技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種垂直結(jié)構(gòu)LED藍(lán)光外延的制備方法，分別以氨氣、高純?nèi)谆?TMIn)、TMAl、TEGa、以及高純?nèi)谆?TMGa)為源，分別以SiH4和Cp2Mg作為n和p型摻雜劑，以氫氣或氮氣為載氣，通入反應(yīng)室與氨氣在900～1100℃發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成Ⅲ—Ⅴ族化合物半導(dǎo)體，在藍(lán)寶石、硅片、碳化硅片或石英玻璃片上按一定的晶格次序沉積，制成所述外延結(jié)構(gòu)。本發(fā)明通過工藝參數(shù)優(yōu)化和調(diào)整將外延材料晶體質(zhì)量(缺陷密度)控制在合理范圍，晶體質(zhì)量對產(chǎn)品的光電參數(shù)都存在一定的影響，采用修復(fù)層及基底技術(shù)提高襯底轉(zhuǎn)移良品率，修復(fù)層及基底技術(shù)可以良好的釋放襯底與外延層之間應(yīng)力。

技術(shù)研發(fā)人員：田進(jìn);劉波波;田偉;趙俊;李誼
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中聯(lián)西北工程設(shè)計研究院有限公司
文檔號碼：201610794752
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.31
技術(shù)公布日：2016.12.07