本發(fā)明涉及電子元件，并且更具體地說，涉及具有可路由囊封的傳導(dǎo)襯底的半導(dǎo)體封裝及方法。

背景技術(shù)：

一般來說，半導(dǎo)體封裝經(jīng)設(shè)計(jì)以保護(hù)集成電路或芯片免于物理?yè)p害及外部應(yīng)力。并且，半導(dǎo)體封裝可提供熱導(dǎo)路徑以有效地移除半導(dǎo)體芯片中產(chǎn)生的熱，且可進(jìn)一步將電連接提供到其它組件，例如印刷電路板。用于半導(dǎo)體封裝的材料通常包含陶瓷及/或塑料，且封裝技術(shù)已從陶瓷扁平封裝及雙列直插式封裝發(fā)展為引腳柵陣列及無引線芯片載體封裝，以及其它封裝。由于對(duì)小型化和較高性能的經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置的持續(xù)需求，需要較精細(xì)節(jié)距的傳導(dǎo)襯底；尤其是支持各種外部互連結(jié)構(gòu)的傳導(dǎo)襯底。

相應(yīng)地，希望具有形成包含可路由囊封的傳導(dǎo)襯底結(jié)構(gòu)的經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)和方法，所述結(jié)構(gòu)例如可路由的微引線框架結(jié)構(gòu)，其支持對(duì)小型化和較高性能電子裝置的需求。還希望在完成經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置的組裝之前制造可路由囊封的傳導(dǎo)襯底結(jié)構(gòu)或其部分以縮減制造周期時(shí)間。另外，使所述結(jié)構(gòu)及方法支持多個(gè)外部互連結(jié)構(gòu)將更為有益。另外，還希望使所述結(jié)構(gòu)及方法容易地并入到制造流程中并且使兩者具成本效益。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明包含一種經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置及其制造方法，以及其它特征，所述經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置包含具有傳導(dǎo)表面修整層的可路由囊封的傳導(dǎo)襯底(例如，可路由的模制引線框架)。更具體地說，本文中所描述的實(shí)施例促進(jìn)封裝級(jí)傳導(dǎo)圖案的有效路由且在表面修整層與半導(dǎo)體裸片之間提供增強(qiáng)的連接可靠性。對(duì)于可路由囊封的傳導(dǎo)襯底的一個(gè)實(shí)施例，表面修整層可在制造過程的初始階段 形成。在可路由囊封的傳導(dǎo)襯底的另一實(shí)施例中，表面修整層既可在制造過程的初始階段又可在最后階段形成。

在一些實(shí)施例中，傳導(dǎo)球在表面修整層于制造過程的初始階段形成時(shí)直接形成于不具有表面修整層的凸塊墊上、連接到所述凸塊墊或毗鄰所述凸塊墊以提供球柵陣列封裝。另外，當(dāng)表面修整層于可路由囊封的傳導(dǎo)襯底的制造過程的初始及最后階段中各個(gè)階段形成時(shí)，形成于最后階段的表面修整層可用作輸入/輸出終端以提供柵格陣列封裝。

在一些優(yōu)選實(shí)施例中，用于形成可路由的模制引線框架的第一樹脂層及第二樹脂層的材料以及用于形成囊封半導(dǎo)體裸片的封裝體的材料為相同的，或具有相似的熱膨脹系數(shù)以及其它相似材料屬性，進(jìn)而在裝置的制造過程或操作期間有效地抑制翹曲。

更具體地說，在一個(gè)實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體裝置包括第一層壓層，所述第一層壓層包含：第一表面修整層；第一傳導(dǎo)圖案，其包括連接到第一表面修整層的第一部分及與第一表面修整層側(cè)向隔開的第二部分；傳導(dǎo)導(dǎo)通孔，其連接到第一傳導(dǎo)圖案；及第一樹脂層，其覆蓋第一傳導(dǎo)圖案、傳導(dǎo)導(dǎo)通孔，及第一表面修整層的一部分，其中第一表面修整層暴露于第一樹脂層的第一表面中且傳導(dǎo)導(dǎo)通孔暴露于第一樹脂層的第二表面中。第二層壓層鄰近于第一層壓層而安置，且包含連接到傳導(dǎo)導(dǎo)通孔的第二傳導(dǎo)圖案、連接到第二傳導(dǎo)圖案的傳導(dǎo)墊，及覆蓋第一樹脂層、第二傳導(dǎo)圖案及傳導(dǎo)墊的至少一部分的第二樹脂層，其中傳導(dǎo)墊暴露于第二樹脂層的第一表面中。半導(dǎo)體裸片電連接到第一表面修整層，囊封物覆蓋第一層壓層及半導(dǎo)體裸片的至少一部分。

在另一實(shí)施例中，一種經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置包含可路由囊封的傳導(dǎo)襯底，其包括囊封在第一樹脂層內(nèi)的第一傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)、電耦合到第一傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)且囊封在第二樹脂層內(nèi)的第二傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)，及安置在第一傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的至少部分上的第一表面修整層。第一表面修整層暴露于第一樹脂層中且第二傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的至少部分暴露于第二樹脂層中。半導(dǎo)體裸片電連接到第一表面修整層，囊封物囊封半導(dǎo)體裸片及第一表面修整層。

在另一實(shí)施例中，制造半導(dǎo)體裝置的方法包含提供可路由囊封的傳導(dǎo)襯底，可路由囊封的傳導(dǎo)襯底包括囊封在第一樹脂層內(nèi)的第一傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)、電耦合到第 一傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)且囊封在第二樹脂層內(nèi)的第二傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)，及安置在第一傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的至少部分上的第一表面修整層，其中第一表面修整層暴露在第一樹脂層中且第二傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的至少部分暴露在第二樹脂層中。所述方法包含將半導(dǎo)體裸片電連接到第一表面修整層，及形成覆蓋半導(dǎo)體裸片及第一表面修整層的囊封物。

附圖說明

通過參考附圖詳細(xì)描述其示例性實(shí)施例，本發(fā)明的上述以及其它特征將變得更加顯而易見，在附圖中：

為了說明的簡(jiǎn)單和清楚起見，圖中的元件未必按比例繪制，并且相同參考數(shù)字在不同圖中表示相同元件。另外，為了描述的簡(jiǎn)單起見省略眾所周知的步驟和元件的描述和細(xì)節(jié)。如本文中所使用，術(shù)語“及/或”包含相關(guān)聯(lián)的所列項(xiàng)目中的一種或多種的任何及所有組合。另外，本文中所使用的術(shù)語僅僅是出于描述特定實(shí)施例的目的而并不意圖限制本發(fā)明。如本文中所使用，除非上下文另外明確指示，否則單數(shù)形式也意圖包含復(fù)數(shù)形式。將進(jìn)一步理解術(shù)語“包括(comprises/comprising)”及/或“包含(includes/including)”在用于本說明書時(shí)規(guī)定所陳述的特征、數(shù)目、步驟、操作、元件及/或組件的存在，但是并不排除一個(gè)或多個(gè)其它特征、數(shù)目、步驟、操作、元件、組件及/或其群組的存在或添加。將理解，盡管術(shù)語“第一”、“第二”等可在本文中使用以描述各個(gè)部件、元件、區(qū)、層及/或區(qū)段，但這些部件、元件、區(qū)、層及/或區(qū)段應(yīng)不受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于區(qū)分一個(gè)部件、元件、區(qū)、層及/或區(qū)段與另一部件、元件、區(qū)、層及/或區(qū)段。因此，舉例來說，下文論述的第一部件、第一元件、第一區(qū)、第一層及/或第一區(qū)段可被稱為第二部件、第二元件、第二區(qū)、第二層及/或第二區(qū)段而不脫離本發(fā)明的教示。參考“一個(gè)實(shí)施例”或“實(shí)施例”意味著結(jié)合實(shí)施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。因此，在本說明書通篇的各個(gè)位置中短語“在一個(gè)實(shí)施例中”或“在實(shí)施例中”的出現(xiàn)未必全部是指同一實(shí)施例，但是在一些情況下可以指同一實(shí)施例。此外，特定特征、結(jié)構(gòu)或特性可以任何合適方式組合，如在一或多個(gè)實(shí)施例中將對(duì)于所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員是顯而易見的。另外，術(shù)語“在……時(shí)”是指某一動(dòng)作至少出現(xiàn)在起始動(dòng)作的持續(xù)時(shí)間的某一部分內(nèi)。詞語“大約”、“近似”或“基本 上”的使用是指元件的值預(yù)期為接近一種狀態(tài)值或位置。然而，眾所周知，在本領(lǐng)域中總是存在妨礙值或位置恰好如所陳述的一般的輕微變化。除非另外規(guī)定，否則如本文中所使用，詞語“在……上面”或“在……上”包含所規(guī)定的元件可直接或間接物理接觸的定向、放置或關(guān)系。應(yīng)進(jìn)一步理解，下文中所說明及描述的實(shí)施例適當(dāng)?shù)乜删哂袑?shí)施例及/或可在無本文中確切地揭示的任何元件存在的情況下實(shí)踐。

圖1A為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的說明經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置的橫截面圖；

圖1B為說明圖1A的區(qū)的放大橫截面圖；

圖2A為根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的說明經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置的橫截面圖；

圖2B為說明圖2A的區(qū)的放大橫截面圖；

圖2C為根據(jù)替代性實(shí)施例的說明圖2A的區(qū)的放大橫截面圖；

圖3為根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的說明經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置的橫截面圖；

圖4為根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的說明經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置的橫截面圖；

圖5A為說明由(N×M)個(gè)單元構(gòu)成的載體的平面圖；

圖5B為說明由N個(gè)單元構(gòu)成的載體的平面圖；

圖6A到圖6J為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的依序說明經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置的制造方法的橫截面圖；

圖7A到圖7C為根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的依序說明經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置的制造方法的橫截面圖；

圖8A到圖8I為根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的依序說明經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置的制造方法的橫截面圖；且

圖9A到圖9C為根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的依序說明經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置的制造方法的橫截面圖。

具體實(shí)施方式

本申請(qǐng)案主張名為“具有可路由囊封的傳導(dǎo)襯底的半導(dǎo)體封裝及方法(SEMICONDUCTOR PACKAGE HAVING ROUTABLE ENCAPSULATED CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD)”的2016年6月3日在美國(guó)專利局申請(qǐng)的美國(guó)專利申請(qǐng)案第15/173,379號(hào)及2015年9月8日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn) 權(quán)局申請(qǐng)的韓國(guó)專利申請(qǐng)案第10-2015-0126935號(hào)的優(yōu)先權(quán)，且所有權(quán)益是依據(jù)35U.S.C.§119而從所述專利申請(qǐng)案得到，其全部?jī)?nèi)容以引用的方式并入本文中。

圖1A為根據(jù)第一實(shí)施例的說明具有表面修整層的半導(dǎo)體裝置100或經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置100的橫截面圖，且圖1B為說明圖1A的區(qū)的放大橫截面圖。如圖1A中所說明，半導(dǎo)體裝置100包含第一層壓層110或第一囊封層110、第二層壓層120或第二囊封層120、半導(dǎo)體裸片130、傳導(dǎo)連接結(jié)構(gòu)140(例如導(dǎo)線140)、囊封物150或封裝體150、傳導(dǎo)凸塊122或凸塊墊122，及傳導(dǎo)凸塊160。根據(jù)本實(shí)施例，第一層壓層110及第二層壓層120可被稱作可路由的模制引線框架101或可路由囊封的傳導(dǎo)襯底101。

在一個(gè)實(shí)施例中，第一層壓層110包含第一表面修整層111、第一接合層111或第一可線接合修整層111、第一傳導(dǎo)圖案112、導(dǎo)通孔113、傳導(dǎo)導(dǎo)通孔113，或傳導(dǎo)柱113，及第一樹脂層114。在一些實(shí)施例中，第一表面修整層111可為金屬材料，例如鎳/金(Ni/Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、其組合，及其等效物，但本實(shí)施例的方面不限于此。在一個(gè)實(shí)施例中，第一傳導(dǎo)圖案112可安置在第一表面修整層111上或毗鄰所述第一表面修整層111，及/或可與第一表面修整層111隔開而安置。第一傳導(dǎo)圖案112可由金屬制成，例如銅(Cu)及其等效物，但本實(shí)施例的方面不限于此。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)通孔113形成于第一傳導(dǎo)圖案112上、連接到所述第一傳導(dǎo)圖案112，或毗鄰所述第一傳導(dǎo)圖案112，且可相較于第一傳導(dǎo)圖案112具有較小寬度及較大厚度。導(dǎo)通孔113也可由金屬制成，例如銅(Cu)及其等效物，但本實(shí)施例的方面不限于此。第一樹脂層114可覆蓋第一表面修整層111、第一傳導(dǎo)圖案112及導(dǎo)通孔113。然而，第一表面修整層111及第一傳導(dǎo)圖案112的頂部表面可不由第一樹脂層114覆蓋。并且，導(dǎo)通孔113的底部表面可不由第一樹脂層114覆蓋。第一樹脂層114可由聚合物材料制成，例如一或多種聚酰亞胺(PI)、苯并環(huán)丁烯(BCB)、聚苯并惡唑(PBO)、雙馬來酰亞胺三嗪(BT)、酚系樹脂、環(huán)氧模制化合物及其等效物，但本實(shí)施例的方面不限于此。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)通孔113連接到第一傳導(dǎo)圖案112的僅第一部分，從而使第一傳導(dǎo)圖案112的第二部分至少部分地嵌入在第一樹脂層114內(nèi)，如圖1A中大體上所說明。

在一個(gè)實(shí)施例中，第二層壓層120包含第二傳導(dǎo)圖案121、凸塊墊122或傳導(dǎo)墊122，及第二樹脂層123。在一個(gè)實(shí)施例中，第二傳導(dǎo)圖案121可安置在導(dǎo)通孔113上或毗鄰所述導(dǎo)通孔113，且可定位成鄰近于第一樹脂層114的底部表面。在一些實(shí)施例中，第二傳導(dǎo)圖案121可安置在第一樹脂層114的底部表面上或毗鄰所述第一樹脂層114的所述底部表面。另外，第二傳導(dǎo)圖案121可為金屬，例如銅(Cu)及其等效物，但本實(shí)施例的方面不限于此。在一個(gè)實(shí)施例中，凸塊墊122可形成于第二傳導(dǎo)圖案121上，連接到所述第二傳導(dǎo)圖案121，或毗鄰所述第二傳導(dǎo)圖案121，且可相較于第二傳導(dǎo)圖案121具有較小寬度及較大厚度。凸塊墊122也可為金屬，例如銅(Cu)及其等效物，但本實(shí)施例的方面不限于此。第二樹脂層123可覆蓋第一樹脂層114、第二傳導(dǎo)圖案121及凸塊墊122的至少部分。然而，第二傳導(dǎo)圖案121的頂部表面可不由第二樹脂層123覆蓋。并且，凸塊墊122的底部表面可不由第二樹脂層123覆蓋且可暴露于外部。第二樹脂層123可由聚合物材料制成，例如一或多種聚酰亞胺(PI)、苯并環(huán)丁烯(BCB)、聚苯并惡唑(PBO)、雙馬來酰亞胺三嗪(BT)、酚系樹脂、環(huán)氧模制化合物及其等效物，但本實(shí)施例的方面不限于此。

根據(jù)本實(shí)施例，包含第一層壓層110及第二層壓層120的堆疊結(jié)構(gòu)可被稱作可路由囊封的傳導(dǎo)襯底101或可路由的模制引線框架101，所述可路由囊封的傳導(dǎo)襯底101或所述可路由的模制引線框架101可在制造半導(dǎo)體裝置100的過程中作為單個(gè)單元處置。

在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體裸片130連接到可路由的模制引線框架101。在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體裸片130使用(例如)粘附劑135附接到第一層壓層110，且進(jìn)一步電連接到第一層壓層110。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體裸片130可使用導(dǎo)線140電連接到第一表面修整層111。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)線140包括金線，且第一表面修整層111包括鎳/金(Ni/Au)或銀(Ag)。在此實(shí)施例中，導(dǎo)線140及第一表面修整層111可較容易地彼此連接。在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體裸片130可包含電路，其包含(例如)數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、網(wǎng)絡(luò)處理器、功率管理單元、音頻處理器、RF電路、無線基帶芯片上系統(tǒng)(SoC)處理器、傳感器、專用集成電路(ASIC)，及/或所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的其 它有源及/或無源電子裝置。

在一個(gè)實(shí)施例中，囊封物150囊封、覆蓋或模制可路由的模制引線框架101，所述可路由的模制引線框架101包含(例如)半導(dǎo)體裸片130及導(dǎo)線140，以及第一層壓層110的至少部分。在一些實(shí)施例中，囊封物150可覆蓋第一表面修整層111及第一傳導(dǎo)圖案112。囊封物150可為聚合物復(fù)合材料，例如，用于通過模制過程執(zhí)行囊封的環(huán)氧模制化合物、用于通過分配器執(zhí)行囊封的液體囊封部件，或其等效物，但本實(shí)施例的方面不限于此。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，當(dāng)?shù)谝粯渲瑢?14、第二樹脂層123及囊封物150使用同一材料形成時(shí)，其可具有相同熱膨脹系數(shù)，進(jìn)而在半導(dǎo)體裝置100的制造過程或操作期間最小化翹曲。

在一個(gè)實(shí)施例中，傳導(dǎo)凸塊160可連接到凸塊墊122。在一個(gè)實(shí)施例中，傳導(dǎo)凸塊160可熔接或附接到凸塊墊122，所述凸塊墊122不由第二樹脂層123覆蓋。傳導(dǎo)凸塊160可為導(dǎo)柱、具有焊蓋的導(dǎo)柱、傳導(dǎo)球、焊球及其等效物，但本實(shí)施例的方面不限于此。在所說明的實(shí)施例中，傳導(dǎo)凸塊160作為一個(gè)實(shí)例展示為傳導(dǎo)球。

根據(jù)本實(shí)施例，半導(dǎo)體裝置100經(jīng)配置為經(jīng)線接合的可路由的模制引線框架封裝，其經(jīng)進(jìn)一步配置為球柵陣列類型封裝。

根據(jù)本實(shí)施例，包含(例如)第一層壓層110及第二層壓層120的可路由的模制引線框架101及囊封物150的側(cè)表面通過在制造半導(dǎo)體裝置100的過程中分離而經(jīng)配置為彼此共面。在一個(gè)實(shí)施例中，以下各結(jié)構(gòu)的側(cè)表面基本上彼此共面：第一層壓層110的第一樹脂層114、第二層壓層120的第二樹脂層123，及囊封物150。在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，第一層壓層110的第一傳導(dǎo)圖案112不通過第一樹脂層114的側(cè)表面暴露于外部，且第二層壓層120的第二傳導(dǎo)圖案121不通過第二樹脂層123的側(cè)表面暴露于外部。因此，有可能防止第一傳導(dǎo)圖案112及第二傳導(dǎo)圖案121與外部裝置之間的不必要的電短路。另外，因?yàn)榈谝槐砻嫘拚麑?11形成于第一傳導(dǎo)圖案112上，因此導(dǎo)線140可容易地連接到第一表面修整層111。

如圖1B中所說明，在一個(gè)實(shí)施例中，第一表面修整層111的頂部表面基本上與第一樹脂層114的頂部表面共面。然而，與第一表面修整層111水平或 側(cè)向隔開的第一傳導(dǎo)圖案112的頂部表面可低于第一樹脂層114的頂部表面或相對(duì)于所述第一樹脂層114的所述頂部表面凹陷。此外，每個(gè)凸塊墊122的底部表面均高于第二樹脂層123的底部表面或相對(duì)于所述第二樹脂層123的所述底部表面凹陷。換句話說，每個(gè)第一傳導(dǎo)圖案112的頂部表面均在形成于第一樹脂層114中的第一開口114a內(nèi)部凹陷。同樣地，每一凸塊墊122的底部表面均在形成于第二樹脂層123中的第二開口123a內(nèi)部凹陷。

根據(jù)本實(shí)施例，此類配置特征可由制造過程所造成。舉例來說，當(dāng)對(duì)第一樹脂層114執(zhí)行移除步驟(例如研磨及/或蝕刻)時(shí)，第一表面修整層111充當(dāng)掩模，且每個(gè)第一傳導(dǎo)圖案112的頂部表面均可比第一樹脂層114略微多地過度蝕刻以使得第一傳導(dǎo)圖案112中的頂部表面可定位在第一開口114a內(nèi)部或在所述第一開口114a內(nèi)凹陷。另外，當(dāng)對(duì)第二樹脂層123執(zhí)行移除步驟(例如，研磨及/或蝕刻)時(shí)，每個(gè)第二傳導(dǎo)圖案121的底部表面均相對(duì)于第二樹脂層123過度蝕刻，以使得第二傳導(dǎo)圖案121的底部表面可定位在第二開口123a內(nèi)部或在所述第二開口123a內(nèi)凹陷。

因此，根據(jù)本實(shí)施例，形成于第一樹脂層114中的第一開口114a改進(jìn)囊封物150與第一樹脂層114之間的耦合力，且形成于第二樹脂層123中的第二開口123a改進(jìn)傳導(dǎo)凸塊160、凸塊墊122及第二樹脂層123之間的耦合力。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)通孔113及第一傳導(dǎo)圖案112及/或第二傳導(dǎo)圖案121以及凸塊墊122的部分于如在圖1B中大體上所說明的橫截面圖中形成如同“T”的形狀。在一些實(shí)施例中，第一傳導(dǎo)圖案112及導(dǎo)通孔113為第一傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的實(shí)例，且第二傳導(dǎo)圖案121及凸塊墊122為第二傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的實(shí)例。換句話說，第一傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)可包括第一傳導(dǎo)圖案112及導(dǎo)通孔113，且第二傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)可包括第二傳導(dǎo)圖案121及凸塊墊122。

圖2A為根據(jù)另一實(shí)施例的說明具有表面修整層的半導(dǎo)體裝置200或經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置200的橫截面圖；圖2B為說明圖2A的區(qū)的放大橫截面圖；且圖2C為根據(jù)替代性實(shí)施例的說明不具有表面修整層的區(qū)的放大橫截面圖。

如圖2A中所說明，代替使用傳導(dǎo)凸塊，可路由的模制引線框架101可替代地包含形成于第二層壓層120的凸塊墊122上或連接到所述第二層壓層120的所述凸塊墊122的第二表面修整層224或第二接合層224。在一些實(shí)施例中， 第二表面修整層224可包括金屬材料，例如鎳/金(Ni/Au)、銀(Ag)、錫(Sn)、其組合及其等效物，但本發(fā)明的實(shí)施例的方面不限于此。根據(jù)本實(shí)施例，半導(dǎo)體裝置200經(jīng)配置為經(jīng)線接合的可路由的模制引線框架封裝，其經(jīng)進(jìn)一步配置為柵格陣列類型封裝。在另一實(shí)施例中，傳導(dǎo)凸塊可連接到第二表面修整層224。

如圖2B中所說明，在一個(gè)實(shí)施例中，第一表面修整層111的頂部表面基本上與第一樹脂層114的頂部表面共面，且第二表面修整層224的底部表面基本上與第二樹脂層123的底部表面共面。然而，與第一表面修整層111水平或側(cè)向隔開的每個(gè)第一傳導(dǎo)圖案的頂部表面均可低于第一樹脂層114的頂部表面或相對(duì)于所述第一樹脂層114的所述頂部表面凹陷。換句話說，所有第一傳導(dǎo)圖案112的頂部表面在形成于第一樹脂層114中的第一開口114a內(nèi)部凹陷。

根據(jù)本實(shí)施例，此類配置特征可由制造過程所造成。舉例來說，當(dāng)對(duì)第一樹脂層114及/或第二樹脂層123執(zhí)行移除步驟(例如，研磨及/或蝕刻)時(shí)，第一表面修整層111及/或第二樹脂層123充當(dāng)掩模，且第一傳導(dǎo)圖案112的頂部表面可比第一樹脂層114略微多地過度蝕刻，以使得第一傳導(dǎo)圖案112的頂部表面定位在形成于第一樹脂層114中的第一開口114a內(nèi)部或在所述第一開口114a內(nèi)凹陷。

如圖2C中所說明，當(dāng)?shù)谝粋鲗?dǎo)圖案112'上無第一表面修整層形成且凸塊墊122'上無第二表面修整層形成時(shí)，第一傳導(dǎo)圖案112'的頂部表面可定位成低于第一樹脂層114'的頂部表面或相對(duì)于所述第一樹脂層114'的所述頂部表面凹陷，且凸塊墊122'的底部表面可定位成高于第二樹脂層123'的底部表面或相對(duì)于所述第二樹脂層123'的所述底部表面凹陷。在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)在不存在掩模層的情況下對(duì)第一樹脂層114'及/或第二樹脂層123'執(zhí)行移除步驟(例如，研磨及/或蝕刻)時(shí)，第一傳導(dǎo)圖案112'的頂部表面及/或凸塊墊122'的底部表面可相較于第一樹脂層114'及/或第二樹脂層123'過度蝕刻。因此，第一傳導(dǎo)圖案112'定位在第一樹脂層114'的第一開口114a'內(nèi)部或在所述第一樹脂層114'的所述第一開口114a'內(nèi)凹陷，且凸塊墊122'的底部表面定位在第二樹脂層123'的第二開口123a'內(nèi)部或在所述第二樹脂層123'的所述第二開口123a'內(nèi)凹陷。

圖3為根據(jù)另一實(shí)施例的說明具有表面修整層的半導(dǎo)體裝置300或經(jīng)封裝 半導(dǎo)體裝置300的橫截面圖。如圖3中所說明，第一表面修整層311、第一接合層311或第一可線接合修整層311包括金屬材料，例如銀(Ag)，且由銅(Cu)制成的導(dǎo)通孔113可形成于第一表面修整層311上，連接到所述第一表面修整層311，或毗鄰所述第一表面修整層311。根據(jù)本實(shí)施例，在半導(dǎo)體裝置300中，導(dǎo)線140可較容易地接合到由銀(Ag)制成的第一表面修整層311。另外，根據(jù)本實(shí)施例，半導(dǎo)體裝置300經(jīng)配置為經(jīng)線接合的可路由的模制引線框架封裝，其經(jīng)進(jìn)一步配置為球柵陣列類型封裝。此外，根據(jù)本實(shí)施例，第一表面修整層311還可經(jīng)配置為用于半導(dǎo)體裝置300的第一傳導(dǎo)圖案。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)通孔113為第一傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的實(shí)例，且第二傳導(dǎo)圖案121及凸塊墊122為第二傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的實(shí)例。

圖4為根據(jù)又一實(shí)施例的說明具有表面修整層的半導(dǎo)體裝置400或經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置400的橫截面圖。如圖4中所說明，第一表面修整層411、第一接合層411或第一可線接合修整層411可包括金屬材料，例如銅(Cu)，且由銅(Cu)制成的導(dǎo)通孔113可形成于第一表面修整層411上，連接到所述第一表面修整層411，或毗鄰所述第一表面修整層411。根據(jù)本實(shí)施例，因?yàn)榘雽?dǎo)體裸片130不通過線接合直接連接到第一表面修整層411，因此其可通過其它類型的傳導(dǎo)連接結(jié)構(gòu)(例如，微凸塊435)連接到第一表面修整層411。在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體裸片130以倒裝芯片型配置電連接到第一表面修整層411。另外，囊封物150插入在半導(dǎo)體裸片130與第一層壓層110之間，進(jìn)而允許半導(dǎo)體裸片130及第一層壓層110彼此機(jī)械地整合。另外，由金屬材料(例如，鎳/金(Ni/Au)、銀(Ag)或錫(Sn))制成的第二表面修整層224或第二接合層224可形成于凸塊墊122上而非傳導(dǎo)凸塊上。根據(jù)本實(shí)施例，半導(dǎo)體裝置400經(jīng)配置為倒裝芯片可路由的模制引線框架封裝，其經(jīng)進(jìn)一步配置為柵格陣列類型封裝。根據(jù)本實(shí)施例，第一表面修整層411還可經(jīng)配置為用于半導(dǎo)體裝置400的第一傳導(dǎo)圖案。在一替代性實(shí)施例中，傳導(dǎo)凸塊可形成于第二表面修整層224上。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)通孔113為第一傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的實(shí)例，且第二傳導(dǎo)圖案121及凸塊墊122為第二傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的實(shí)例。應(yīng)理解，圖4中用于半導(dǎo)體裸片130的附接配置可用于本文中所描述的任一實(shí)施例中。

圖5A為說明由經(jīng)封裝單元的N×M矩陣或陣列構(gòu)成的載體171的平面圖， 且圖5B為說明由1xM個(gè)單元構(gòu)成的載體172的平面圖。如圖5A中所說明，于其上制造(例如)半導(dǎo)體裝置100到400的載體171形成于由N×M個(gè)單元構(gòu)成的矩陣中。在一個(gè)實(shí)施例中，N及M優(yōu)選地可為大于或等于2的整數(shù)。如上文所描述，由于載體171以矩陣類型形成，因此可大批量地制造根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100到半導(dǎo)體裝置400。如圖5B中所說明，載體172可作為1xM個(gè)單元的條帶形成。在一個(gè)實(shí)施例中，M優(yōu)選地可為大于1的整數(shù)。

圖6A到圖6J為依序說明具有第一表面修整層111的半導(dǎo)體裝置100或經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置100的制造方法的實(shí)施例的橫截面圖。如圖6A到圖6J中所說明，半導(dǎo)體裝置100的制造方法包含以下步驟：提供載體170及形成第一表面修整層111；形成第一傳導(dǎo)圖案112；形成導(dǎo)通孔113；提供第一樹脂層114；首先移除(例如，研磨)第一樹脂層114的一部分；形成第二傳導(dǎo)圖案121；形成凸塊墊122；提供第二樹脂層123；移除載體170；連接半導(dǎo)體裸片130；形成囊封物150；以及形成傳導(dǎo)凸塊160。

如圖6A中所說明，在提供載體170及形成第一表面修整層111的步驟中，制備具有(例如)基本上扁平板狀形狀的載體170，且多個(gè)第一表面修整層111形成于載體170的主表面上或鄰近于所述載體170的所述主表面形成。在一個(gè)實(shí)施例中，載體170可由傳導(dǎo)材料(例如，銅(Cu))、絕緣材料(例如，聚酰亞胺)及/或陶瓷材料(例如，氧化鋁)，或所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的其它材料制成。在載體170由傳導(dǎo)材料制成的一些實(shí)施例中，第一表面修整層111可形成于載體170的表面上，連接到所述載體170的所述表面，或毗鄰所述載體170的所述表面。在載體170由絕緣材料或陶瓷材料制成的其它實(shí)施例中，傳導(dǎo)晶種層(由(例如)鎢或鎢鈦制成)可首先形成，且第一表面修整層111接著可形成于傳導(dǎo)晶種層上，連接到所述傳導(dǎo)晶種層，或毗鄰所述傳導(dǎo)晶種層。另外，第一表面修整層111可通過物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、金屬濺鍍、金屬蒸鍍、電解或無電鍍敷或所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的其它形成技術(shù)形成。根據(jù)本實(shí)施例，第一表面修整層111包括較容易地接合到傳導(dǎo)連接結(jié)構(gòu)(例如，連接線或凸塊)或與所述傳導(dǎo)連接結(jié)構(gòu)形成接合的材料。另外，第一表面修整層111優(yōu)選地包括相對(duì)于第一傳導(dǎo)圖案112選擇性地蝕刻的材料。 在一些實(shí)施例中，第一表面修整層111可由鎳/金(Ni/Au)或銀(Ag)制成，但本實(shí)施例的方面不限于此。在一個(gè)實(shí)施例中，第一表面修整層111具有在從大約0.1微米到15微米的范圍內(nèi)的厚度。

如圖6B中所說明，在形成第一傳導(dǎo)圖案112的步驟中，第一傳導(dǎo)圖案112形成于第一表面修整層111及載體170的表面上，連接到所述第一表面修整層111及所述載體170的表面，或毗鄰所述第一表面修整層111及所述載體170的表面。更具體地說，第一傳導(dǎo)圖案經(jīng)配置為經(jīng)路由的第一傳導(dǎo)圖案112，且可形成于第一表面修整層111及載體170的表面上。第一傳導(dǎo)圖案112可通過PVD、CVD、金屬濺鍍、金屬蒸鍍、電解或無電鍍敷或所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的其它形成技術(shù)形成。另外，第一傳導(dǎo)圖案112可由傳導(dǎo)材料制成，例如銅(Cu)。在一個(gè)實(shí)施例中，第一傳導(dǎo)圖案112具有在從大約3微米到30微米的范圍內(nèi)的厚度。

如圖6C中所說明，在形成導(dǎo)通孔113、傳導(dǎo)導(dǎo)通孔113或傳導(dǎo)柱113的步驟中，形狀為相對(duì)厚的導(dǎo)柱的導(dǎo)通孔113形成于第一傳導(dǎo)圖案112上，連接到所述第一傳導(dǎo)圖案112，或毗鄰所述第一傳導(dǎo)圖案112。導(dǎo)通孔113可通過無電鍍敷及/或電鍍形成且可由銅(Cu)制成。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)通孔113具有在從大約20微米到100微米的范圍內(nèi)的厚度。

如圖6D中所說明，在形成第一樹脂層114的步驟中，第一樹脂層114形成或被涂布到載體170上，進(jìn)而允許第一樹脂層114覆蓋載體170、第一表面修整層111、第一傳導(dǎo)圖案112及導(dǎo)通孔113。在一些實(shí)施例中，第一樹脂層114可通過(例如)旋涂、噴涂或深涂接著通過UV及/或熱固化而形成于載體170上。第一樹脂層114可由聚合物材料制成，例如一或多種聚酰亞胺(PI)、苯并環(huán)丁烯(BCB)、聚苯并惡唑(PBO)、雙馬來酰亞胺三嗪(BT)、酚系樹脂、環(huán)氧模制化合物及其等效物，但本實(shí)施例的方面不限于此。在一個(gè)實(shí)施例中，第一樹脂層114與囊封物150相似可由普通環(huán)氧模制化合物制成。在此實(shí)施例中，第一樹脂層114可通過壓縮模塑或傳遞模塑形成。

如圖6E中所說明，在第一次移除的步驟中，使用(例如)研磨及/或蝕刻工藝部分地移除第一樹脂層114直到導(dǎo)通孔113暴露于第一樹脂層114外部為止。以此方式，導(dǎo)通孔113的頂部表面變得基本上與第一樹脂層114的頂部表 面共面。

根據(jù)本實(shí)施例，第一表面修整層111、第一傳導(dǎo)圖案112、導(dǎo)通孔113及第一樹脂層114可集體地界定為第一層壓層110。

如圖6F中所說明，在形成第二傳導(dǎo)圖案121的步驟中，第二傳導(dǎo)圖案121形成于通過第一樹脂層114暴露于外部的導(dǎo)通孔113上，毗鄰所述導(dǎo)通孔113，或連接到所述導(dǎo)通孔113。在一個(gè)實(shí)施例中，第二傳導(dǎo)圖案121于第二樹脂層123上路由同時(shí)電連接到導(dǎo)通孔113。第二傳導(dǎo)圖案121可通過PVD、CVD、金屬濺鍍、金屬蒸鍍、電解或無電鍍敷或所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的其它形成技術(shù)形成。另外，第二傳導(dǎo)圖案121可由傳導(dǎo)材料制成，例如銅(Cu)。在一個(gè)實(shí)施例中，第二傳導(dǎo)圖案121具有在從大約3微米到15微米的范圍內(nèi)的厚度。

如圖6G中所說明，在形成凸塊墊122的步驟中，凸塊墊122形成于第二傳導(dǎo)圖案121上，連接到所述第二傳導(dǎo)圖案121，或毗鄰或連接到所述第二傳導(dǎo)圖案121。凸塊墊122可通過PVD、CVD、金屬濺鍍、金屬蒸鍍、電解或無電鍍敷或所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的其它形成技術(shù)形成。另外，凸塊墊122可由傳導(dǎo)材料制成，例如銅(Cu)。在一個(gè)實(shí)施例中，凸塊墊122具有在從大約20微米到100微米的范圍內(nèi)的厚度。

如圖6H中所說明，在形成第二樹脂層123的步驟中，第二樹脂層123形成或被涂布到第一層壓層110上，進(jìn)而允許第二樹脂層123覆蓋第一樹脂層114、第二傳導(dǎo)圖案121及凸塊墊122。在一些實(shí)施例中，第二樹脂層123可以與第一樹脂層114相同的方法且使用與第一樹脂層114相同的材料涂布。另外，在涂布以及固化第二樹脂層123之后，可進(jìn)一步執(zhí)行第二次移除步驟。在第二次移除步驟中，使用(例如)研磨及/或蝕刻工藝部分地移除第二樹脂層123直到凸塊墊122暴露于第二樹脂層123外部為止。以此方式，凸塊墊122的頂部表面變得基本上與第二樹脂層123的頂部表面共面。在一個(gè)實(shí)施例中，如果凸塊墊122上無掩模層形成，那么凸塊墊122的表面在如圖1B中所說明的蝕刻工藝之后定位在第二樹脂層123的第二開口內(nèi)部或在所述第二樹脂層123的所述第二開口內(nèi)部凹陷。

根據(jù)本實(shí)施例，第二傳導(dǎo)圖案121、凸塊墊122及第二樹脂層123可集體 地界定為第二層壓層120。另外，第一層壓層110及第二層壓層120可集體地界定為可路由的模制引線框架101。

如圖6I中所說明，在移除載體170的步驟中，從第一層壓層110移除載體170。更具體地說，從第一表面修整層111、第一傳導(dǎo)圖案112及第一樹脂層114移除載體170，進(jìn)而允許第一表面修整層111、第一傳導(dǎo)圖案112及第一樹脂層114暴露于外部。在一個(gè)實(shí)施例中，可使用研磨及/或蝕刻工藝移除載體170。在一個(gè)實(shí)施例中，不具有第一表面修整層111的第一傳導(dǎo)圖案112的表面可過度蝕刻以定位在如圖1B中所說明的第一樹脂層114的第一開口內(nèi)部或在所述第一樹脂層114的所述第一開口內(nèi)凹陷。

如圖6J中所說明，在連接半導(dǎo)體裸片130、形成囊封物150及形成傳導(dǎo)凸塊160的步驟中，半導(dǎo)體裸片130可使用(例如)粘附劑135附接到第一層壓層110。并且，半導(dǎo)體裸片130可使用傳導(dǎo)連接結(jié)構(gòu)(例如，導(dǎo)線140)電連接到第一表面修整層111。接下來，半導(dǎo)體裸片130及導(dǎo)線140使用囊封物150加以囊封。囊封物150可為聚合物復(fù)合材料，例如，用于通過模制過程執(zhí)行囊封的環(huán)氧模制化合物、用于通過分配器執(zhí)行囊封的液體囊封部件，或其等效物，但本實(shí)施例的方面不限于此。在一個(gè)實(shí)施例中，傳導(dǎo)凸塊160形成于通過第二層壓層120暴露于外部的凸塊墊122上或連接到所述凸塊墊122。傳導(dǎo)凸塊160可選自由以下組成的群組：導(dǎo)柱、具有焊蓋的導(dǎo)柱、傳導(dǎo)球、焊球，及其等效物，但本實(shí)施例的方面不限于此。在圖6J的所說明的實(shí)施例中，傳導(dǎo)凸塊160作為一實(shí)例實(shí)施例展示為傳導(dǎo)球。

另外，如上文所描述，由于本實(shí)施例的過程可以N×M矩陣或1xM個(gè)條帶的形式執(zhí)行，因此可接著執(zhí)行分離過程(例如，鋸切過程)以產(chǎn)生個(gè)別半導(dǎo)體裝置100。

根據(jù)本實(shí)施例，提供用于制造半導(dǎo)體裝置100的制造方法，其中第一表面修整層111首先形成且結(jié)構(gòu)及組件的其余部分可隨后形成。具體地說，本實(shí)施例提供經(jīng)線接合的可路由的模制引線框架球柵陣列類型封裝。

圖7A到圖7C為依序說明用于具有第二表面修整層224的半導(dǎo)體裝置200或經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置200的制造方法的實(shí)施例的橫截面圖。在本實(shí)施例中，可使用結(jié)合圖6A到圖6H說明的制造步驟，且將不在此處再次重復(fù)其細(xì)節(jié)。

如圖7A中所說明，在形成(例如，涂布以及固化)第二樹脂層123以及部分地移除(例如，研磨及/或蝕刻)第二樹脂層123的步驟之后，第二表面修整層224可進(jìn)一步形成于通過第二樹脂層123暴露于外部的凸塊墊122上，連接到所述凸塊墊122，或毗鄰所述凸塊墊122。在一個(gè)實(shí)施例中，第二表面修整層224可通過PVD、CVD、金屬濺鍍、金屬蒸鍍、電解或無電鍍敷或所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的其它形成技術(shù)形成。根據(jù)本實(shí)施例，第二表面修整層224包括較容易地接合到安置在組裝的下一級(jí)上的傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(例如，印刷電路板)或與所述傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)形成接合。在一些實(shí)施例中，第二表面修整層224可由鎳/金(Ni/Au)、銀(Ag)、錫(Sn)及其等效物制成，但本實(shí)施例的方面不限于此。

如圖7B中所說明，由于移除載體170，因此提供可路由的模制引線框架101，所述可路由的模制引線框架101具有通過第一層壓層110暴露于外部的第一表面修整層111及第一傳導(dǎo)圖案112，以及通過第二層壓層120暴露于外部的第二表面修整層224。根據(jù)本實(shí)施例，第一表面修整層111在可路由的模制引線框架101的制造過程的初始階段形成，且第二表面修整層224在可路由的模制引線框架101的制造過程的最后階段形成。

如圖7C中所說明，半導(dǎo)體裸片130使用(例如)粘附劑135附接到可路由的模制引線框架101，且半導(dǎo)體裸片130由傳導(dǎo)連接結(jié)構(gòu)(例如，導(dǎo)線140)電連接到第一表面修整層111。另外，半導(dǎo)體裸片130及導(dǎo)線140可使用如先前所描述的囊封物150加以囊封或模制。

根據(jù)本實(shí)施例，傳導(dǎo)凸塊可不包含在凸塊墊122上，且先前形成的第二表面修整層224暴露于外部。因此，本實(shí)施例提供經(jīng)線接合的可路由的模制引線框架柵格陣列封裝。在一替代性實(shí)施例中，傳導(dǎo)凸塊也可形成于第二表面修整層224上。

圖8A到圖8I為根據(jù)另一實(shí)施例的依序說明具有表面修整層的半導(dǎo)體裝置300或經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置300的制造方法的橫截面圖。如圖8A到圖8I中所說明，半導(dǎo)體裝置300的制造方法可包含以下步驟：提供載體170及形成第一表面修整層311；形成導(dǎo)通孔113；提供第一樹脂層114；首先移除(例如，研磨)；形成第二傳導(dǎo)圖案121；形成凸塊墊122；提供第二樹脂層123；移除載 體170；連接半導(dǎo)體裸片130；形成囊封物150；以及形成傳導(dǎo)凸塊160。

如圖8A中所說明，在提供載體170及形成第一表面修整層111的步驟中，制備如先前所描述的載體170，且第一表面修整層311形成于載體170上。在一個(gè)實(shí)施例中，第一表面修整層311可基本上充當(dāng)?shù)谝粋鲗?dǎo)圖案。根據(jù)本實(shí)施例，第一表面修整層311包括較容易地接合到傳導(dǎo)連接結(jié)構(gòu)(例如，連接線或凸塊)或與所述傳導(dǎo)連接結(jié)構(gòu)形成接合的材料。在一些實(shí)施例中，第一表面修整層311可由銀(Ag)制成。另外，第一表面修整層311可通過PVD、CVD、金屬濺鍍、金屬蒸鍍、電解或無電鍍敷或所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的其它形成技術(shù)形成。在一個(gè)實(shí)施例中，第一表面修整層311具有在從大約3微米到15000微米的范圍內(nèi)的厚度。

如圖8B中所說明，在形成導(dǎo)通孔113的步驟中，形狀為相對(duì)厚的導(dǎo)柱的導(dǎo)通孔113形成于第一表面修整層311上，連接到所述第一表面修整層311，或毗鄰所述第一表面修整層311。導(dǎo)通孔113可由銅(Cu)制成且如先前所描述而形成。

如圖8C中所說明，在提供第一樹脂層114的步驟中，第一樹脂層114形成或被涂布到如先前所描述的載體170上，進(jìn)而允許第一樹脂層114覆蓋載體170、第一表面修整層311及導(dǎo)通孔113。

如圖8D中所說明，在第一次移除的步驟中，使用(例如)研磨及/或蝕刻工藝部分地移除第一樹脂層114直到導(dǎo)通孔113暴露于第一樹脂層114外部為止。根據(jù)本實(shí)施例，第一表面修整層311、導(dǎo)通孔113及第一樹脂層114可集體地界定為第一層壓層110。

如圖8E中所說明，在形成第二傳導(dǎo)圖案121的步驟中，第二傳導(dǎo)圖案121形成于通過第一樹脂層114暴露于外部的導(dǎo)通孔113上，連接到所述導(dǎo)通孔113，或毗鄰所述導(dǎo)通孔113。根據(jù)本實(shí)施例，第二傳導(dǎo)圖案121于第二樹脂層123上路由同時(shí)電連接到導(dǎo)通孔113。第二傳導(dǎo)圖案121可如先前所描述而形成且可由銅(Cu)或所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的其它材料制成。

如圖8F中所說明，在形成凸塊墊122的步驟中，凸塊墊122形成于第二傳導(dǎo)圖案121上或連接到所述第二傳導(dǎo)圖案121。凸塊墊122可如先前所描述而形成且可由銅(Cu)或所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的其它材料制成。

如圖8G中所說明，在提供第二樹脂層123的步驟中，第二樹脂層123形成或被涂布到第一層壓層110上，進(jìn)而安置第二樹脂層123以覆蓋第一樹脂層114、第二傳導(dǎo)圖案121及凸塊墊122。另外，在涂布以及固化第二樹脂層123之后，可進(jìn)一步執(zhí)行第二次移除步驟。在第二次移除步驟中，使用(例如)研磨及/或蝕刻工藝部分地移除第二樹脂層123直到凸塊墊122暴露于第二樹脂層123外部為止。在一個(gè)實(shí)施例中，如果凸塊墊122上無掩模層形成，那么凸塊墊122的表面可在蝕刻步驟之后定位在第二樹脂層123的第二開口內(nèi)部或在所述第二樹脂層123的所述第二開口內(nèi)凹陷。

根據(jù)本實(shí)施例，第二傳導(dǎo)圖案121、凸塊墊122及第二樹脂層123可集體地界定為第二層壓層120。

如圖8H中所說明，在移除載體170的步驟中，從第一層壓層110移除載體170。更具體地說，從第一表面修整層311及第一樹脂層114移除載體170，進(jìn)而允許第一表面修整層311及第一樹脂層114暴露于外部。在一個(gè)實(shí)施例中，可使用研磨及/或蝕刻工藝移除載體170。根據(jù)本實(shí)施例，包含銀(Ag)的第一表面修整層311充當(dāng)掩模，第一表面修整層311的表面變得基本上與第一樹脂層114的表面共面。

如圖8I中所說明，在連接半導(dǎo)體裸片130、形成囊封物150及形成傳導(dǎo)凸塊160的步驟中，半導(dǎo)體裸片130可使用(例如)粘附劑135附接到第一層壓層110。并且，半導(dǎo)體裸片130使用傳導(dǎo)連接結(jié)構(gòu)(例如，導(dǎo)線140)電連接到第一表面修整層311。接下來，半導(dǎo)體裸片130及導(dǎo)線140使用如先前所描述的囊封物150加以囊封。在一個(gè)實(shí)施例中，傳導(dǎo)凸塊160形成于通過第二層壓層120暴露于外部的凸塊墊122上或連接到所述凸塊墊122。

如上文所描述，本實(shí)施例提供半導(dǎo)體裝置300的制造方法，其中可包括銀(Ag)的第一表面修整層311首先形成且結(jié)構(gòu)及組件的其余部分可隨后形成。另外，本實(shí)施例提供經(jīng)線接合的可路由的模制引線框架球柵陣列封裝。

圖9A到圖9C為根據(jù)又一實(shí)施例的依序說明具有表面修整層的半導(dǎo)體裝置400或經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置400的制造方法的橫截面圖。在本實(shí)施例中，可使用結(jié)合圖8A到圖8G說明的制造步驟，且將不在此處再次重復(fù)其細(xì)節(jié)。然而，半導(dǎo)體裝置400的制造方法不同于半導(dǎo)體裝置300的制造方法。確切地說，第 一表面修整層411由不同材料制成。在一個(gè)實(shí)施例中，第一表面修整層411由銅(Cu)而不是銀(Ag)制成。

如圖9A中所說明，在形成及固化第二樹脂層123以及研磨及/或蝕刻第二樹脂層123的步驟之后，第二表面修整層224可進(jìn)一步形成于暴露于第二樹脂層123外部的凸塊墊122上或連接到所述凸塊墊122。在一個(gè)實(shí)施例中，第二表面修整層224可如先前所描述而制成且可包括鎳/金(Ni/Au)、銀(Ag)、錫(Sn)及其等效物中的一種或多種，但本實(shí)施例的方面不限于此。

如圖9B中所說明，在移除載體170之后，提供可路由的模制引線框架101，其包含具有以下各結(jié)構(gòu)的引線框架101：通過第一層壓層110暴露于外部的第一表面修整層411(如上文所描述，其還充當(dāng)傳導(dǎo)圖案)；以及通過第二層壓層120暴露于外部的第二表面修整層224。根據(jù)本實(shí)施例，第一表面修整層411在可路由的模制引線框架101的制造過程的初始階段形成，且第二表面修整層224在可路由的模制引線框架101的制造過程的最后階段形成。

如圖9C中所說明，半導(dǎo)體裸片130定位于可路由的模制引線框架101上且由傳導(dǎo)凸塊結(jié)構(gòu)(例如，微凸塊435)電連接到由銅(Cu)制成的第一表面修整層411。更具體地說，在可路由的模制引線框架101中，半導(dǎo)體裸片130以倒裝芯片型配置連接到第一層壓層110的第一表面修整層411。在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體裸片130及微凸塊435使用如先前所描述的囊封物150加以囊封。

在一些實(shí)施例中，傳導(dǎo)凸塊并不分離地形成于凸塊墊122上，且先前形成的第二表面修整層224暴露于外部。因此，本實(shí)施例提供倒裝芯片可路由的模制引線框架柵格陣列封裝。在一替代性實(shí)施例中，傳導(dǎo)凸塊還可形成于第二表面修整層224上。

根據(jù)所有上述內(nèi)容，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可確定，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體裝置包含：第一層壓層，其包含第一表面修整層、連接到第一表面修整層或與第一表面修整層隔開的第一傳導(dǎo)圖案、形成于第一傳導(dǎo)圖案上的導(dǎo)通孔，及覆蓋第一表面修整層、第一傳導(dǎo)圖案及導(dǎo)通孔的第一樹脂層；第二層壓層，其包含形成于導(dǎo)通孔中的第二傳導(dǎo)圖案、形成于第二傳導(dǎo)圖案上的凸塊墊，及覆蓋第一樹脂層、第二傳導(dǎo)圖案及凸塊墊的第二樹脂層；半導(dǎo)體裸片，其連接到第一層壓層的第一表面修整層；及囊封物，其覆蓋第一層壓層及半導(dǎo)體裸片。

根據(jù)所有上述內(nèi)容，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可確定，根據(jù)另一實(shí)施例，半導(dǎo)體裝置的制造方法包含：在載體上形成第一表面修整層；在載體及第一表面修整層上形成第一傳導(dǎo)圖案；在第一傳導(dǎo)圖案上形成導(dǎo)通孔且在載體、第一表面修整層、第一傳導(dǎo)圖案及導(dǎo)通孔上涂布第一樹脂層；在導(dǎo)通孔上形成第二傳導(dǎo)圖案及凸塊墊且在第一樹脂層、第二傳導(dǎo)圖案及凸塊墊上涂布第二樹脂層；從第一表面修整層、第一傳導(dǎo)圖案及第一樹脂層移除載體；以及將半導(dǎo)體裸片連接到第一表面修整層且使用囊封物囊封半導(dǎo)體裸片。

根據(jù)所有上述內(nèi)容，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可確定，根據(jù)另一實(shí)施例，經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置可進(jìn)一步包括連接到第二傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)且暴露于第二樹脂層外部的第二表面修整層，其中第一表面修整層包括鎳/金(Ni/Au)、銀(Ag)或銅(Cu)中的一種或多種；且第二表面修整層包括鎳/金(Ni/Au)、銀(Ag)或錫(Sn)中的一種或多種。在經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置的另一實(shí)施例中，半導(dǎo)體裸片可通過傳導(dǎo)凸塊以倒裝芯片配置電耦合到第一表面修整層。在經(jīng)封裝半導(dǎo)體裝置的又一實(shí)施例中，半導(dǎo)體裸片附接到可路由囊封的傳導(dǎo)襯底且通過連接線電耦合到第一表面修整層。

根據(jù)所有上述內(nèi)容，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可確定，根據(jù)另一實(shí)施例，在制造具有可路由囊封的傳導(dǎo)襯底的半導(dǎo)體裝置的方法中，提供可路由囊封的傳導(dǎo)襯底可包括提供包括銅的第一表面修整層；且電耦合半導(dǎo)體裸片可包括以倒裝芯片配置與傳導(dǎo)凸塊耦合。在另一實(shí)施例中，電耦合半導(dǎo)體裸片可包括以倒裝芯片配置與傳導(dǎo)凸塊耦合。

鑒于所有上述內(nèi)容，顯而易見，已揭示制造使用可路由囊封的傳導(dǎo)襯底以及結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝的新穎方法。包含可路由囊封的傳導(dǎo)襯底以及其它特征包含囊封在第一樹脂層內(nèi)的第一傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)、囊封在第二樹脂層內(nèi)的第二傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)，及安置在第一傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的至少部分上的表面修整層。表面修整層暴露在第一樹脂層中，第一傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)電連接到第二傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)，且第二傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的至少部分暴露于第二樹脂層外部。半導(dǎo)體裸片電耦合到表面修整層，且囊封物覆蓋半導(dǎo)體裸片及第一表面修整層?？陕酚赡曳獾膫鲗?dǎo)襯底促進(jìn)封裝級(jí)嵌入式傳導(dǎo)圖案的有效路由，且表面修整層在可路由囊封的傳導(dǎo)襯底與半導(dǎo)體裸片之間提供增強(qiáng)的連接可靠性。另外，可路由囊封的傳導(dǎo)襯底支持對(duì)小型化及較高性能的電子 裝置的需求，針對(duì)組裝的下一級(jí)支持各種互連方案，可在進(jìn)一步組裝步驟之前制造以縮短制造周期時(shí)間，可容易地并入到制造流程中，且具成本效益。

雖然已特定地參考本發(fā)明的示例性實(shí)施例展示且描述了本發(fā)明，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，可進(jìn)行形式及細(xì)節(jié)上的多種改變，而不脫離所附權(quán)利要求書所界定的本發(fā)明的精神及范圍。

如所附權(quán)利要求書所反映，本發(fā)明的方面可在于單個(gè)前述揭示的實(shí)施例的不到全部的特征。因此，所附權(quán)利要求書在此明確地并入到此具體實(shí)施方式中，其中每一權(quán)利要求本身獨(dú)立地作為本發(fā)明的單獨(dú)實(shí)施例。此外，雖然本文中所描述的一些實(shí)施例包含其它實(shí)施例中所包含的一些但非全部其它特征，但如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，不同實(shí)施例的特征的組合意圖在本發(fā)明的范圍內(nèi)且意圖形成不同的實(shí)施例。