本發(fā)明涉及一種數(shù)據(jù)傳輸線(xiàn)纜，尤其涉及一種符合要求且高頻性能較好的數(shù)據(jù)傳輸線(xiàn)纜。

背景技術(shù)：

在3C產(chǎn)業(yè)中，傳輸線(xiàn)纜可作為兩個(gè)電子裝置之間電性連接的媒介且可穩(wěn)定地進(jìn)行所預(yù)期的信號(hào)傳輸作業(yè)，因此，傳輸線(xiàn)纜普遍地應(yīng)用于各種電子裝置。其中，與USB、HDMI、DVI、Displayport等接口連接的傳輸線(xiàn)纜具有傳輸速率高、距離遠(yuǎn)、質(zhì)量高而受大眾喜愛(ài)，使用數(shù)量也日益增加。該等傳輸線(xiàn)纜內(nèi)部具有多條金屬導(dǎo)線(xiàn)，金屬導(dǎo)線(xiàn)外部包覆絕緣層，以隔絕金屬信號(hào)導(dǎo)線(xiàn)間發(fā)生短路現(xiàn)象。但是，隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)的發(fā)展，計(jì)算機(jī)硬盤(pán)及主板等電子產(chǎn)品數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣扔鷣?lái)愈快，傳輸頻率也愈來(lái)愈高，在高頻、超高頻數(shù)據(jù)傳輸領(lǐng)域，控制差分信號(hào)線(xiàn)的差分阻抗對(duì)高速數(shù)字信號(hào)的完整性是非常重要的，一般要求控制在80Ω至100Ω間，傳統(tǒng)的導(dǎo)線(xiàn)設(shè)置已無(wú)法滿(mǎn)足要求。

有鑒于此，有必要對(duì)現(xiàn)有的數(shù)據(jù)傳輸線(xiàn)纜予以改進(jìn)，以解決上述問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種符合要求且高頻性能較好的數(shù)據(jù)傳輸線(xiàn)纜。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了關(guān)于一種數(shù)據(jù)傳輸線(xiàn)纜，其包括相鄰設(shè)置的第一導(dǎo)線(xiàn)和第二導(dǎo)線(xiàn)，所述第一導(dǎo)線(xiàn)和第二導(dǎo)線(xiàn)分別具有位于中心位置處的導(dǎo)體和包覆于導(dǎo)體外圍的包覆層；前述導(dǎo)體外徑在28至31美國(guó)線(xiàn)規(guī)（AWG）范圍內(nèi)，其中，在導(dǎo)體外徑采用28AWG時(shí)，所述第一導(dǎo)線(xiàn)和第二導(dǎo)線(xiàn)的中心間距設(shè)置為0.51mm至0.75mm；在導(dǎo)體外徑采用29AWG時(shí)，所述第一導(dǎo)線(xiàn)和第二導(dǎo)線(xiàn)的中心間距設(shè)置為0.38mm至0.75mm，在導(dǎo)體外徑采用30至31AWG時(shí)，所述第一導(dǎo)線(xiàn)和第二導(dǎo)線(xiàn)的中心間距設(shè)置為0.38mm至0.62mm。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，其中所述數(shù)據(jù)傳輸線(xiàn)纜還包括與第一導(dǎo)線(xiàn)和第二導(dǎo)線(xiàn)并排設(shè)置的第三導(dǎo)線(xiàn)，所述第三導(dǎo)線(xiàn)相鄰第一導(dǎo)線(xiàn)或第二導(dǎo)線(xiàn)設(shè)置，并且也具有位于中心位置處的導(dǎo)體和包覆于導(dǎo)體外圍的包覆層，所述第一導(dǎo)線(xiàn)、第二導(dǎo)線(xiàn)和第三導(dǎo)線(xiàn)的導(dǎo)體線(xiàn)規(guī)規(guī)格相同，并且第三導(dǎo)線(xiàn)與相鄰的第一導(dǎo)線(xiàn)或第二導(dǎo)線(xiàn)的中心間距和第一導(dǎo)線(xiàn)與第二導(dǎo)線(xiàn)的中心間距相同。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，其中所述第一導(dǎo)電和第二導(dǎo)線(xiàn)構(gòu)成差分信號(hào)對(duì)，所述第三導(dǎo)線(xiàn)為接地導(dǎo)線(xiàn)。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，其中前述第一導(dǎo)線(xiàn)和第二導(dǎo)線(xiàn)構(gòu)成差分信號(hào)對(duì)，且第一導(dǎo)線(xiàn)和第二導(dǎo)線(xiàn)的包覆層分別包括包覆于導(dǎo)體外圍的第一包覆層和包覆于第一包覆層外圍的第二包覆層，所述第一包覆層的介電系數(shù)低于第二包覆層的介電系數(shù)。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，其中所述第一包覆層采用介電系數(shù)為2.1至2.4的絕緣材料形成。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，其中第二包覆層的介電系數(shù)為3.2至3.5。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，其中在所述導(dǎo)體外徑采用28至29AWG時(shí)，所述第一導(dǎo)線(xiàn)和第二導(dǎo)線(xiàn)的中心間距設(shè)置為0.585至0.685mm，在導(dǎo)體外徑采用30至31AWG時(shí)，所述第一導(dǎo)線(xiàn)和第二導(dǎo)線(xiàn)的中心間距設(shè)置為0.45mm至0.55mm。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，其中在所述導(dǎo)體外徑采用28至29AWG時(shí)，所述第一導(dǎo)線(xiàn)和第二導(dǎo)線(xiàn)的中心間距設(shè)置為0.635mm，在導(dǎo)體外徑采用30至31AWG時(shí)，所述第一導(dǎo)線(xiàn)和第二導(dǎo)線(xiàn)的中心間距設(shè)置為0.5mm。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，其中所述數(shù)據(jù)傳輸線(xiàn)纜還包括同時(shí)包覆于第一導(dǎo)線(xiàn)和第二導(dǎo)線(xiàn)外側(cè)的外包覆層，外包覆層的介電系數(shù)為第二包覆層介電系數(shù)的0.8-1.2倍。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，其中所述數(shù)據(jù)傳輸線(xiàn)纜還包括同時(shí)遮蓋第一導(dǎo)線(xiàn)和第二導(dǎo)線(xiàn)的上側(cè)和下側(cè)的覆蓋膜，所述覆蓋膜的介電系數(shù)為第二包覆層介電系數(shù)的0.8-1.2倍。

本發(fā)明通過(guò)上述導(dǎo)體外徑及相應(yīng)的第一導(dǎo)線(xiàn)和第二導(dǎo)線(xiàn)的中心間距設(shè)置，可使得第一導(dǎo)線(xiàn)和第二導(dǎo)線(xiàn)設(shè)置為差分信號(hào)對(duì)時(shí)，兩者之間的差分阻抗得以有效減小，有效控制在80Ω至100Ω間，耦合效應(yīng)增強(qiáng)，保證高頻信號(hào)的長(zhǎng)距離傳輸。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明數(shù)據(jù)傳輸線(xiàn)纜一較佳實(shí)施例的立體示意圖。

圖2是圖1所示數(shù)據(jù)傳輸線(xiàn)纜的橫截面示意圖。

具體實(shí)施例

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。

請(qǐng)一并參閱圖1和圖2所示為本發(fā)明數(shù)據(jù)傳輸線(xiàn)纜100的一較佳實(shí)施例。所述數(shù)據(jù)傳輸線(xiàn)纜100至少包括一導(dǎo)線(xiàn)組1。所述導(dǎo)線(xiàn)組1包括并排且相鄰設(shè)置的第一導(dǎo)線(xiàn)11和第二導(dǎo)線(xiàn)12。

在本實(shí)施方式中，所述數(shù)據(jù)傳輸線(xiàn)纜100還包括與第一導(dǎo)線(xiàn)11和第二導(dǎo)線(xiàn)12并排設(shè)置的第三導(dǎo)線(xiàn)2。所述第三導(dǎo)線(xiàn)2相鄰第一導(dǎo)線(xiàn)11或第二導(dǎo)線(xiàn)12設(shè)置。其中，所述第一導(dǎo)線(xiàn)11和第二導(dǎo)線(xiàn)12為差分信號(hào)對(duì)，可用于傳輸高頻信號(hào)。所述第三導(dǎo)線(xiàn)2為接地導(dǎo)線(xiàn)，可用以抑制差分信號(hào)對(duì)旁側(cè)的信號(hào)干擾。本實(shí)施方式中數(shù)據(jù)傳輸線(xiàn)纜100包括有若干組通過(guò)接地導(dǎo)線(xiàn)2間隔設(shè)置的所述差分信號(hào)對(duì)，并且所述差分信號(hào)對(duì)均并排設(shè)置。所述接地導(dǎo)線(xiàn)2可對(duì)相鄰兩組差分信號(hào)對(duì)產(chǎn)生隔離，防止相互干擾。

請(qǐng)參閱圖1和圖2所示，所述第一導(dǎo)線(xiàn)11、第二導(dǎo)線(xiàn)12和第三導(dǎo)線(xiàn)2分別具有位于中心位置處的導(dǎo)體13和包覆于導(dǎo)體3外側(cè)的包覆層。

其中，在本實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)線(xiàn)11和第二導(dǎo)線(xiàn)12的包覆層分別包括包覆于導(dǎo)體13外圍的第一包覆層14、包覆于第一包覆層14外圍的第二包覆層15。在本發(fā)明中，所述第一包覆層14的介電系數(shù)低于第二包覆層15的介電系數(shù)。

其中，第一包覆層14采用介電系數(shù)為2.1至2.4的絕緣材料形成，以提供導(dǎo)體13較好的信號(hào)傳輸環(huán)境，減少信號(hào)的傳播延遲，降低信號(hào)之間的串?dāng)_，保證信號(hào)的高速有效傳輸，減小信號(hào)衰減。

另外，所述第二包覆層15設(shè)置為介電系數(shù)相對(duì)較高，在本發(fā)明中采用介電系數(shù)為3.2至3.5的材料制成，優(yōu)選采用可吸收電磁波的吸波材料制成吸波層，由此，可以利用該吸波層15吸收外界輻射的電磁波，有效抑制外界電磁干擾，對(duì)導(dǎo)體13與外界進(jìn)行有效隔絕，保證高頻、超高頻信號(hào)傳輸；另外，所述吸波層15還具有質(zhì)量輕、耐溫、耐濕、抗腐蝕等性能，進(jìn)而可有效保護(hù)位于內(nèi)側(cè)的導(dǎo)體13，延長(zhǎng)本發(fā)明數(shù)據(jù)傳輸線(xiàn)纜100的使用壽命；再者，所述吸波層15還可由具有吸波性能的高密度塑料材料制成，以有效利用該種材料的抗拉性，增強(qiáng)數(shù)據(jù)傳輸線(xiàn)纜100的機(jī)械強(qiáng)度。

另外，本實(shí)施方式中，因所述第三導(dǎo)線(xiàn)2設(shè)置為接地導(dǎo)線(xiàn)，從而將其包覆層僅設(shè)置為一層，該包覆層采用絕緣材料制成，以對(duì)接地導(dǎo)線(xiàn)2的導(dǎo)體13和相鄰的第一導(dǎo)線(xiàn)11或第二導(dǎo)線(xiàn)12的導(dǎo)體13構(gòu)成絕緣隔離。

進(jìn)一步地，所述數(shù)據(jù)傳輸線(xiàn)纜100還包括對(duì)所述導(dǎo)線(xiàn)組1的第一導(dǎo)線(xiàn)11、第二導(dǎo)線(xiàn)12和所述接地導(dǎo)線(xiàn)2進(jìn)行相對(duì)定位和保護(hù)的外被層3。所述外被層3可為同時(shí)包覆于導(dǎo)線(xiàn)組1和接地導(dǎo)線(xiàn)2外側(cè)的外包覆層，或者同時(shí)遮蓋導(dǎo)線(xiàn)組1和接地導(dǎo)線(xiàn)2的上側(cè)和下側(cè)以進(jìn)行定位的覆蓋膜。所述外被層3采用耐候性較好和抗疲勞性的材料制成，例如熱塑性彈性體TPE（Thermoplastic Elastomer）材料制成，以對(duì)內(nèi)部第一、第二和第三導(dǎo)線(xiàn)11、12、2形成較好的保護(hù)，提高本發(fā)明數(shù)據(jù)傳輸線(xiàn)纜100的使用壽命。

所述外被層3采用介電系數(shù)為第二包覆層15介電系數(shù)的0.8至1.2倍的材料制成，以保證外被層3的介電系數(shù)和與其相鄰的第二包覆層15介電系數(shù)相差較小，進(jìn)而不會(huì)對(duì)本發(fā)明數(shù)據(jù)傳輸線(xiàn)纜100的整體介電系數(shù)產(chǎn)生影響，保證高頻信號(hào)傳輸。

進(jìn)一步地，在本發(fā)明中，所述導(dǎo)體13的外徑均設(shè)置在28至31美國(guó)線(xiàn)規(guī)（AWG）范圍內(nèi)；其中，在導(dǎo)體13外徑采用28AWG時(shí)，至少所述第一導(dǎo)線(xiàn)11和第二導(dǎo)線(xiàn)12的中心間距設(shè)置為0.51mm至0.75mm；在導(dǎo)體13外徑采用29AWG時(shí)，至少所述第一導(dǎo)線(xiàn)11和第二導(dǎo)線(xiàn)12的中心間距設(shè)置為0.38mm至0.75mm，在導(dǎo)體外徑采用30至31AWG時(shí)，至少所述第一導(dǎo)線(xiàn)11和第二導(dǎo)線(xiàn)12的中心間距設(shè)置為0.38mm至0.62mm。

通過(guò)上述導(dǎo)體13外徑及相應(yīng)的第一導(dǎo)線(xiàn)11和第二導(dǎo)線(xiàn)12的中心間距設(shè)置，可使得第一導(dǎo)線(xiàn)11和第二導(dǎo)線(xiàn)12之間的差分阻抗得以有效減小，有效控制在80Ω至100Ω間，耦合效應(yīng)增強(qiáng)，保證高頻信號(hào)的長(zhǎng)距離傳輸。

優(yōu)選地，本實(shí)施方式中，所述第一導(dǎo)線(xiàn)11、第二導(dǎo)線(xiàn)12和第三導(dǎo)線(xiàn)2的導(dǎo)體13線(xiàn)規(guī)規(guī)格和相鄰兩者之間的中心間距均設(shè)置為相同。

另外，進(jìn)一步地，結(jié)合本實(shí)施方式中上述第一導(dǎo)線(xiàn)11和第二導(dǎo)線(xiàn)12的包覆層設(shè)置，為保證本發(fā)明中第一導(dǎo)線(xiàn)11和第二導(dǎo)線(xiàn)12在進(jìn)行高頻信號(hào)傳輸時(shí)，兩者之間的差分阻抗控制在85Ω至100Ω間，將所述第一導(dǎo)線(xiàn)11和第二導(dǎo)線(xiàn)12進(jìn)一步設(shè)置如下：在將所述第一導(dǎo)線(xiàn)11和第二導(dǎo)線(xiàn)12的導(dǎo)體13設(shè)置為28至29AWG時(shí)，使第一導(dǎo)線(xiàn)11和第二導(dǎo)線(xiàn)12的中心間距設(shè)置為0.585至0.685mm，優(yōu)選為0.635mm；在將所述第一導(dǎo)線(xiàn)11和第二導(dǎo)線(xiàn)12的導(dǎo)體13設(shè)置為30至31AWG時(shí)，使第一導(dǎo)線(xiàn)11和第二導(dǎo)線(xiàn)12的中心間距設(shè)置為0.45至0.55mm，優(yōu)選為0.5mm；由此可進(jìn)一步保證高頻信號(hào)的長(zhǎng)距離傳輸。

以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍。