1.一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括：
柵電極，位于基底上；
柵極間隔件，形成在柵電極的側(cè)壁上并包括上部和下部；
下層間絕緣膜，形成在基底上，與柵極間隔件的下部相鄰并具有第一應(yīng)力特性；以及
上層間絕緣膜，形成在下層間絕緣膜上，與柵極間隔件的上部相鄰并具有第二應(yīng)力特性，
其中，下層間絕緣膜不置于上層間絕緣膜與柵極間隔件的上部之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，柵電極的寬度隨著距基底的上表面的距離增加而增加。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，柵電極的寬度隨著距基底的上表面的距離增加而減小。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，柵電極包括彼此相對的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁，
其中，柵電極的第一側(cè)壁具有相對于柵電極的底表面成直角的傾斜，
其中，柵電極的第二側(cè)壁具有相對于柵電極的底表面成銳角的傾斜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，柵電極包括彼此相對的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁，
其中，柵電極的第一側(cè)壁具有相對于柵電極的底表面成直角的傾斜，
其中，柵電極的第二側(cè)壁具有相對于柵電極的底表面成鈍角的傾斜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，柵極間隔件的上部的上表面包括相對于上層間絕緣膜的上表面成銳角的傾斜表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置還包括：
源/漏區(qū)，形成在柵電極的兩側(cè)上；以及
蝕刻終止層，沿柵極間隔件的側(cè)壁和源/漏區(qū)的上表面形成，
其中，蝕刻終止層在下層間絕緣膜與柵極間隔件的下部之間延伸。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，下層間絕緣膜與上層間絕緣膜之間的邊界具有相對于基底的上表面的凸形狀。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，下層間絕緣膜與上層間絕緣膜之間的邊界面是平坦的表面。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，第一應(yīng)力特性與第二應(yīng)力特性不同。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置還包括：
鰭型圖案，從基底突出，
其中，柵電極形成在鰭型圖案上以與鰭型圖案相交。
12.一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括：
基底，包括第一區(qū)和第二區(qū)；
第一柵電極，形成在第一區(qū)中并位于基底上；
第二柵電極，形成在第二區(qū)中并位于基底上；
第一柵極間隔件，形成在第一柵電極的側(cè)壁上并包括上部和下部；
第二柵極間隔件，形成在第二柵電極的側(cè)壁上并包括上部和下部；
下層間絕緣膜，形成在基底上并與第一柵極間隔件的下部和第二柵極間隔件的下部相鄰；以及
上層間絕緣膜，形成在下層間絕緣膜上并與第一柵極間隔件的上部和第二柵極間隔件的上部相鄰，上層間絕緣膜的上表面與第一柵電極的上表面和第二柵電極的上表面位于同一平面上，
其中，第一柵電極的側(cè)壁相對于第一柵電極的底表面的傾斜與第二柵電極的側(cè)壁相對于第二柵電極的底表面的傾斜不同。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一柵電極的寬度隨著距基底的上表面的距離的增大而保持基本上恒定，
其中，第二柵電極的寬度隨著距基底的上表面的距離增大而增大。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一柵電極的寬度隨著距基底的上表面的距離的增大而保持基本上恒定，
其中，第二柵電極的寬度隨著距基底的上表面的距離增大而減小。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置還包括：
第三柵電極，形成在第一區(qū)中的基底上并與第一柵電極相鄰；以及
第四柵電極，形成在第二區(qū)中的基底上并與第二柵電極相鄰，
其中，以第一柵電極的底表面和第三柵電極的底表面為基準(zhǔn)的第一柵電極與第三柵電極之間的間距不同于以第二柵電極的底表面和第四柵電極的底表面為基準(zhǔn)的第二柵電極與第四柵電極之間的間距。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一區(qū)中的下層間絕緣膜的厚度與第二區(qū)中的下層間絕緣膜的厚度不同。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置還包括：
第一鰭型圖案和第二鰭型圖案，從基底突出，
其中，第一柵電極與第一鰭型圖案相交，第二柵電極與第二鰭型圖案相交。
18.一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括：
基底，包括第一區(qū)和第二區(qū)；
第一柵電極，形成在第一區(qū)中并位于基底上；
第二柵電極，形成在第二區(qū)中并位于基底上；
第一柵極間隔件，形成在第一柵電極的側(cè)壁上并包括上部和下部；
第二柵極間隔件，形成在第二柵電極的側(cè)壁上并包括上部和下部；
下層間絕緣膜，形成在基底上并與第一柵極間隔件的下部和第二柵極間隔件的下部疊置；以及
上層間絕緣膜，形成在下層間絕緣膜上并與第一柵極間隔件的上部和第二柵極間隔件的上部疊置，
其中，下層間絕緣膜既不置于上層間絕緣膜與第一柵極間隔件的上部之間，也不置于上層間絕緣膜與第二柵極間隔件的上部之間，
其中，第一區(qū)中的上層間絕緣膜的厚度與下層間絕緣膜的厚度的比小于第二區(qū)中的上層間絕緣膜的厚度與下層間絕緣膜的厚度的比。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體裝置，其中，上層間絕緣膜的應(yīng)力特性與下層間絕緣膜的應(yīng)力特性不同。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一柵電極的側(cè)壁相對于第一柵電極的底表面的傾斜與第二柵電極的側(cè)壁相對于第二柵電極的底表面的傾斜不同。