1.一種極高頻SIW交叉耦合帶通濾波器，其特征在于：包括上接地板G5，下接地板G6的上邊間隔設(shè)有上接地板G5，下接地板的前邊設(shè)有接地邊框G1，下接地板的左邊設(shè)有接地邊框G3，下接地板的后邊設(shè)有接地邊框G2，下接地板的右邊設(shè)有接地邊框G4，接地邊框G1、接地邊框G2、接地邊框G3和接地邊框G4均設(shè)于下接地板G6和上接地板G5之間，接地邊框G1、接地邊框G2、接地邊框G3和接地邊框G4均與下接地板G6連接，接地邊框G1、接地邊框G2、接地邊框G3和接地邊框G4均與上接地板G5連接；
接地邊框G3的前側(cè)框邊設(shè)有輸入端P1，接地邊框G4的前側(cè)框邊設(shè)有輸出端P2；
接地邊框G1的中間的后邊從前至后依次間隔設(shè)有金屬柱C1、金屬柱C2、金屬柱C3、金屬柱C4、金屬柱C5、金屬柱C6和金屬柱C7，金屬柱C7的左邊設(shè)有金屬柱C8，金屬柱C7的右邊設(shè)有金屬柱C10，金屬柱C7的后邊設(shè)有金屬柱C11；
上接地板G5上設(shè)有Z形缺陷Z1，下接地板G6上設(shè)有Z形缺陷Z2，Z形缺陷Z1和Z形缺陷Z2在垂直投影上為交叉設(shè)置，Z形缺陷Z1和Z形缺陷Z2在垂直投影上的交叉點(diǎn)位于金屬柱C3和金屬柱C4之間；
金屬柱C8的前邊的空腔區(qū)域1為第一級(jí)濾波器，金屬柱C8的后邊的空腔區(qū)域2為第二級(jí)濾波器，金屬柱C10的前邊的空腔區(qū)域4為第四級(jí)濾波器，金屬柱C10的后邊的空腔區(qū)域3為第三級(jí)濾波器。
2.如權(quán)利要求1所述的一種極高頻SIW交叉耦合帶通濾波器，其特征在于：所述Z形缺陷Z1和Z形缺陷Z2均為Z形開孔結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1所述的一種極高頻SIW交叉耦合帶通濾波器，其特征在于：所述輸入端口P1和輸出端口P2均為共面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的50歐姆阻抗的端口。
4.如權(quán)利要求1所述的一種極高頻SIW交叉耦合帶通濾波器，其特征在于：所述一種極高頻SIW交叉耦合帶通濾波器由多層低溫共燒陶瓷工藝制成。