本發(fā)明涉及LED封裝領域，尤其是一種LED封裝結(jié)構(gòu)、封裝方法及具有該LED封裝結(jié)構(gòu)的LED燈。

背景技術：

LED(Light Emitting Diode發(fā)光二極管)燈相比于傳統(tǒng)光源具有發(fā)光效率高、節(jié)能環(huán)保、壽命長等優(yōu)點，受到了越來越廣泛的應用。目前，LED已廣泛應用于顯示器背光、汽車照明及室內(nèi)外照明燈多個領域。

在現(xiàn)有技術中，LED封裝結(jié)構(gòu)所使用的密封及填充介質(zhì)一般為環(huán)氧樹脂、有機硅膠，或者是硅樹脂，其中，環(huán)氧樹脂具有較好的密封性能，適用于戶外、車外等對產(chǎn)品氣密性要求較高的設備中，但是其抗紫外線的能力較弱，在使用中容易出現(xiàn)黃變老化，且因其材質(zhì)的硬度較高，在LED封裝結(jié)構(gòu)經(jīng)過回流焊使用時容易由于高溫的原因發(fā)生膠裂，繼而產(chǎn)生很強的內(nèi)部應力，造成LED的失效；有機硅膠由于材質(zhì)較軟，在高溫回流焊時產(chǎn)生的內(nèi)部應力較小，可以有效地降低LED封裝結(jié)構(gòu)回流焊時的失效幾率，但是由于其材質(zhì)較軟，分子間隙大，從而導致產(chǎn)品的氣密性較低；硅樹脂雖然中和了環(huán)氧樹脂及有機硅膠的優(yōu)點，但是并不能同時解決氣密性、內(nèi)應力對LED的影響，只是在上述兩個性能中進行了折中處理，同樣不能滿足在多種環(huán)境中LED封裝結(jié)構(gòu)的需要。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種LED封裝結(jié)構(gòu)、封裝方法及具有該LED封裝結(jié)構(gòu)的LED燈，該LED封裝結(jié)構(gòu)能夠使LED產(chǎn)品在具有較好的氣密性的同時，減弱內(nèi)應力對LED產(chǎn)品的影響。

本發(fā)明例提供一種LED封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、第一焊盤、第二焊盤、LED芯片、連接線、熒光粉及封裝層，所述第一焊盤及所述第二焊盤間隔地設置于所述基板的表面上，所述LED芯片設置于所述第一焊盤上，所述連接線的一端設置于所述第一焊盤上，另一端與所述LED芯片相連，所述熒光粉散布于所述封裝層內(nèi)，所述封裝層設置于所述基板上，并至少完全覆蓋于所述第一焊盤、所述第二焊盤、LED芯片及連接線上，所述封裝層為由燒結(jié)成型溫度低于550℃的低溫玻璃粉燒結(jié)成型的低溫玻璃封裝層。

進一步地，所述基板為陶瓷或環(huán)氧樹脂基板。

進一步地，所述基板上形成有朝向LED芯片一側(cè)的上表面及遠離LED芯片一側(cè)的下表面，所述基板上還設置有貫穿上表面及下表面的第一連接柱及第二連接柱，所述第一連接柱位于所述基板上表面的一端與所述第一焊盤相連，所述第二連接柱位于所述基板上表面的一端與所述第二焊盤相連，所述第一連接柱及所述第二連接柱在基板的下表面上與電源相連。

進一步地，所述LED封裝結(jié)構(gòu)還包括第三焊盤及第四焊盤，所述第三焊盤及第三焊盤設置于所述基板的下表面上，所述第三焊盤通過所述第一連接柱與所述第一焊盤相連，所述第四焊盤通過所述第二連接柱與所述第二焊盤相連，所述第三焊盤及所述第四焊盤與所述電源相連。

進一步地，所述LED芯片通過固晶膠固定于所述第一焊盤上。

進一步地，所述固晶膠從LED芯片的下表面及側(cè)面將LED芯片粘結(jié)于所述第一焊盤上。

進一步地，所述固晶膠為銀粉與硅膠或環(huán)氧樹脂混合而成的固晶膠。

進一步地，所述封裝層與所述基板接觸的一面及所述基板的上表面上設置有相互對應的鋸齒狀的凸起及凹陷。

本發(fā)明還提供了一種LED封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，該方法包括如下步驟：

將所述LED芯片設置于所述第一焊盤上，通過所述連接線將所述LED芯片與所述第二焊盤相連；

將所述熒光粉混合于燒結(jié)成型溫度低于550℃的低溫玻璃粉中；

將混合入所述熒光粉的所述低溫玻璃粉燒結(jié)成型并設置于所述基板上。

本發(fā)明還提供了一種LED燈，包括本發(fā)明提供的LED封裝結(jié)構(gòu)。

綜上所述，在本發(fā)明提供的LED封裝結(jié)構(gòu)中，封裝層直接由低溫玻璃粉燒結(jié)成型，能夠使LED產(chǎn)品在具有較好的氣密性的同時，減弱內(nèi)應力對LED產(chǎn)品的影響。進一步地，通過在封裝層及基板上設置鋸齒狀的凸起及凹陷，能夠進一步地增加LED封裝結(jié)構(gòu)的氣密性。

上述說明僅是本發(fā)明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附圖，詳細說明如下。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例提供的LED封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為圖1中LED封裝結(jié)構(gòu)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為圖1中LED封裝結(jié)構(gòu)基板與封裝層連接處的結(jié)構(gòu)放大示意圖。

具體實施方式

為更進一步闡述本發(fā)明為達成預定發(fā)明目的所采取的技術手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對本發(fā)明進行詳細說明如下。

本發(fā)明的目的在于提供一種LED封裝結(jié)構(gòu)、封裝方法及具有該LED封裝結(jié)構(gòu)的LED燈，該LED封裝結(jié)構(gòu)能夠使LED產(chǎn)品在具有較好的氣密性的同時，減弱內(nèi)應力對LED產(chǎn)品的影響。

圖1為本發(fā)明實施例提供的LED封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為圖1中LED封裝結(jié)構(gòu)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1及圖2所示，在本發(fā)明提供的實施例中，LED封裝結(jié)構(gòu)包括基板10、第一焊盤21、第二焊盤22、LED芯片30、連接線40、熒光粉(圖未標出)及封裝層50，第一焊盤21及第二焊盤22間隔地設置于基板10的表面上，LED芯片30設置于第一焊盤21上，連接線40的一端設置于第二焊盤22上，另一端與LED芯片30相連，封裝層50設置于基板10上，其至少完全覆蓋于第一焊盤21、第二焊盤22、LED芯片30及連接線40上，熒光粉散布于封裝層50內(nèi)，在本發(fā)明中，封裝層50為由燒結(jié)成型溫度低于550℃的低溫玻璃粉燒結(jié)成型的低溫玻璃封裝層，即該封裝層50直接由低溫玻璃粉燒結(jié)成型，并覆蓋于第一焊盤21及第二焊盤22上。

在本發(fā)明提供的LED封裝結(jié)構(gòu)中，封裝層50直接由低溫玻璃粉燒結(jié)成型，由于玻璃在高溫時具有較好地穩(wěn)定性，因此在成型過程中，封裝層50內(nèi)部的應力較小，其次，玻璃是良好的耐紫外線照射的透光材料，其能有效地防止LED產(chǎn)品的黃變老化，最后，由于其由燒結(jié)成型溫度低于550℃的低溫玻璃粉燒結(jié)成型，因此，LED封裝結(jié)構(gòu)的成型溫度較低，不會對LED封裝結(jié)構(gòu)中的其它部件造成損害，因此，LED封裝結(jié)構(gòu)能夠使LED產(chǎn)品在具有較好的氣密性的同時，減弱內(nèi)應力對LED產(chǎn)品的影響。

進一步地，在發(fā)明中，基板10可以為陶瓷或者環(huán)氧樹脂基板，基板10上形成有朝向LED芯片30一側(cè)的上表面及遠離LED芯片30一側(cè)的下表面，基板10上還設有貫穿基板10上表面及下表面的第一連接柱11及第二連接柱12，第一連接柱11位于基板10上表面的一端與第一焊盤21相連，第二連接柱12位于基板10下表面的一端與第二焊盤22相連，第一連接柱11及第二連接柱12在基板10的下表面上與電源相連，使LED芯片30形成完整回路，避免在基板10上表面的連接處與空氣接觸，進一步增加LED封裝結(jié)構(gòu)的氣密性。在本實施例中，LED封裝結(jié)構(gòu)還包括第三焊盤23及第四焊盤24，第三焊盤23及第四焊盤24設置于基板10的下表面，并與第一連接柱11與第一焊盤21相連，第四焊盤24通過第二連接柱12與第二焊盤22相連，第三焊盤23與第四焊盤24與電源相連，使LED芯片30上形成一個完整的回路。

進一步地，在本實施例中，LED芯片30通過固晶膠60固定于第一焊盤21上，優(yōu)選地，固晶膠60從LED芯片30與基板10接觸的一面及側(cè)面將LED芯片30粘結(jié)于第一焊盤21上，固晶膠60為銀粉與硅膠或環(huán)氧樹脂混合而成的固晶膠，具有良好的導電性能，能夠提高LED芯片30電連接的穩(wěn)定性。

圖3為圖1中LED封裝結(jié)構(gòu)基板10與封裝層50連接處的結(jié)構(gòu)放大示意圖，如圖3所示，在本發(fā)明的實施例中，封裝層50與基板10接觸的一面及基板10的上表面設有相互對應的鋸齒狀的凸起及凹陷，即當LED封裝結(jié)構(gòu)組裝完成時，封裝層50上的凸起伸入基板10的凹陷內(nèi)，基板10上的凸起也伸入封裝層50上的凹陷內(nèi)，該結(jié)構(gòu)能夠使封裝層50與基板10的結(jié)合更加的穩(wěn)定，同時也能夠進一步地提高LED封裝結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性能。

綜上所述，在本發(fā)明提供的LED封裝結(jié)構(gòu)中，封裝層50直接由低溫玻璃粉燒結(jié)成型，能夠使LED產(chǎn)品在具有較好的氣密性的同時，減弱內(nèi)應力對LED產(chǎn)品的影響。進一步地，通過在封裝層50及基板10上設置鋸齒狀的凸起及凹陷，能夠進一步地增加LED封裝結(jié)構(gòu)的氣密性。

本發(fā)明提供的LED封裝結(jié)構(gòu)通過如下的封裝方法進行封裝，該封裝方法包括如下步驟：

將LED芯片30設置于第一焊盤21上，通過連接線40將LED芯片30與第二焊盤22相連；

將熒光粉混合于燒結(jié)成型溫度低于550℃的低溫玻璃粉中；

將混合入熒光粉的低溫玻璃粉燒結(jié)成型并設置于基板上。

進一步地，在本發(fā)明中，燒結(jié)成型后的低溫玻璃可以直接燒結(jié)成型并通過模壓與基板10結(jié)合，也可以先燒結(jié)成型再貼合于基板10上。

本發(fā)明還提供了一種LED燈，包括本發(fā)明提供的LED封裝結(jié)構(gòu)，關于該LED燈的其他技術特征，請參見現(xiàn)有技術，在此不再贅述。

以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術人員，在不脫離本發(fā)明技術方案范圍內(nèi)，當可利用上述揭示的技術內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術方案的范圍內(nèi)。