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硅襯底高密度LED光源模組及基于共晶焊的硅襯底高密度LED光源模組制備方法與流程

文檔序號:11837112閱讀:來源:國知局
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種硅襯底高密度LED光源模組及基于共晶焊的硅襯底高密度LED光源模組制備方法。本發(fā)明創(chuàng)造性地將LED芯片直接封裝在散熱基體上,相比起現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明的LED芯片其工作時產(chǎn)生的熱量可以直接通過散熱基體傳導,散熱效率明顯高于現(xiàn)有技術(shù)。

技術(shù)研發(fā)人員:宣紫程
受保護的技術(shù)使用者:宣紫程
文檔號碼:201610762548
技術(shù)研發(fā)日:2016.08.30
技術(shù)公布日:2016.11.23

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