技術總結
本發(fā)明公開了一種高功率異面電極嵌入式臺面型光導開關及其制作方法。該光導開關，包括摻釩碳化硅襯底(1)和一對歐姆接觸電極(5,6)，其中摻釩碳化硅襯底(1)的一邊為45°±2°的斜邊，作為傾斜入射臺面(2)；該摻釩碳化硅襯底(1)的上表面和斜邊表面淀積有上氮化硅層(7)，摻釩碳化硅襯底(1)的下表面淀積下氮化硅層(8)，用于減少入射光在表面的反射，增加器件的耐壓能力；該摻釩碳化硅襯底(1)的上部開有上凹槽(3)，摻釩碳化硅襯底(1)的下部開有下凹槽(4)，一對歐姆接觸電極(5,6)分別嵌在這兩個凹槽中。本發(fā)明具有邊緣擊穿少，載流子收集率高等優(yōu)點，可用于高功率脈沖系統中。

技術研發(fā)人員：郭輝;張晨旭;張玉明;楊佳奇
受保護的技術使用者：西安電子科技大學
文檔號碼：201610565310
技術研發(fā)日：2016.07.18
技術公布日：2016.11.30