除了其他的以外，本公開還涉及絕緣體上硅(SOI)基板上的射頻(RF)濾波器。
背景技術(shù)：
：在一些射頻(RF)應用中，通過天線接收或發(fā)射的信號可以通過頻帶選擇開關(guān)和相應的濾波器被路由到不同的放大路徑。在這樣的應用中，所期望的是最小化或減小信號的劣化。技術(shù)實現(xiàn)要素：根據(jù)多個實現(xiàn)方式，本公開涉及射頻(RF)裝置，所述裝置包括：包括第一側(cè)和第二側(cè)以及多個通孔的硅裸芯，每個通孔被配置為提供硅裸芯的第一側(cè)和第二側(cè)之間的電連接。RF裝置還包括安裝在硅裸芯的第一側(cè)上的至少一個RF倒裝芯片。在一些實施例中，硅裸芯的第二側(cè)可以被配置為能夠以倒裝芯片的方式安裝。硅裸芯的第二側(cè)可以包括多個凸點焊料(bumpsolders)，至少一些凸點焊料被電連接到多個通孔中的相應通孔。在一些實施例中，硅裸芯可以包括絕緣體上硅(SOI)基板。SOI基板可以包括置于有源硅層和硅基板(substrate)層之間的絕緣體層。在一些實施例中，硅裸芯可以包括與RF倒裝芯片通信的RF電路。RF電路可以包括開關(guān)電路。RF電路還可以包括用于開關(guān)電路的邏輯電路。RF電路還可以包括無源組件。無源組件可以包括電容、電感和電阻中的一個或多個。在一些實施例中，RF電路還可以包括低噪聲放大器(LNA)電路和功率放大器(PA)電路中的一個或多個。在一些實施例中，RF電路可以包括被配置為將接收的RF信號路由到選擇的低噪聲放大器(LNA)的頻帶選擇電路。在一些實施例中，接收的RF信號可以被路由通過在選擇的LNA之前的濾波器，所述濾波器在RF倒裝芯片中實現(xiàn)。在一些實施例中，接收的RF信號可以被路由通過在選擇的LNA之后的濾波器，所述濾波器在RF倒裝芯片中實現(xiàn)。在一些實施例中，RF電路可以是LNA模塊的一部分。在一些實施例中，RF電路可以是分集接收(RX)模塊的一部分。在一些實施例中，RF電路可以在硅裸芯的第一側(cè)處或附近實現(xiàn)。至少一些通孔可以與RF電路耦接以促成RF電路和在硅裸芯的第二側(cè)上的安裝特征(mountingfeature)之間的電連接。在一些實施例中，RF電路可以在硅裸芯的第二側(cè)處或附近實現(xiàn)。至少一些通孔可以與RF電路耦接以允許RF電路和安裝在硅裸芯的第二側(cè)上的RF倒裝芯片之間的通信。在一些實施例中，RF倒裝芯片可以包括RF濾波器。RF濾波器可以是表面聲波(SAW)濾波器或體聲波(BAW)濾波器。硅裸芯可以包括與SAW濾波器通信的RF電路。RF電路可以包括低噪聲放大器(LNA)。根據(jù)一些教導，本公開涉及用于制造射頻(RF)裝置的方法。所述方法包括形成或提供包括第一側(cè)和第二側(cè)的硅晶片。硅晶片還包括多個通孔，每個通孔被配置為提供硅晶片的第一側(cè)和第二側(cè)之間的電連接。所述方法還包括將多個RF倒裝芯片安裝在硅晶片的第一側(cè)上。所述方法還包括將硅晶片分割為多個裸芯單元，每個裸芯單元包括安裝在第一側(cè)上的至少一個RF倒裝芯片。在一些實現(xiàn)方式中，本公開涉及射頻(RF)模塊，所述射頻(RF)模塊包括被配置為容納多個組件的封裝基板、以及安裝在封裝基板上的晶片級芯片規(guī)模封裝(waferlevelchipscalepackage,WLCSP)。WLCSP具有包括第一側(cè)和第二側(cè)的硅裸芯。硅裸芯還包括多個通孔，每個通孔被配置為提供硅裸芯的第一側(cè)和第二側(cè)之間的電連接。WLCSP還包括安裝在硅裸芯的第一側(cè)上的至少一個RF倒裝芯片。在一些實施例中，硅裸芯可以包括與RF倒裝芯片通信的RF電路。WLCSP可以具有一側(cè)面(lateral)尺寸，該側(cè)面尺寸小于具有帶有類似的RF電路的硅裸芯以及安裝在封裝基板而不是硅裸芯上的類似數(shù)目的RF倒裝芯片的封裝的側(cè)面面積的20％。WLCSP可以具有小于所述封裝的高度的高度。WLCSP的高度可以小于所述封裝的高度的2/3，使得WLCSP的總體積小于封裝的總體積的大約20％。在一些實施例中，RF倒裝芯片可以包括濾波器電路。RF電路可以包括低噪聲放大器(LNA)。RF模塊可以是例如GPS模塊、LNA模塊、或分集接收(RX)模塊。根據(jù)多個實現(xiàn)方式，本公開涉及無線裝置，所述無線裝置包括被配置為接收RF信號的天線、以及與天線通信并被配置為處理接收的RF信號的接收器。無線裝置還包括被配置為將接收的RF從天線路由到接收器的RF模塊。RF模塊包括具有硅裸芯的晶片級芯片規(guī)模封裝(WLCSP)，所述硅裸芯包括第一側(cè)和第二側(cè)。所述硅裸芯還包括多個通孔，每個通孔被配置為提供硅裸芯的第一側(cè)和第二側(cè)之間的電連接。WLCSP還包括安裝在硅裸芯的第一側(cè)上的至少一個RF倒裝芯片。在一些教導中，本公開涉及包括具有第一側(cè)和第二側(cè)的半導體裸芯的裝置。半導體裸芯還包括多個通孔，每個通孔被配置為提供半導體裸芯的第一側(cè)和第二側(cè)之間的電連接。半導體裸芯還包括有源集成電路(IC)。所述裝置還包括安裝在半導體裸芯的第一側(cè)上的倒裝芯片裝置(device)。倒裝芯片裝置包括信號調(diào)節(jié)電路。在一些實施例中，信號調(diào)節(jié)電路可以是無源電路。在一些實施例中，信號調(diào)節(jié)電路可以是濾波器電路。為概括本公開的目的，本發(fā)明的某些方面、優(yōu)點和新穎特征都已在這里描述。將理解的是，不一定所有這些優(yōu)點可以根據(jù)本發(fā)明的任何特定實施例實現(xiàn)。因此，可以以實現(xiàn)或優(yōu)化這里所教導的一個優(yōu)點或一組優(yōu)點，而不一定實現(xiàn)這里可能教導或建議的其它優(yōu)點的方式實施或?qū)嵭斜景l(fā)明。附圖說明圖1示出了安裝在半導體基板上的倒裝芯片裝置。圖2示出了作為諸如射頻(RF)濾波器的濾波器裝置的倒裝芯片裝置、以及作為絕緣體上硅(SOI)基板的半導體基板的示例。圖3示出了圖2的濾波器-SOI裝配(assembly)的更加詳細的示例。圖4示出了圖2的濾波器-SOI裝配的更加詳細的另一示例。圖5A和5B示出了可以實現(xiàn)以制造具有這里所述的一個或多個特征的裝置的示例過程。圖6A和6B示出了可以作為圖5A和5B的過程的更加具體的示例實現(xiàn)以制造SOI基板上的濾波器裝置的示例過程。圖7示出了作為RF應用的示例的用于低噪聲放大器(LNA)的頻帶選擇開關(guān)電路，其中對于所述RF應用可以實現(xiàn)如這里所述的SOI上的濾波器配置。圖8示出了在一些實施例中，在SOI裸芯的一側(cè)上具有一個或多個濾波器并且另一側(cè)被配置為可安裝的的頻帶選擇開關(guān)電路可以提供多個有益特征。圖9示出了如在此處描述的一個或多個特征可以在其中實現(xiàn)的分集接收(RX)架構(gòu)的示例。圖10示出了可以實現(xiàn)用于圖9的架構(gòu)的分集RX模塊的更詳細的示例。圖11示出了在一些實施例中，圖10的分集RX模塊可以以一些或全部濾波器被安裝在單個SOI裸芯的一側(cè)并且另一側(cè)被配置為可安裝的配置來實現(xiàn)。圖12示出了在一些實施例中，圖10的分集RX模塊可以以濾波器被安裝在多個SOI裸芯的一些或全部上的配置來實現(xiàn)。圖13示出了被配置為從數(shù)據(jù)信號的輸入產(chǎn)生定時信號的時鐘恢復電路的示例。圖14示出了圖11的時鐘恢復電路的一些或全部可以以一個或多個濾波器被安裝在半導體裸芯的一側(cè)上并且另一側(cè)被配置為可安裝的的配置來實現(xiàn)。圖15示意性地描述了具有這里所述的一個或多個有益特征的示例無線裝置。具體實施方式這里所提供的標題(如果有)僅是為了方便，而不一定影響所要求保護的發(fā)明的范圍或含義。這里所描述的是與安裝在半導體基板上的一個或多個倒裝芯片裝置有關(guān)的裝置和方法的各種示例。這樣的配置(100)在圖1中描述，其中倒裝芯片裝置102被示出為例如用凸點焊料106安裝在半導體基板104上。圖2示出了更具體的示例配置100，其中，倒裝芯片裝置(圖1中的102)可以是諸如射頻(RF)濾波器的濾波器裝置102；并且其中半導體基板(圖1中的104)可以是絕緣體上硅(SOI)基板104。在這里，在濾波器和SOI基板的上下文中描述各種示例。但是，將理解的是，本公開的一個或多個特征也可以用其它類型的倒裝芯片裝置和/或半導體基板實現(xiàn)。在一些實施例中，也可以使用諸如互補金屬氧化物半導體(CMOS)和硅鍺(SiGe)BiCMOS的半導體基板。在一些實施例中，半導體基板可以包括砷化鎵(GaAs)和其它化合物半導體基板，所述其它化合物半導體基板例如包括GaAs異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)、BiHEMT(例如，HBT和假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)的集成)、GaAsBiHEMT、GaAspHEMT和氮化鎵(GaN)。在一些實施例中，可以使用其它基板，例如包括，石英、聚合物材料、碳化硅、藍寶石、金剛石、鍺等。在一些實施例中，有源電子和/或半導體器件可以在基板或形成在這樣的基板之上的層上或中實現(xiàn)。在一些實施例中(例如，石英)無源器件(例如，電容器、電阻器、電感器等)可以在基板上或中實現(xiàn)。在濾波器的上下文中，倒裝芯片裝置例如可以包括表面聲波(SAW)濾波器、體聲波(BAW)濾波器和薄膜體聲諧振器(FBAR或TFBAR)。此處為了說明的目的，將理解濾波器可以包括諸如雙工器的相關(guān)裝置。如此處描述的，諸如前述示例的濾波器被用來例如將RF信號調(diào)節(jié)至相對于相關(guān)電路的期望的位置。因此，將理解，本公開的一個或多個特征也可以用安裝在諸如SOI基板的半導體基板上的一個或多個信號調(diào)節(jié)倒裝芯片裝置來實現(xiàn)，所述信號調(diào)節(jié)倒裝芯片裝置可以包括或不包括濾波器。圖2示出了在一些實施例中，一個或多個濾波器102可以被倒裝芯片安裝(例如，用凸點焊料106)在SOI基板104上。這樣的濾波器可以安裝在SOI基板的前側(cè)(frontside)或后側(cè)(backside)上。在這里將更加詳細地描述兩種配置的示例。為了說明的目的，前側(cè)可以是形成或提供一個或多個集成電路和/或無源組件的側(cè)；并且后側(cè)可以是相對的側(cè)。在一些實施例中，不具有濾波器102的SOI基板104的側(cè)可以被配置為能夠被倒裝芯片安裝到例如諸如電話板的電路板。在示出的示例中，凸點焊料110可以形成在非濾波器的側(cè)上以允許這樣的倒裝芯片安裝(flip-chipmounting)。導電通孔108可以形成為通過或部分通過SOI基板104從而提供至少一些凸點焊料110與作為SOI基板104的一部分的一個或多個電路之間的電連接。將更加詳細地描述這樣的電路的示例。盡管在這里在凸點焊料的上下文中描述各種倒裝芯片安裝示例，將理解的是，也可以實現(xiàn)其它安裝技術(shù)。例如，可以使用銅柱或具有各向異性導電環(huán)氧樹脂的金凸點等。以前述方式配置的裝置可以允許SOI基板包括諸如RF開關(guān)、低噪聲放大器(LNA)、功率放大器(PA)和/或無源組件(例如，電容器和電感器)的電路；并且還具有倒裝芯片安裝在其上的濾波器。因為濾波器被堆疊在SOI基板上，可以實現(xiàn)多個有益特征。例如，由于一些或全部濾波器可以被放置在SOI基板上而不是在公共面上的SOI基板旁邊，SOI電路和相應的濾波器的總占據(jù)區(qū)域大小可以被大大地減小。此外，SOI基板上的濾波器的倒裝芯片安裝可以顯著地減少電連接特征(例如，金屬跡線(metaltraces))的數(shù)量，從而最小化或減少SOI電路和濾波器之間的信號損耗。除了前述以外，其它益處例如可以包括減小的寄生效應和提高的性能。在圖2的示例中，凸點焊料110和相應的導電通孔108可以允許SOI電路和濾波器被集體地配置并且被封裝為倒裝芯片表面可安裝組件。在一些實施例中，SOI基板可以被配置為能夠以其它方式安裝，包括利用焊線連接的表面安裝。圖3和4示出了圖2的濾波器-SOI裝配100的更加詳細的示例。在圖3的示例配置150中，濾波器102被示出為安裝在SOI基板104的前側(cè)上，其中前側(cè)具有有源硅層160，在所述有源硅層160上形成集成電路(IC)158。絕緣體層162置于有源硅層160和硅基板層164之間以普遍地(generally)形成SOI結(jié)構(gòu)。在圖3中，示例凸點焊料106被示出為提供機械安裝功能以及接觸墊152(在濾波器102上)和154(在SOI基板104上)之間的電連接。接觸墊152可以電連接到濾波器102的濾波電路。類似地，接觸墊154可以電連接到IC158以便將所述濾波電路與IC158電連接。IC158也可以電連接到導體156，所述導體156繼而電連接到穿過基板的導電通孔108。在SOI基板104的后側(cè)，通孔108被示出為電連接到接觸墊166。凸點焊料168可以允許SOI基板104安裝到諸如電路板或封裝基板的另一層172(通過接觸墊170)。相應地，通孔108可以提供IC158和諸如電路的層172上的位置之間的電連接。在一些實施例中，可以期望的是，將通孔108(例如，導電的穿過晶片的通孔(TWV))配置為與基板的導電部分電隔離。例如，在前述SOI基板的上下文中，導電通孔108可以穿過通常是導電基板的硅基板層164。因此，為了將一個通孔與另一個電隔離，可以在通孔108和硅基板層164之間提供絕緣體(例如，SiO2襯墊)。絕緣體層162是絕緣體，并且有源硅層160通常包括能夠隔離各種結(jié)構(gòu)的處理結(jié)構(gòu)；相應地，可以通過這樣的特征提供或促成通孔108的電隔離。在一些實施例中，可能不需要通孔108的電隔離。在圖3的示例中，在SOI基板104前側(cè)上的濾波器102的倒裝芯片安裝允許濾波器102靠近IC158以產(chǎn)生這里所述的有益特征。在一些情況中，可能期望的是，將濾波器(102)放置得遠離IC(158)。例如，可能有優(yōu)選的是在后側(cè)(例如，與有源硅層160相對的側(cè))上具有濾波器(102)的隔離和/或機械設(shè)計考慮。圖4示出了濾波器102安裝在SOI基板104的后側(cè)上的示例配置150，其中前側(cè)具有有源硅層160，其中在所述有源硅層160上形成IC158。絕緣體層162置于有源硅層160和硅基板層164之間以普遍地形成SOI結(jié)構(gòu)。SOI基板104的前側(cè)被示出為安裝到諸如電路板或封裝基板的另一層172(通過接觸墊186、凸點焊料168和接觸墊170)。在前側(cè)上的接觸墊186可以電連接到IC158，使得前述通過凸點焊料168的安裝提供IC158和層172上的位置之間的電連接。在圖4中，示例凸點焊料106被示出為提供機械安裝功能以及濾波器102的接觸墊152和在SOI基板104的后側(cè)上的接觸墊180之間的電連接。接觸墊152可以電連接到濾波器102的濾波電路。類似地，接觸墊180可以通過導電通孔182和在SOI基板104的前側(cè)上的導體184電連接到IC158，從而將濾波電路與IC158電連接。在一些實施例中，諸如通孔182的各種導體特征可以被配置為產(chǎn)生諸如互連電感的期望的性質(zhì)，以提供例如裝置的各個位置之間的RF信號的調(diào)節(jié)。圖5A和5B分別示出了可以實現(xiàn)以制造具有圖1的配置100的裝置的過程200a和200b的示例。參考圖5A和5B，在方框202a和202b兩者中，可以形成或提供半導體基板。在方框204a和204b兩者中，可以在半導體基板上形成集成電路(IC)和/或無源組件。在方框206a和206b兩者中，可以在半導體基板的一側(cè)上形成多個第一接觸特征，其中至少一些第一接觸特征電連接到IC。參考圖5A，在方框208a中，RF裝置可以被倒裝芯片安裝在第一接觸特征上。同樣在圖5A中，在方框210a中，可以在半導體基板的另一側(cè)上形成多個第二接觸特征，其中至少一些第二接觸特征電連接到IC。參考圖5B，在方框208b中，可以在半導體基板的另一側(cè)上形成多個第二接觸特征，其中至少一些第二接觸特征電連接到IC，并且在方框210b中，RF裝置可以被倒裝芯片安裝在第一接觸特征上。圖5A和5B的每個過程還示出了以前述方式制造的裝置可以安裝在諸如電話板的電路板上。例如，在方框212a和212b兩者中，半導體基板可以被倒裝芯片安裝在電路板上。圖6A和6B示出了分別可以作為圖5A和5B的過程200a和200b的更加具體的示例實現(xiàn)以制造多個SOI基板上的濾波器裝置的過程220a和220b的示例。參考圖6A和6B，在方框222a和222b兩者中，可以形成或提供SOI晶片。在方框224a和224b兩者中，可以在SOI晶片上形成多個晶片級芯片規(guī)模單元，其中每個單元具有一個或多個IC和/或一個或多個無源組件。在方框226a和22b6兩者中，可以在SOI晶片的一側(cè)上形成多個第一接觸墊，其中至少一些第一接觸墊電連接到它們相應的IC。參考圖6A，在方框228a中，一個或多個濾波器裝置可以被倒裝芯片安裝在第一接觸墊上，并且在方框230a中，可以在SOI晶片的另一側(cè)上形成多個第二接觸墊，其中至少一些第二接觸墊電連接到它們相應的IC。同樣在圖6A中，在方框232a中，可以在第二接觸墊上形成焊料凸點。參考圖6B，在方框228b中，可以在SOI晶片的另一側(cè)上形成多個第二接觸墊，其中至少一些第二接觸墊電連接到它們相應的IC，并且在方框230b中，可以在第二接觸墊上形成焊料凸點。同樣在圖5B中，在方框232b中，一個或多個濾波器裝置可以被倒裝芯片安裝在第一接觸墊上。在圖6B的示例中，方框232b也可以在方框230b之前被執(zhí)行。在圖6A和6B的每個中，在方框234a和234b中，SOI晶片可以被分割成多個晶片級芯片規(guī)模封裝(WLCSP)單元。圖7-12示出可以實現(xiàn)如這里描述的SOI上濾波器配置的RF應用的示例。圖7示出低噪聲放大器(LNA)的頻帶選擇開關(guān)電路300的示例。在該示例中，第一開關(guān)320的刀(pole)被示出為連接到用于接收RF信號的天線端口(ANT)。第一開關(guān)320的四個示例擲(throw)被示出為允許將RF信號路由到四個不同路徑，其中第一到第三路徑中的每一個包括它相應的濾波器(102a、102b或102c)和LNA(322a、322b或322c)，并且第四路徑是旁路路徑。雖然未在圖7中示出，還可以在LNA(322a、322b、322c)之后提供濾波器。第二開關(guān)324的四個擲被示出為允許將四個不同路徑連接到輸出端口(RFOUT)。用于LNA(322a、322b、322c)的偏置信號以及用于第一和第二開關(guān)(320、324)的邏輯信號被示出為由偏置和邏輯電路326提供?？刂菩盘枴㈦娫措妷汉徒拥乇皇境鰹橥ㄟ^各種端口(例如，DGND、VDD、C1、C2)被提供給偏置和邏輯電路326。類似地，RF地被示出為由RFGND端口促成(facilitate)。在一些實施例中，具有用于第一和第二開關(guān)320、324，LNA322a、322b、322c以及偏置和邏輯326(被描繪為虛線框304的集體功能)的電路的硅裸芯(例如，SOI裸芯)可以以焊線或倒裝芯片配置被安裝在封裝基板上。濾波器102a、102b、102c(被描繪為虛線框302的集體功能)(以及在一些實施例中，LNA(322a、322b、322c)之后的濾波器)還可以被安裝在同一封裝基板上。在這種配置中，具有頻帶選擇開關(guān)電路300的裝置(例如，模塊)的總面積(area)將包括由電路、濾波器和相關(guān)的連接特征(feature)占用的面積。如這里描述的，并且如圖8中所示，在SOI裸芯104的一側(cè)上具有一個或多個濾波器102并且另一側(cè)被配置為可安裝的(例如，利用凸點焊料306的倒裝芯片安裝)的頻帶選擇開關(guān)電路300可以提供許多有利特征，包括電路300的總面積的顯著減少。例如，如果參考圖7描述的前述示例配置(其中在封裝基板上濾波器被安置于硅裸芯旁邊)占用或需要大約3mm(長度)×4mm(寬度)乘0.9mm(高度)的體積，估計以圖8的配置實現(xiàn)的相同電路可以占用或需要大約1.3mm(長度)×1.5mm(寬度)乘以小于0.6mm的高度的減小的體積。在側(cè)面面積(lateralarea)方面，減少的面積約為3mm×4mm示例的16％。在一些實施例中，與和在封裝基板上濾波器被安置于硅裸芯旁邊的配置相關(guān)聯(lián)的側(cè)面面積相比，這種減少的側(cè)面面積可以是例如20％或更少、16％或更少、或13％或更少。在體積方面，減少的體積小于3mm×4mm×0.9mm示例的11％。在一些實施例中，與和在封裝基板上濾波器被安置于硅裸芯旁邊的配置相關(guān)聯(lián)的體積相比，這種減少的體積可以是例如20％或更少、15％或更少、13％或更少、或11％或更少。在圖7的示例頻帶選擇開關(guān)電路300中，由框304集體描繪被實現(xiàn)在硅裸芯上的用于第一和第二開關(guān)320、324，LNA322a、322b、322c以及偏置和邏輯電路326的電路。在圖8的示例中，可以在SOI裸芯104上和/或中實現(xiàn)具有相同功能(被描繪為框304)的一些或全部這樣的電路。圖7的示例中的濾波器102a、102b、102c的功能由框302描述。在圖8的示例中，可以在SOI裸芯104上安裝的一個或多個濾波器102中實現(xiàn)相同功能(被描繪為框302)。在濾波器102a、102b、102c被安裝在與圖7中的硅裸芯相同的封裝基板上的上下文中，可以由基板310表示這種封裝基板。在濾波器102a、102b、102c被安裝在圖8中的SOI裸芯104上的上下文中，SOI裸芯104本身可以用作適合于安裝到電路板的封裝基板；并且相應地，可以由圖7的基板310表示SOI裸芯104。此外，在圖8的示例中，如參考圖7描述的，凸點焊料306可以電連接到與頻帶選擇開關(guān)電路300相關(guān)聯(lián)的各種端口(例如，ANT、RFOUT、RFGND、DGND、VDD、C1、C2)。圖9－12示出其中可以實現(xiàn)本公開的一個或多個特征的另一示例。圖9示出與分集天線352相關(guān)聯(lián)的示例接收(RX)架構(gòu)350。這種接收天線典型地放置為相對遠離主天線；并且主天線和分集天線兩者可以同時是活動的，以例如增大數(shù)據(jù)吞吐量。由于分集天線相對遠的位置，其信號通常被有損耗的信號路徑(例如，圖9的372)衰減。因此，并且如圖9中所示的，分集RX電路360(例如，在模塊中)可以被實現(xiàn)來接近于分集天線352添加增益。因此，由分集天線352接收的RF信號可以作為輸入(經(jīng)過路徑354)提供到分集RX模塊360。分集RX模塊360可以在RF信號經(jīng)由有損耗的信號路徑372被路由到收發(fā)機之前處理RF信號并提供有增益的處理過的RF信號。收發(fā)機可以包括或可以不包括LNA以進一步放大從分集RX模塊360接收的RF信號。在圖9的示例中，與收發(fā)機相關(guān)聯(lián)的LNA(如果有的話)可以被配置為或可以不被配置為包括一個或多個如此處描述的特征。在圖9的示例中，分集RX模塊360可以包括配置為為一個或多個LNA366提供頻帶選擇功能的輸入開關(guān)362和輸出開關(guān)368。用于與分集RX模塊360相關(guān)聯(lián)的各種頻帶的濾波器364可以提供在輸入開關(guān)362和LNA366之間。在圖9的示例分集RX模塊360中，與輸入開關(guān)362、輸出開關(guān)368和LNA366相關(guān)聯(lián)的電路集體地通過框370來描繪。如此處描述的，一些或全部這樣的電路可以實現(xiàn)在一個或多個SOI裸芯上和/或中。還如此處描述的，一些或全部濾波器364可以安裝在這樣的一個或多個SOI裸芯上。圖10示出了可以是圖9的分集RX模塊360的更具體的示例的分集RX模塊360。在圖10的示例中，分集RX模塊360被描繪成被配置為處理兩組頻帶，頻帶1和頻帶2。例如，頻帶1組可以包括高頻帶(HB)頻帶，頻帶2組可以包括中頻帶(MB)頻帶。與這樣的頻帶相關(guān)聯(lián)的濾波和/或雙工功能被示出為由集體地指示為364的濾波器/雙工器102a-102h提供。表1和表2列出了可以在分集RX模塊360中實現(xiàn)的HB和MB頻帶的示例。表1圖10中的濾波器/雙工器頻帶102aB7102bB40102cB41102dB30表2圖10中的濾波器/雙工器頻帶102eB1102fB25102gB3102gB4將理解，分集RX模塊360可以配置為處理其他頻帶。還將理解，分集RX模塊360還可以具有更多或更少組的頻帶(例如多于兩組或少于兩組)在圖10的示例中，與用于頻帶1組的濾波器/雙工器102a-102d相關(guān)聯(lián)的信號的路由可以由分別在濾波器/雙工器102a-102d之前和之后的開關(guān)380、382以及第一LNA388之后的開關(guān)384促成。開關(guān)380可以被配置為提供例如單刀4擲(SP4T)功能，該刀從頻帶1天線接收RF信號。所述4擲可以允許將RF信號路由到濾波器/雙工器102a-102d中所選擇的一個。類似的，開關(guān)382可以被配置為提供例如單刀4擲(SP4T)功能，該刀通過對應匹配網(wǎng)絡(luò)386耦接到第一LNA388。開關(guān)382的4擲可以與開關(guān)380一起操作以從濾波器/雙工器102a-102d中所選擇的一個接收RF信號，以便將濾波的信號路由到第一LNA388。第一LNA388的輸出可以路由到一個或多個輸出路徑。在示例中，示出了三個輸出路徑，可以通過例如將開關(guān)384配置為SP3T開關(guān)促成對這樣的路徑中的一個的選擇。類似的，與用于頻帶2組的濾波器/雙工器102e-102h相關(guān)聯(lián)的信號的路由可以由分別在濾波器/雙工器102e-102h之前和之后的開關(guān)381、383以及第二LNA389之后的開關(guān)385促成。開關(guān)381可以被配置為提供例如單刀5擲(SP5T)功能，該刀從頻帶2天線接收RF信號。所述5擲的4擲可以允許將RF信號路由到濾波器/雙工器102e-102h中所選擇的一個，并且第5擲可以被用來提供旁路路徑390。開關(guān)383可以被配置為提供例如SP4T功能，該刀通過對應匹配網(wǎng)絡(luò)387耦接到第二LNA389。開關(guān)383的4擲可以與開關(guān)381一起操作以從濾波器/雙工器102e-102h中所選擇的一個接收RF信號，以便將濾波的信號路由到第二LNA389。第二LNA389的輸出可以路由到一個或多個輸出路徑。在示例中，示出了三個輸出路徑，可以通過例如將開關(guān)385被配置為SP3T開關(guān)來促成對這樣的路徑中的一個的選擇。在圖10的示例中，與頻帶1組相關(guān)聯(lián)的示例開關(guān)382和384中的每一個被描繪為具有單刀和多個擲。類似的，與頻帶2組相關(guān)聯(lián)的示例開關(guān)383和385中的每一個被描繪為具有單刀和多個擲。將理解，一些或全部這樣的電路可以包括多于一個刀。例如，開關(guān)382和383單獨地或以任意組合可以包括耦接到不同LNA的輸入的多個刀。在另一個示例中，開關(guān)384和385單獨地或以任意組合可以包括允許LNA輸出被路由到一個或多個模塊輸出的多個刀。前述開關(guān)配置可以提供RX架構(gòu)的靈活性。例如，代替對于多個頻帶實現(xiàn)一個LNA，可以利用前述開關(guān)配置實現(xiàn)多個LNA。使用這樣的LNA可以減少每個LNA的頻率覆蓋范圍，并由此提高性能。圖10的分集RX模塊360是本公開的一個或多個特征可以如何以各個模塊實現(xiàn)的示例。將理解，本公開的一個或多個特征也可以以其他類型的模塊來實現(xiàn)。例如，功率放大器(PA)模塊可以受益于此處描述的一個或多個特征。這樣的PA模塊可以具有與圖10的示例類似的架構(gòu)，但是放大方向相反，從而用PA功能代替LNA功能。在另一個示例中，利用例如SOI開關(guān)、無源組件和諧振器(例如SAW諧振器)的任何模塊可以受益于本公開的一個或多個特征。在這樣的模塊中，可以實現(xiàn)其中任何類型的濾波器或諧振器相對于SOI開關(guān)、LNA、PA或任何電路塊(例如在其上方)堆疊的配置。在圖10的示例中，與開關(guān)380、381、382、383、384、385，LNA388、389以及匹配網(wǎng)絡(luò)386、387相關(guān)聯(lián)的電路集體地通過與圖9的框370類似的框370來描繪。如此處描述的，一些或全部這樣的電路可以實現(xiàn)在一個或多個SOI裸芯上和/或中。例如，一些或全部這樣的電路可以實現(xiàn)在單個SOI裸芯104上，如圖11的示例中那樣。在另一個示例中，在濾波器/雙工器364之前的一些或全部電路可以實現(xiàn)在第一SOI裸芯104a上，在濾波器/雙工器364之后的一些或全部電路可以實現(xiàn)在第二SOI裸芯104b上，如圖12的示例中那樣.如此處還描述的，濾波器/雙工器364的一些或全部可以安裝在這樣的一個或多個SOI裸芯上。例如，如果基本上與框370相關(guān)聯(lián)的全部電路都實現(xiàn)在單個SOI裸芯上和/或中，則全部八個濾波器/雙工器102a-102h可以安裝在這樣的單個SOI裸芯上。在另一個示例中，如果與框370相關(guān)聯(lián)的電路實現(xiàn)在第一和第二SOI裸芯上和/或中，則八個濾波器/雙工器102a-102h可以安裝在第一SOI裸芯上、第二SOI裸芯上、或這兩個裸芯上。圖11示出了圖10的分集RX模塊360的示例，其中與框370(圖10中)相關(guān)聯(lián)的電路可以實現(xiàn)在諸如單個SOI裸芯104的單個硅裸芯上和/或中。在圖11中，這樣的電路也集體地通過框370描繪。在圖10的示例中的濾波器/雙工器102a-102h的功能通過框364描繪。在圖11的示例中，相同的功能(描繪為框364)可以在安裝在單個SOI裸芯104上的多個濾波器/雙工器102中實現(xiàn)。圖12示出了圖10的分集RX模塊360的示例，其中與框370(圖10中)相關(guān)聯(lián)的電路可以實現(xiàn)在諸如多個SOI裸芯104a、104b的多個硅裸芯上和/或中。在圖12中，這樣的電路也集體地通過框370a、370b描繪。在圖10的示例中的濾波器/雙工器102a-102h的功能通過框364描繪。在圖12的示例中，相同的功能(描繪為框364a、364b)可以在安裝在對應的SOI裸芯104上的多個濾波器/雙工器102中實現(xiàn)。圖13和14示出其中可以實現(xiàn)本公開的一個或多個特征的再一示例。圖13示出被配置為從數(shù)據(jù)信號的輸入(在節(jié)點510)生成定時信號(在節(jié)點520)的示例時鐘恢復電路500的圖。為了實現(xiàn)這種功能，可以如所示地與包括低通濾波器(LPF)516的濾波器電路502一起配置包括邊沿檢測器512、混頻器514和電壓控制的振蕩器(VCO)518的集成電路(IC)504。圖14示出可以在一個或多個濾波器102被安裝在半導體裸芯104(例如，BiCMOS裸芯)的一側(cè)上并且另一側(cè)被配置為可安裝的(例如利用凸點焊料的倒裝芯片安裝)的配置中實現(xiàn)圖13的時鐘恢復電路500的一些或全部。如這里描述的，圖14的這種配置可以提供許多有利特征，包括電路500的總面積的顯著減少。在圖14的示例時鐘恢復電路500中，可以在半導體裸芯104上實現(xiàn)IC504的一些或全部?？梢栽诎惭b在半導體裸芯104上的濾波器102中的一個或多個中實現(xiàn)濾波器電路502的一些或全部。在這里描述的各種示例中，無源組件可以包括例如電阻器的電阻元件、例如電容器的電容元件、例如電感器的電感元件或它們的任何組合。將理解，也可以在其他類型的RF電路中實現(xiàn)本公開的一個或多個特征。在一些實現(xiàn)方式中，這里參考圖7-14描述的各種示例可以被視為在一個工藝技術(shù)平臺上的完整集成不實際和/或不希望的信號調(diào)節(jié)組件和電路的緊湊組裝。如這里描述的，這種緊湊組裝可以提供與使得一個或多個信號調(diào)節(jié)組件(例如，濾波器)緊鄰一個或多個電路(例如，有源電路)相關(guān)聯(lián)的益處。這種益處可以包括例如最小化所述電路和一個或多個信號調(diào)節(jié)組件之間的信號損耗。在一些實現(xiàn)方式中，具有這里描述的一個或多個特征的裝置和/或電路可以被包括在例如無線裝置的RF裝置中?？梢灾苯釉跓o線裝置中、以如這里所描述的模塊化的形式、或者以其某種結(jié)合實現(xiàn)這樣的裝置和/或電路。在一些實施例中，這種無線裝置可以包括例如被配置為提供無線服務(wù)的基站、蜂窩電話、智能電話、具有或不具有電話功能的手持式無線裝置、無線平板等。圖15示意性地描繪具有這里描述的一個或多個有利特征的示例無線裝置400。在如這里描述的各種配置的上下文中，具有被描繪為300的功能的前端模塊可以是無線裝置的一部分。在一些實施例中，這種前端模塊可以或可以不包括功率放大器(PA)電路418、LNA322和/或偏置/邏輯電路326。在圖7和8的示例配置300的上下文中，可以在前端模塊中實現(xiàn)例如與頻帶選擇開關(guān)320相關(guān)聯(lián)的開關(guān)電路以及與雙工器電路420相關(guān)聯(lián)的濾波器的組件。在一些實施例中，無線裝置400可以包括具有如此處描述的一個或多個特征的分集RX模塊。在示例無線裝置400中，具有多個PA的PA電路418可以向開關(guān)320(通過雙工器420)提供放大的RF信號，并且開關(guān)320可以向天線424路由放大的RF信號。PA電路418可以從收發(fā)器414接收未放大的RF信號，所述收發(fā)器414可以以已知的方式配置和操作。收發(fā)器414還可以被配置為處理接收的信號。這樣的接收的信號可以從天線424通過雙工器420被路由到LNA322?？梢酝ㄟ^偏置/邏輯電路326促成LNA322的各種操作。收發(fā)器414被示出為與基帶子系統(tǒng)410交互，所述基帶子系統(tǒng)410被配置為提供適合于用戶的數(shù)據(jù)和/或語音信號與適合于收發(fā)器414的RF信號之間的轉(zhuǎn)換。收發(fā)器414還被示出為連接到電力管理組件406，所述電力管理組件406被配置為管理用于無線裝置400的操作的電力。這樣的電力管理組件還可以控制基帶子系統(tǒng)410以及前端模塊的操作?；鶐ё酉到y(tǒng)410被示出為連接到用戶接口402以促成提供給用戶和從用戶接收的語音和/或數(shù)據(jù)的各種輸入和輸出。基帶子系統(tǒng)410還可以連接到存儲器404，所述存儲器404被配置為存儲數(shù)據(jù)和/或指令，以促成無線裝置的操作，和/或為用戶提供信息的存儲。多個其它無線裝置配置可以利用這里描述的一個或多個特征。例如，無線裝置不需要是多頻帶裝置。在另一示例中，無線裝置可以包括例如分集天線的附加天線，以及例如Wi-Fi、藍牙以及GPS的附加連接特征。本公開的一個或多個特征可以用如此處描述的各種蜂窩頻帶來實現(xiàn)。這樣的頻帶的示例在表3中列出。將理解，至少一些這樣的頻帶可以劃分為子頻帶。還將理解，本公開的一個或多個特征可以以不具有諸如表3的示例的標示的頻率范圍來實現(xiàn)。表3除非上下文清楚地另外要求，貫穿整個說明書和權(quán)利要求，詞語“包括”和“包含”等應以包含性的含義來解釋，而非排他性或窮舉性的含義；也就是說，以“包括但不限于”的含義來解釋。如這里通常使用的，詞語“耦接”指代可以直接連接或通過一個或多個中間元件連接的兩個或多個元件。此外，當在本申請中使用時，詞語“這里”、“在上面”、“在下面”和類似意思的詞語應指代本申請整體，而非本申請的任何特定部分。當上下文允許時，上面的具體實施方式中的、使用單數(shù)或復數(shù)的詞語也可以分別包括復數(shù)或單數(shù)。在提到兩個或多個項的列表時的詞語“或”，該詞語覆蓋對該詞語的全部下列解釋：列表中的任何項，列表中的全部項以及列表中的項的任何組合。對本發(fā)明的實施例的上面的詳細描述意圖不是窮舉性的或?qū)⒈景l(fā)明限制為上面公開的精確形式。如相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的，雖然為了說明的目的在上面描述了本發(fā)明的具體實施例和示例，在本發(fā)明的范圍內(nèi)各種等效修改是可能的。例如，雖然以給定順序呈現(xiàn)過程或塊，替換實施例可以執(zhí)行具有不同順序的步驟的例程，或采用具有不同順序的塊的系統(tǒng)，并且可以刪除、移動、添加、細分、組合和/或修改一些過程或塊。可以以多種不同方式實現(xiàn)這些過程或塊中的每一個。此外，雖然過程或塊有時被示出為串行執(zhí)行，作為替代，這些過程或塊可以并行執(zhí)行，或可以在不同時間執(zhí)行。這里提供的本發(fā)明的教導可以應用于其他系統(tǒng)，而不一定是上面描述的系統(tǒng)?？梢越M合上面描述的各種實施例的元件和動作以提供進一步的實施例。雖然已描述了本發(fā)明的某些實施例，但是這些實施例僅作為示例呈現(xiàn)，并且意圖不是限制本公開的范圍。實際上，這里描述的新方法和系統(tǒng)可以以各種其他形式實施；此外，可以做出這里描述的方法和系統(tǒng)的形式上的各種省略、替代和改變，而不背離本公開的精神。所附權(quán)利要求及其等效物意圖覆蓋將落入本公開的范圍和精神內(nèi)的這種形式或修改。當前第1頁1 2 3