本發(fā)明屬于電子器件領(lǐng)域，具體地說是一種基于雙向TVS高壓脈沖抑制的整流橋，本發(fā)明還提供了該基于雙向TVS高壓脈沖抑制的整流橋的制作工藝。

背景技術(shù)：

交流電網(wǎng)干擾、雷擊和電力設(shè)備啟停等因素產(chǎn)生的瞬態(tài)干擾是造成電子設(shè)備和線路損壞的重要原因，常造成巨大的損失。瞬態(tài)電壓抑制二極管（TVS）是一種二極管形式的高效能保護器件，其具有極快的響應(yīng)速度和極高的浪涌吸收能力。當TVS二極管兩端受到反向瞬態(tài)過壓脈沖時，能在極短的時間內(nèi)將高阻抗降低至很低的導(dǎo)通值，吸收瞬間大電流，并將電壓箝制在預(yù)設(shè)的數(shù)值上，從而有效確保了后面的電路元件免受瞬態(tài)高能量的沖擊。現(xiàn)有的帶SMD整流橋的電路中，TVS管一般添加于電源模塊，用于保護整流橋和負載中的所有元器件，這樣單獨焊接TVS管極大占用了PCB板的空間，不利于PCB板小型化發(fā)展。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明旨在提供一種基于雙向TVS高壓脈沖抑制的整流橋，所述基于雙向TVS高壓脈沖抑制的整流橋結(jié)構(gòu)緊湊，所占用的體積更小，有利于PCB板小型化發(fā)展。

本發(fā)明為實現(xiàn)上述目的，通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)：

一種基于雙向TVS高壓脈沖抑制的整流橋，它包括塑封體、第一二極管芯片、第二二極管芯片、第三二極管芯片、第四二極管芯片、一個雙向TVS管芯片、第一引線框架、第二引線框架、第三引線框架和第四引線框架；

所述四個二極管芯片技術(shù)指標相同；

所述雙向TVS管芯片固定設(shè)于第一引線框架上，通過導(dǎo)線連接第三引線框架；

所述第一二極管芯片和第二二極管芯片頂面均為P型，固定設(shè)于第二引線框架上，分別通過導(dǎo)線連接第一引線框架和第三引線框架；

所述第三二極管芯片和第四二極管芯片頂面均為N型，固定設(shè)于第四引線框架上，分別通過導(dǎo)線連接第一引線框架和第三引線框架；

所述第一引線框架與第三引線框架作為交流引腳，第二引線框架與第四引線框架分別作為正、負極引腳。

作為限定：所述第一引線框架、第二引線框架、第三引線框架、第四引線框架處于同一平面內(nèi)。

第二種限定：所述第一引線框架與第三引線框架固設(shè)于同一載體上，第二引線框架與第四引線框架固設(shè)于同一載體上。

第三種限定：所述第一引線框架與第三引線框架的載體全部封裝于塑封體內(nèi)，第二引線框架與第四引線框架載體的上半部封裝于塑封體內(nèi)、而載體下部分外露于塑封體。

第四種限定：所述雙向TVS管芯片和各個二極管芯片分別通過其底面設(shè)置的粘接料固定設(shè)于所在的引線框架上，所述粘接料為導(dǎo)電膠或軟焊料。

本發(fā)明還提供了上述基于雙向TVS高壓脈沖抑制的整流橋的制作工藝，包括依次進行的以下步驟：

1）對整片硅片進行好壞的測試，并將檢測出的壞片進行標記；

2）將硅片底面貼于藍膜上，劃成一個個小塊，并將正面標記的壞芯片挑出；

3）將步驟2）中好的芯片的頂面貼上藍膜，并將芯片上下顛倒，去掉之前底面上的藍膜；

4）利用機器抓取步驟3）中的芯片，并直接將芯片的底面焊接到底座上；

5）引線鍵合用銅線將引線框架的引腳和芯片的焊盤連接起來；

6）用環(huán)氧樹脂將二極管芯片及用于承載芯片的引線框架一起塑封起來，保護芯片，之后激光打字；

7）將步驟6）中引腳之間的連筋切開，然后進行引腳成型，得到基于雙向TVS高壓脈沖抑制的整流橋；

8）最終對步驟7）中的基于雙向TVS高壓脈沖抑制的整流橋進行測試，并將好的產(chǎn)品編袋。

由于采用了上述的技術(shù)方案,本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，所取得的技術(shù)進步在于：

（1）將TVS跟傳統(tǒng)的整流橋集成在一起，能夠在整流橋受到反向瞬態(tài)過壓脈沖時，在極短的時間內(nèi)將高阻抗降低至很低的導(dǎo)通值，吸收瞬間大電流，并將電壓箝制在預(yù)設(shè)的數(shù)值上，從而有效確保了整流橋以及后面的電路元件免受瞬態(tài)高能量的沖擊，同時有助于提高電路的集成度，減小PCB板面積，降低成本；

（2）引線框架均位于同一平面上，令整體整流橋結(jié)構(gòu)的封裝厚度更小，體積也更小，布局更加緊湊；

（3）本發(fā)明的第二引線框架和第四引線框架的載體下半部分外露于塑封體，在安裝時直接與PCB板接觸，增強導(dǎo)熱，且簡化了安裝流程；

（4）本發(fā)明的同一引線框架上的兩顆二極管芯片極性朝向一致，方便生產(chǎn)。

綜上所述，本發(fā)明結(jié)構(gòu)緊湊、體積小，使用安裝方便，能夠有效確保了整流橋以及后面的電路元件免受瞬態(tài)高能量的沖擊，適用于任意PCB電路板，有利于PCB板小型化發(fā)展。

下面將結(jié)合具體實施例對本發(fā)明作進一步詳細說明。

附圖說明

附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本發(fā)明的實施例一起用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。

在附圖中：

圖1為本發(fā)明的內(nèi)部芯片電路連接示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例1的俯視圖；

圖3為本發(fā)明實施例1的主視圖；

圖4為本發(fā)明實施例1的左視圖；

圖5為本發(fā)明實施例1的仰視圖。

標注部件：1-1、第一引線框, 1-2、第二引線框, 1-3、第三引線框, 1-4、第四引線框, 2-1、第一二極管芯片, 2-2、第二二極管芯片，2-3、第三二極管芯片，2-4、第四二極管芯片，2-5、雙向TVS管芯片，3、粘接料，4、導(dǎo)線，5、焊盤，6、塑封體。

具體實施方式

實施例1 基于雙向TVS高壓脈沖抑制的整流橋

本實施例提供了一種基于雙向TVS高壓脈沖抑制的整流橋，如圖1所示，是本發(fā)明的內(nèi)部芯片電路連接示意圖。如圖2、圖3、圖4和圖5所示，所述基于雙向TVS高壓脈沖抑制的整流橋包括塑封體6、第一二極管芯片2-1、第二二極管芯片2-2、第三二極管芯片2-3、第四二極管芯片2-4、一個雙向TVS管芯片2-5、第一引線框架1-1、第二引線框架1-2、第三引線框架1-3和第四引線框架1-4，且所述四個引線框架處于同一平面內(nèi)。

四個二極管芯片是技術(shù)指標相同的GPP二極管芯片。

雙向TVS管芯片2-5固定設(shè)于第一引線框架1-1上，通過導(dǎo)線4連接第三引線框架1-3；第一二極管芯片2-1和第二二極管芯片2-2固定設(shè)于第二引線框架1-2上，頂面為均P型，分別通過導(dǎo)線4連接第一引線框架1-1和第三引線框架1-3；第三二極管芯片2-3和第四二極管芯片2-4固定設(shè)于第四引線框架1-4上，頂面均為N型，分別通過導(dǎo)線4連接第一引線框架1-1和第三引線框架1-3；第一引線框架1-1和第三引線框架1-3作為交流引腳，第二引線框架1-2作為正極引腳，第四引線框架1-4作為負極引腳。

第一引線框架1-1和第三引線框架1-3固設(shè)于同一載體上，全部封裝于塑封體6內(nèi)，第二引線框架1-2與第四引線框架1-4固設(shè)于同一載體上，上半部封裝于塑封體6內(nèi)，而載體下部分外露于塑封體6。

雙向TVS管芯片2-5和各個二極管芯片分別通過其底面設(shè)置的粘接料3固定設(shè)于相應(yīng)的引線框架上，所述粘接料3為導(dǎo)電膠或軟焊料；所有二極管芯片和雙向TVS管芯片2-5分別與所在的引線框架電連接。

本實施例中導(dǎo)線4采用銅線，銅線一端連接芯片上的焊盤5，另一端連接芯片所對應(yīng)連接的引線框架上的焊盤5；塑封體6采用環(huán)氧樹脂構(gòu)成的具有空腔的殼體。

實施例2 基于雙向TVS高壓脈沖抑制的整流橋的制作工藝

本實施例提供了一種制作工藝，用于制作實施例1中所述的基于雙向TVS高壓脈沖抑制的整流橋，它包括以下步驟：

1）對整片硅片進行好壞的測試，并將檢測出的壞片進行標記；

本步驟中對壞片進行標記時可以用磁性墨水對壞片進行標記，也可以利用計算機建立一張芯片位置和測試結(jié)構(gòu)的計算機圖形，利用計算機將壞的芯片在計算機圖形的坐標上進行標記；

2）將硅片底面貼于藍膜上，劃成一個個小塊，并將正面標記的壞芯片挑出；

如果步驟1）中采用的是直接對壞片用磁性墨水進行標記，則本步驟中劃片時將硅片完全劃穿；而如果步驟1）中利用計算機對芯片進行的標記，則本步驟中采用劃片深度四分之一到三分之一的劃片工藝，這樣不完全劃穿可以提高翻膜時的可靠性；

3）將步驟2）中好的芯片的頂面貼上藍膜，并將芯片上下顛倒，去掉之前底面上的藍膜；

如果步驟1）中利用計算機對芯片進行的標記，那么本步驟中需要將壞的芯片利用磁性墨水打點標記，然后裂片，并用機器取出壞的芯片，得到頂面能夠焊接的、且好的GPP二極管芯片；

4）利用機器抓取步驟3）中的芯片，并直接將芯片的底面焊接到底座上；

本步驟中需要頂針從藍膜下面將好的芯片往上頂，同時機器的真空吸嘴將芯片往上吸，抓取步驟3）頂面焊接的二極管芯片，然后將芯片的頂面焊接在引線框架的底座上；

5）引線鍵合用銅線將引線框架的引腳和芯片的焊盤連接起來；

6）用環(huán)氧樹脂將二極管芯片及用于承載芯片的引線框架一起塑封起來，保護芯片，之后激光打字；

7）將步驟6）中銀漿之間的引腳切開，然后進行引腳成型，得到基于雙向TVS高壓脈沖抑制的整流橋；

8）最終對步驟7）中的基于雙向TVS高壓脈沖抑制的整流橋進行測試，并將好的產(chǎn)品編袋。

最后應(yīng)說明的是：以上所述僅為本發(fā)明優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進行等同替換。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。