1.一種形成插塞的方法，該方法包括：
在襯底上的絕緣夾層圖案中形成開(kāi)口；
在絕緣夾層圖案上形成金屬層以填充開(kāi)口；
在將襯底按壓至第一臺(tái)板上的第一拋光墊上的同時(shí)，在第一時(shí)間段內(nèi)執(zhí)行第一CMP工藝直至暴露出絕緣夾層圖案的頂表面，來(lái)拋光金屬層；
在將襯底按壓至第二臺(tái)板上的第二拋光墊上的同時(shí)，在比第一時(shí)間段更短的第二時(shí)間段內(nèi)執(zhí)行第二CMP工藝，以拋光金屬層和絕緣夾層圖案，從而在絕緣夾層圖案中形成金屬插塞；以及
在保持襯底與第二臺(tái)板上的第二拋光墊間隔開(kāi)的同時(shí)，對(duì)第二拋光墊執(zhí)行第一清潔處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中金屬層由鎢、銅或鋁形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中金屬層由鎢形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中對(duì)第二拋光墊執(zhí)行的第一清潔處理包括在第二拋光墊上提供去離子水。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：
對(duì)第二拋光墊執(zhí)行的第一清潔處理在第三時(shí)間段內(nèi)執(zhí)行，并且
第二時(shí)間段的長(zhǎng)度與第三時(shí)間段的長(zhǎng)度之和實(shí)質(zhì)上等于第一時(shí)間段的長(zhǎng)度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中利用包括研磨顆粒和強(qiáng)酸溶液的漿料來(lái)執(zhí)行第一CMP工藝和第二CMP工藝中的每一個(gè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中研磨顆粒包括硅石、氧化鋁或氧化鈰。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中強(qiáng)酸溶液包括過(guò)氧化氫。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中在第一CMP工藝和第二CMP工藝中的每一個(gè)期間，由于強(qiáng)酸溶液而在金屬層上形成金屬氧化物層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，在執(zhí)行第一CMP工藝之后，還包括：在保持襯底與第一臺(tái)板上的第一拋光墊間隔開(kāi)的同時(shí)，清潔第一拋光墊。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中清潔第一拋光墊包括在第一拋光墊上提供去離子水。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中：
在第四時(shí)間段內(nèi)執(zhí)行清潔第一拋光墊，并且
對(duì)第二拋光墊執(zhí)行第一清潔處理之后，所述方法還包括：在保持襯底與第二臺(tái)板上的第二拋光墊間隔開(kāi)的同時(shí)，在第四時(shí)間段內(nèi)對(duì)第二拋光墊執(zhí)行第二清潔處理。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中插塞相對(duì)于襯底具有正電勢(shì)。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，在絕緣夾層圖案上形成金屬層之前，還包括：在開(kāi)口的內(nèi)壁和絕緣夾層圖案上形成阻擋層，
其中：
金屬層和阻擋層通過(guò)第一CMP工藝被拋光，并且
金屬層、阻擋層和絕緣夾層圖案通過(guò)第二CMP工藝被拋光。
15.一種形成插塞的方法，該方法包括：
在襯底上的絕緣夾層圖案中形成開(kāi)口；
在絕緣夾層圖案上形成金屬層，以使得金屬層填充開(kāi)口；
在將襯底按壓至第一臺(tái)板上的第一拋光墊上的同時(shí)，執(zhí)行第一CMP工藝，以對(duì)金屬層進(jìn)行第一拋光；
在保持襯底與第一臺(tái)板上的第一拋光墊間隔開(kāi)的同時(shí)，清潔第一拋光墊；
在將襯底按壓至第二臺(tái)板上的第二拋光墊上的同時(shí)，執(zhí)行第二CMP工藝直至暴露出絕緣夾層圖案的頂表面，來(lái)對(duì)金屬層進(jìn)行第二拋光；
在保持襯底與第二臺(tái)板上的第二拋光墊間隔開(kāi)的同時(shí)，清潔第二拋光墊；
在將襯底按壓至第三臺(tái)板上的第三拋光墊上的同時(shí)，執(zhí)行第三CMP工藝，以拋光金屬層和絕緣夾層圖案，從而在絕緣夾層圖案中形成金屬插塞；以及
在保持襯底與第三臺(tái)板上的第三拋光墊間隔開(kāi)的同時(shí)，清潔第三拋光墊。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中在實(shí)質(zhì)上相同的時(shí)間內(nèi)執(zhí)行第一CMP工藝、第二CMP工藝和第三CMP工藝。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，在絕緣夾層圖案中形成開(kāi)口之前，還包括：
在襯底上形成抗蝕圖案；
在襯底上形成絕緣夾層，以覆蓋抗蝕圖案，使得襯底與絕緣夾層在抗蝕圖案上的部分的外表面之間的距離大于襯底與絕緣夾層的其它部分的外表面之間的距離；以及
在將襯底按壓至第四臺(tái)板上的第四拋光墊上的同時(shí)，執(zhí)行第四CMP工藝，以拋光絕緣夾層，從而從絕緣夾層形成絕緣夾層圖案。
18.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，該方法包括：
在襯底上形成晶體管；
在襯底上形成第一絕緣夾層，以覆蓋晶體管；
形成穿過(guò)第一絕緣夾層的第一插塞，以電連接至晶體管；
在第一絕緣夾層和第一插塞上形成第二絕緣夾層圖案；
形成穿過(guò)第二絕緣夾層圖案的第一開(kāi)口，以暴露出第一插塞的頂表面；
在第二絕緣夾層圖案上形成第一金屬層，以填充第一開(kāi)口；
在將襯底按壓至第一臺(tái)板上的第一拋光墊上的同時(shí)，在第一時(shí)間段內(nèi)執(zhí)行第一CMP工藝直至暴露出第二絕緣夾層圖案的頂表面，來(lái)拋光第一金屬層；
在將襯底按壓至第二臺(tái)板上的第二拋光墊上的同時(shí)，在比第一時(shí)間段更短的第二時(shí)間段內(nèi)執(zhí)行第二CMP工藝，以拋光金屬層和第二絕緣夾層圖案，從而在第二絕緣夾層圖案中形成第二插塞；以及
在保持襯底與第二臺(tái)板上的第二拋光墊間隔開(kāi)的同時(shí)，清潔第二拋光墊。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中第一金屬層由鎢形成。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中形成穿過(guò)第一絕緣夾層的第一插塞包括：
形成穿過(guò)第一絕緣夾層的第二開(kāi)口，以暴露出襯底的頂表面；
在襯底和第一絕緣夾層上形成第二金屬層，以填充第二開(kāi)口；
在將襯底按壓至第一臺(tái)板上的第一拋光墊上的同時(shí)，在第三時(shí)間段內(nèi)執(zhí)行第三CMP工藝直至暴露出第一絕緣夾層的頂表面，來(lái)拋光第二金屬層；
在將襯底按壓至第二臺(tái)板上的第二拋光墊上的同時(shí)，在比第一時(shí)間段更短的第四時(shí)間段內(nèi)執(zhí)行第四CMP工藝，以拋光第二金屬層和第一絕緣夾層，從而在第一絕緣夾層中形成第一插塞；以及
在保持襯底與第二臺(tái)板上的第二拋光墊間隔開(kāi)的同時(shí)，清潔第二拋光墊。