技術(shù)特征：

1.一種石墨烯-鈣鈦礦復(fù)合結(jié)構(gòu)的光探測器，包括襯底，其特征在于：所述襯底上敷設(shè)有石墨烯層，所述石墨烯層上設(shè)置有電極；還包括敷設(shè)在石墨烯層上的鈣鈦礦材料層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種石墨烯-鈣鈦礦復(fù)合結(jié)構(gòu)的光探測器，其特征在于：所述石墨烯層由二維石墨烯或者三維石墨烯墻制成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種石墨烯-鈣鈦礦復(fù)合結(jié)構(gòu)的光探測器，其特征在于：所述鈣鈦礦材料為甲基鹵化物鈣鈦礦，并同時包括多種鹵素元素的混晶；甲基鹵化物化學(xué)式為CH₃NH₃PbX₃，其中X為鹵族元素Cl、Br、I中的一種或者幾種。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種石墨烯-鈣鈦礦復(fù)合結(jié)構(gòu)的光探測器，其特征在于：所述鈣鈦礦材料中甲基鹵化物為CH₃NH₃Pb(Cl_xBr_yI_z)₃，其中x+y+z=1。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種石墨烯-鈣鈦礦復(fù)合結(jié)構(gòu)的光探測器，其特征在于：所述電極為雙層結(jié)構(gòu)，其上層為40-200nm的Au層，下層為5-50nm的Cr層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種石墨烯-鈣鈦礦復(fù)合結(jié)構(gòu)的光探測器，其特征在于：所述基底為P型硅摻雜硼，其上表面覆蓋有SiO₂層。

7.一種制備復(fù)合結(jié)構(gòu)光探測器的方法，其特征在于包括以下步驟：

步驟1.將制備好的石墨烯轉(zhuǎn)移至基底上；

步驟2.在石墨烯上制作電極；

步驟3. 在石墨烯上制備鈣鈦礦薄膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種制備復(fù)合結(jié)構(gòu)光探測器的方法，其特征在于：步驟3中制備鈣鈦礦薄膜的步驟為：

步驟A.將甲基鹵化物與鹵化鉛在丁內(nèi)酯溶液中混合；

步驟B.退火攪拌，得到鈣鈦礦溶液；

步驟C.將步驟B中得到的鈣鈦礦溶液旋涂于步驟2中制備好的石墨烯上。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種制備復(fù)合結(jié)構(gòu)光探測器的方法，其特征在于：在石墨烯層上形成帶電極的石墨烯條帶。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種制備復(fù)合結(jié)構(gòu)光探測器的方法，其特征在于：在步驟3之后在鈣鈦礦層形成像素點陣。