本發(fā)明屬于移動通信技術領域，具體涉及一種基站天線，尤其涉及一種可改善波束收斂性的基站天線。

背景技術：

目前，在小型共軸雙列基站天線中，一般采用高頻輻射單元與低頻輻射單元互相嵌套的方式形成兩個輻射單元列，這種結構一方面導致低頻輻射單元對高頻輻射單元輻射特性造成影響，另一方面，存在低頻輻射陣列波束不收斂的問題。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明實施例涉及一種基站天線，至少可解決現(xiàn)有技術的部分缺陷。

本發(fā)明實施例涉及一種基站天線，包括反射板，于所述反射板上平行布置有第一低頻輻射單元列、第二低頻輻射單元列及第三低頻輻射單元列；所述第一低頻輻射單元列與所述第二低頻輻射單元列均包括共軸線依次排布的多個第一低頻輻射單元；所述第三低頻輻射單元列位于所述第一低頻輻射單元列與所述第二低頻輻射單元列之間，包括兩個單元段，每一所述單元段包括至少一個第二低頻輻射單元，各所述第二低頻輻射單元共軸線依次排布；沿各單元列延伸方向，其中一所述單元段位于所述第一低頻輻射單元列前側(cè)并與所述第一低頻輻射單元列組陣形成一低頻輻射陣列；另一所述單元段位于所述第二低頻輻射單元列后側(cè)并與所述第二低頻輻射單元列組陣形成一低頻輻射陣列。

作為實施例之一，所述基站天線還包括兩個高頻輻射陣列，兩所述高頻輻射陣列均包括共軸線依次排布的多個高頻輻射單元，其中一所述高頻輻射陣列的軸線與所述第一低頻輻射單元列的軸線重合，另一所述高頻輻射陣列的軸線與所述第二低頻輻射單元列的軸線重合。

作為實施例之一，每一所述高頻輻射陣列中，至少部分所述高頻輻射單元嵌裝于對應列的所述第一低頻輻射單元內(nèi)。

作為實施例之一，每一所述高頻輻射陣列中，相鄰兩個嵌裝于所述第一低頻輻射單元內(nèi)的高頻輻射單元之間有一個或多個所述高頻輻射單元。

作為實施例之一，相互嵌套的所述第一低頻輻射單元與所述高頻輻射單元在所述反射板上的正投影互不重合。

作為實施例之一，所述第一低頻輻射單元列及所述第二低頻輻射單元列中的各所述第一低頻輻射單元均等間距共軸線排布且間距為d，沿各單元列延伸方向，兩所述單元段分別與對應的低頻輻射單元列呈n*d的間距進行組陣，其中，n＞1。

作為實施例之一，所述第一低頻輻射單元列的各輻射單元與所述第二低頻輻射單元列的各輻射單元錯位布置。

作為實施例之一，所述第一低頻輻射單元列與所述第二低頻輻射單元列之間形成有隔離邊界，兩所述單元段分別設于所述隔離邊界的兩端。

作為實施例之一，所述隔離邊界包括平行布置的兩第一邊界板及兩第二邊界板，兩所述第二邊界板均位于兩所述第一邊界板之間，兩所述第二邊界板的頂端均高于兩所述第一邊界板的頂端。

作為實施例之一，所述第二低頻輻射單元為碗狀振子、十字振子或PCB振子。

本發(fā)明實施例至少具有如下有益效果：通過在兩低頻輻射單元列之間增設一個低頻輻射單元列，增設的低頻輻射單元列分為兩段并分別與另外兩低頻輻射單元列組陣，由于增設的單元段偏離各自所在的低頻輻射陣列軸線，使得相應低頻輻射陣列的方向圖水平面半功率波束寬度收縮，從而改善雙列小型化基站天線低頻陣列波束離散的情況。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例提供的兩個低頻輻射陣列的一種結構示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的兩個低頻輻射陣列的另一種結構示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的基站天線的一種結構示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的基站天線的另一種結構示意圖。

具體實施方式

下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

如圖1-圖4，本發(fā)明實施例提供一種基站天線，包括反射板1，于所述反射板1上平行布置有第一低頻輻射單元列、第二低頻輻射單元列及第三低頻輻射單元列；所述第一低頻輻射單元列與所述第二低頻輻射單元列均包括共軸線依次排布的多個第一低頻輻射單元2；所述第三低頻輻射單元列位于所述第一低頻輻射單元列與所述第二低頻輻射單元列之間，包括兩個單元段，每一所述單元段包括至少一個第二低頻輻射單元3，各所述第二低頻輻射單元3共軸線依次排布；沿各單元列延伸方向，其中一所述單元段位于所述第一低頻輻射單元列前側(cè)并與所述第一低頻輻射單元列組陣形成一低頻輻射陣列；另一所述單元段位于所述第二低頻輻射單元列后側(cè)并與所述第二低頻輻射單元列組陣形成一低頻輻射陣列。由于增設的單元段偏離各自所在的低頻輻射陣列軸線，使得相應低頻輻射陣列的方向圖水平面半功率波束寬度收縮，從而改善雙列小型化基站天線低頻陣列波束離散的情況。其中，第一低頻輻射單元列中的各第一低頻輻射單元2均等間距排布且間距為a，第二低頻輻射單元列中的各第一低頻輻射單元2均等間距排布且間距為b，每一單元段內(nèi)的各第二低頻輻射單元3均等間距排布且間距為c；上述間距a、間距b及間距c優(yōu)選為相等，定義為d。進一步地，沿各單元列延伸方向，兩所述單元段分別與對應的低頻輻射單元列呈n*d的間距進行組陣，其中，n＞1，即為d的整數(shù)倍；本實施例中，n＝1或2，可獲得較好的組陣效果。

進一步地，如圖3-圖4，上述基站天線還包括兩個高頻輻射陣列，兩所述高頻輻射陣列均包括共軸線依次排布的多個高頻輻射單元4，其中一所述高頻輻射陣列的軸線與所述第一低頻輻射單元列的軸線重合，另一所述高頻輻射陣列的軸線與所述第二低頻輻射單元列的軸線重合。本實施例中，基于上述采用增設單元段與現(xiàn)有的雙列低頻輻射單元進行組陣的結構，在低頻輻射陣列性能可滿足指標的情況下，一部分的高頻輻射單元4可不用嵌裝于低頻輻射單元內(nèi)，即：每一所述高頻輻射陣列中，至少部分所述高頻輻射單元4嵌裝于對應列的所述第一低頻輻射單元2內(nèi)。這種結構可降低低頻輻射單元對高頻輻射單元4輻射特性的影響，有效提高本基站天線的工作性能；如圖3和圖4所示，上述結構也使得高頻輻射陣列的邊界設置更為靈活，有效降低高頻輻射陣列與低頻輻射陣列之間的干涉。進一步地，如圖3和圖4，每一所述高頻輻射陣列中，相鄰兩個嵌裝于所述第一低頻輻射單元2內(nèi)的高頻輻射單元4之間有一個或多個所述高頻輻射單元4。一般地，上述結構設置過程中需滿足：相互嵌套的第一低頻輻射單元2與高頻輻射單元4在反射板1上的正投影互不重合，即該高頻輻射單元4在反射板1上的正投影位于該第一低頻輻射單元2在反射板1上的正投影范圍內(nèi)。

如圖1-圖4，所述第一低頻輻射單元列與所述第二低頻輻射單元列之間形成有隔離邊界，兩所述單元段分別設于所述隔離邊界的兩端。本實施例中，該隔離邊界與第一低頻輻射單元列及第二低頻輻射單元列均平行，且距離兩低頻輻射單元列的距離相同；該隔離邊界優(yōu)選為沿反射板1的中間軸線設置(以各單元列延伸方向為反射板1的長度方向，該反射板1的中間軸線即為與其長度方向平行的對稱軸線)。本實施例中，上述兩單元段均只包括一個第二低頻輻射單元3，沿各單元列延伸方向，該兩第二低頻輻射單元3分別位于該隔離邊界的前后兩側(cè)，并與對應的低頻輻射單元列以d或2d的距離組陣；如圖1和圖2，本實施例中，位于該隔離邊界前側(cè)的第二低頻輻射單元3與位于該隔離邊界右側(cè)的低頻輻射單元列組陣，位于該隔離邊界后側(cè)的第二低頻輻射單元3則與位于該隔離邊界左側(cè)的低頻輻射單元列組陣。如圖1-圖4，上述隔離邊界可有效防止其兩側(cè)的輻射單元之間發(fā)生干擾，其包括平行布置的兩第一邊界板51及兩第二邊界板52，兩所述第二邊界板52均位于兩所述第一邊界板51之間，兩所述第二邊界板52的頂端均高于兩所述第一邊界板51的頂端。

如圖1和圖2，所述第一低頻輻射單元列的各所述第一低頻輻射單元2與所述第二低頻輻射單元列的各所述第一低頻輻射單元2可以錯位布置也可以不錯位布置；本實施例中，優(yōu)選為采用兩低頻輻射單元列錯位布置的結構，與對應的第二低頻輻射單元3組陣的效果更好，兩列低頻輻射單元之間的干涉影響也相對減小。

如圖3和圖4，本實施例中，所述第二低頻輻射單元3的結構形勢可以有多種，如可以為碗狀振子、十字振子或PCB振子等。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。