技術(shù)編號(hào)：12274770
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。形成插塞和制造半導(dǎo)體裝置的方法、拋光室和半導(dǎo)體裝置相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用于2015年8月6日在韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的標(biāo)題為“形成插塞的方法、利用其制造半導(dǎo)體裝置的方法、用于制造半導(dǎo)體裝置的拋光室和半導(dǎo)體裝置”的韓國專利申請(qǐng)No.10-2015-0111094以引用方式整體并入本文中。技術(shù)領(lǐng)域?qū)嵤├婕靶纬刹迦姆椒?、利用其制造半?dǎo)體裝置的方法、用于制造半導(dǎo)體裝置的拋光室和半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)當(dāng)形成鎢接觸插塞時(shí)，可在晶圓上的絕緣夾層中形成開口，可用鎢層填充所述開口，以及可執(zhí)行CMP工藝以對(duì)鎢層和絕緣夾層...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。