技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種具有雙電流擴(kuò)展層的LED及其制作方法，其制作方法包括以下步驟：A、將外延片經(jīng)過(guò)清洗處理后，在外延層（2）表面蒸鍍一層薄層ITO,厚度為10nm～50nm；B、通過(guò)爐管高溫退火將薄層ITO與外延層表面形成良好歐姆接觸；C、通過(guò)氮?dú)獯祪魧?duì)已經(jīng)蒸鍍薄層ITO的外延片進(jìn)行吹凈處理；D、在薄層ITO表面通過(guò)電子束蒸發(fā)蒸鍍厚層ITO，厚度為50nm～200nm，形成雙層ITO（5）結(jié)構(gòu)；E、在雙層ITO（5）的厚層ITO里制備光子晶體（4）結(jié)構(gòu)，光子晶體（4）深度為50nm～200nm，為多邊形或圓形結(jié)構(gòu)。采用本發(fā)明可提高LED發(fā)光率，去除雜質(zhì)，提高產(chǎn)品品質(zhì)。

技術(shù)研發(fā)人員：劉大為;張陽(yáng);陳勘
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安中為光電科技有限公司
文檔號(hào)碼：201610711451
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.24
技術(shù)公布日：2016.12.07