技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明實施例提供了FET結(jié)構(gòu)，F(xiàn)ET結(jié)構(gòu)包括具有頂面的第一導電類型的襯底，在頂面上方的第一柵極，在襯底中的第二導電類型的源極和漏極，以及在第一柵極下方的第一溝道。第一導電類型的摻雜劑濃度包括在頂面之下小于200nm處，沿著第一溝道從第一柵極的一端至第一柵極的另一端測量的雙高斯峰。在一些實施例中，F(xiàn)ET結(jié)構(gòu)還包括在頂面上方的第二柵極和在第二柵極下方的第二溝道。第一導電類型的摻雜劑濃度包括在頂面之下小于200nm處，沿著第二溝道從第二柵極的一端至第二柵極的另一端測量的單高斯峰。本發(fā)明實施例涉及場效應晶體管結(jié)構(gòu)及其制造方法。

技術(shù)研發(fā)人員：朱馥鈺;鄭志昌;柳瑞興
受保護的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
文檔號碼：201610597456
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.27
技術(shù)公布日：2017.03.08