技術(shù)編號：11837112
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及LED照明技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種硅襯底高密度LED光源模組及基于共晶焊的硅襯底高密度LED光源模組制備方法。背景技術(shù)目前，傳統(tǒng)的藍(lán)寶石襯底GaN大功率芯片，其電極位于芯片的出光面上。芯片工作時，約30%的光被P電極吸收，且由于P-GaN層有限的導(dǎo)電率，要求在P-GaN層表面再沉積一層電流擴(kuò)散的金屬層。這個電流擴(kuò)散層又Ni/Au組成，會遮擋一部分光，影響芯片的出光效率。為了減少對發(fā)射光的吸收，電流擴(kuò)散層的厚度應(yīng)減少到幾百奈米。厚度的減少又限制了電流擴(kuò)散層在P-GaN層表面均勻和可靠地擴(kuò)散...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。