術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區(qū)分說明書中的各個組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個組件、元素、步驟之間的邏輯關(guān)系或者順序關(guān)系等。

可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，然而上述實施例并非用以限定本發(fā)明。對于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護的范圍內(nèi)。