本發(fā)明的各個(gè)方面和實(shí)施方式涉及一種溫度控制方法。
背景技術(shù)：
：：在半導(dǎo)體的制造過程中，處理中的半導(dǎo)體晶圓的溫度是對(duì)半導(dǎo)體的特性造成影響的重要因素之一。因此，期望在制造過程中高精度地控制半導(dǎo)體晶圓的溫度。為了實(shí)現(xiàn)該目的，例如已知如下一種技術(shù)：在未進(jìn)行等離子體處理的狀態(tài)下事先測(cè)量加熱器的供給電力、試樣的溫度以及溫度傳感器的溫度隨時(shí)間的變化，利用聯(lián)立一次微分方程式對(duì)這些測(cè)量值的關(guān)系進(jìn)行近似，通過基于近似得到的該聯(lián)立一次微分方程式的同形觀測(cè)，根據(jù)傳感器溫度、加熱器電力以及等離子體熱輸入隨時(shí)間的變化來預(yù)測(cè)試樣溫度，使用預(yù)測(cè)出的試樣溫度來對(duì)試樣溫度進(jìn)行反饋控制。專利文獻(xiàn)1：日本特開2009-302390號(hào)公報(bào)技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：發(fā)明要解決的問題另外，在半導(dǎo)體晶圓的量產(chǎn)工序中，由于處理裝置對(duì)多個(gè)半導(dǎo)體晶圓反復(fù)執(zhí)行處理而存在處理裝置內(nèi)的環(huán)境逐漸發(fā)生變化的情況。例如，在對(duì)半導(dǎo)體晶圓層疊規(guī)定的膜的處理裝置中，隨著對(duì)多個(gè)半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行處理，附著在處理裝置的內(nèi)壁上的反應(yīng)副產(chǎn)物(以下稱為沉積物)的附著量變多。在用于載置半導(dǎo)體晶圓的載置臺(tái)的表面上附著有沉積物的情況下，半導(dǎo)體晶圓與載置臺(tái)之間的熱阻發(fā)生變化。當(dāng)半導(dǎo)體晶圓與載置臺(tái)之間的熱阻發(fā)生變化時(shí)，即使設(shè)置于載置臺(tái)的加熱器等的溫度被保持為固定，在半導(dǎo)體晶圓之間，進(jìn)行處理時(shí)的半導(dǎo)體晶圓的溫度也變得不同。由此，半導(dǎo)體晶圓之間的處理?xiàng)l件不同，其結(jié)果，由半導(dǎo)體晶圓制成的半導(dǎo)體的特性在半導(dǎo)體晶圓之間存在差異。在每次處理規(guī)定數(shù)量的半導(dǎo)體晶圓時(shí)，還考慮通過對(duì)處理裝置內(nèi)部進(jìn)行清洗來去除沉積物，但由于在清洗前后沉積物的量不同，因此載置臺(tái)與半導(dǎo)體晶圓之間的熱阻存在些許差異。另外，如果頻繁地進(jìn)行清洗，則半導(dǎo)體晶圓的量產(chǎn)工序的生產(chǎn)率降低。用于解決問題的方案本發(fā)明的一個(gè)方面是用于對(duì)載置于載置臺(tái)的載置面的被處理體的溫度進(jìn)行控制的溫度控制方法，包括供給工序、測(cè)量工序、計(jì)算工序以及控制工序。在供給工序中，在向加熱載置臺(tái)的加熱器的電力供給停止的狀態(tài)下或者向加熱器供給的電力被固定的狀態(tài)下，向溫度與載置臺(tái)的溫度不同的被處理體與載置有該被處理體的載置臺(tái)之間供給傳熱氣體。在測(cè)量工序中，對(duì)由于經(jīng)由傳熱氣體進(jìn)行的被處理體與載置臺(tái)之間的熱交換而發(fā)生的載置臺(tái)的溫度變化進(jìn)行測(cè)量。在計(jì)算工序中，基于載置臺(tái)的溫度變化來計(jì)算校正值。在控制工序中，使向加熱器的電力供給開始，控制向加熱器供給的電力使得載置臺(tái)的溫度成為利用校正值校正后的目標(biāo)溫度。在一個(gè)實(shí)施方式中，所公開的溫度控制方法是用于對(duì)載置于載置臺(tái)的載置面的被處理體的溫度進(jìn)行控制的溫度控制方法，包括供給工序、第一測(cè)量工序、計(jì)算工序以及控制工序。在供給工序中，在向加熱載置臺(tái)的加熱器的電力供給停止的狀態(tài)下或者向加熱器供給的電力被固定的狀態(tài)下，向溫度同載置臺(tái)的溫度不同的被處理體與載置有該被處理體的載置臺(tái)之間供給傳熱氣體。在第一測(cè)量工序中，對(duì)由于經(jīng)由傳熱氣體進(jìn)行的被處理體與載置臺(tái)之間的熱交換而發(fā)生的載置臺(tái)的溫度變化進(jìn)行測(cè)量。在計(jì)算工序中，基于載置臺(tái)的溫度變化來計(jì)算校正值。在控制工序中，使向加熱器的電力供給開始，控制向加熱器供給的電力使得載置臺(tái)的溫度成為利用校正值校正后的目標(biāo)溫度。另外，在所公開的溫度控制方法的一個(gè)實(shí)施方式中，也可以是，在第一測(cè)量工序中測(cè)量第一時(shí)間點(diǎn)與第二時(shí)間點(diǎn)之間的載置臺(tái)的溫度變化的斜率來作為載置臺(tái)的溫度變化，其中，該第一時(shí)間點(diǎn)是從傳熱氣體被供給到載置臺(tái)與被處理體之間起經(jīng)過了第一時(shí)間的時(shí)間點(diǎn)，該第二時(shí)間點(diǎn)是從第一時(shí)間點(diǎn)起經(jīng)過了第二時(shí)間的時(shí)間點(diǎn)。另外，在一個(gè)實(shí)施方式中，也可以是，所公開的溫度控制方法還包括第二測(cè)量工序和創(chuàng)建工序。在第二測(cè)量工序中，在向加熱載置臺(tái)的加熱器的電力供給停止的狀態(tài)下或者向加熱器供給的電力被固定的狀態(tài)下，向溫度與載置臺(tái)的溫度不同的溫度測(cè)量用晶圓與載置有該溫度測(cè)量用晶圓的載置臺(tái)之間供給傳熱氣體，在對(duì)由于經(jīng)由傳熱氣體進(jìn)行的溫度測(cè)量用晶圓與載置臺(tái)之間的熱交換而發(fā)生的載置臺(tái)的溫度變化進(jìn)行測(cè)量之后，控制向加熱器供給的電力使得載置臺(tái)的溫度成為規(guī)定的溫度，并測(cè)量溫度測(cè)量用晶圓的溫度。在創(chuàng)建工序中，按壓力不同的每種傳熱氣體，創(chuàng)建將校正值與在第二測(cè)量工序中測(cè)量出的載置臺(tái)的溫度變化相關(guān)聯(lián)的校正表，其中，該校正值同在第二測(cè)量工序中測(cè)量出的溫度測(cè)量用晶圓的溫度與基準(zhǔn)溫度之差相對(duì)應(yīng)。在計(jì)算工序中，基于校正表來計(jì)算基于載置臺(tái)的溫度變化的校正值。另外，在所公開的溫度控制方法的一個(gè)實(shí)施方式中，也可以是，針對(duì)每個(gè)被處理體，在對(duì)被處理體執(zhí)行處理之前進(jìn)行供給工序、第一測(cè)量工序、計(jì)算工序以及控制工序。另外，在所公開的溫度控制方法的一個(gè)實(shí)施方式中，也可以是，傳熱氣體從形成于載置臺(tái)的載置面的多個(gè)供給口被供給到載置臺(tái)與被處理體之間。另外，在所公開的溫度控制方法的一個(gè)實(shí)施方式中，也可以是，在從載置臺(tái)的上方觀察的情況下，加熱器在載置臺(tái)的內(nèi)部以半徑不同的同心圓狀設(shè)置有多個(gè)。另外，在所公開的溫度控制方法的一個(gè)實(shí)施方式中，也可以是，在計(jì)算工序中，針對(duì)每個(gè)加熱器分別計(jì)算基于載置臺(tái)的溫度變化的校正值，也可以是，在控制工序中，針對(duì)每個(gè)加熱器分別控制向加熱器供給的電力，使得載置臺(tái)的溫度成為目標(biāo)溫度。另外，在一個(gè)實(shí)施方式中，所公開的溫度控制方法是用于對(duì)載置于載置臺(tái)的載置面的被處理體的溫度進(jìn)行控制的溫度控制方法，包括供給工序、第一測(cè)量工序、第一計(jì)算工序以及控制工序。在供給工序中，在向加熱載置臺(tái)的加熱器的電力供給停止的狀態(tài)下或者向加熱器供給的電力被固定的狀態(tài)下，向溫度與載置臺(tái)的溫度不同的被處理體與載置有該被處理體的載置臺(tái)之間供給第一壓力的傳熱氣體。在第一測(cè)量工序中，對(duì)由于經(jīng)由傳熱氣體進(jìn)行的被處理體與載置臺(tái)之間的熱交換而發(fā)生的載置臺(tái)的溫度變化進(jìn)行測(cè)量。在第一計(jì)算工序中，基于載置臺(tái)的溫度變化來計(jì)算傳熱氣體的第二壓力。在控制工序中，使向加熱器的電力供給開始并且將向載置臺(tái)與被處理體之間供給的傳熱氣體的壓力設(shè)定為第二壓力，控制向加熱器供給的電力使得載置臺(tái)的溫度成為目標(biāo)溫度。另外，在所公開的溫度控制方法的一個(gè)實(shí)施方式中，也可以是，在第一測(cè)量工序中，測(cè)量第一時(shí)間點(diǎn)與第二時(shí)間點(diǎn)之間的載置臺(tái)的溫度變化的斜率來作為載置臺(tái)的溫度變化，其中，該第一時(shí)間點(diǎn)是從傳熱氣體被供給到載置臺(tái)與被處理體之間起經(jīng)過了第一時(shí)間的時(shí)間點(diǎn)，該第二時(shí)間點(diǎn)是從第一時(shí)間點(diǎn)起經(jīng)過了第二時(shí)間的時(shí)間點(diǎn)。另外，在一個(gè)實(shí)施方式中，也可以是，所公開的溫度控制方法還包括第二測(cè)量工序、第二計(jì)算工序以及第三計(jì)算工序。在第二測(cè)量工序中，在向加熱載置臺(tái)的加熱器的電力供給停止的狀態(tài)下或者向加熱器供給的電力被固定的狀態(tài)下，向溫度與載置臺(tái)的溫度不同的溫度測(cè)量用晶圓與載置有該溫度測(cè)量用晶圓的載置臺(tái)之間供給傳熱氣體，在對(duì)由于經(jīng)由傳熱氣體進(jìn)行的溫度測(cè)量用晶圓與載置臺(tái)之間的熱交換而發(fā)生的載置臺(tái)的溫度變化進(jìn)行測(cè)量之后，控制向加熱器供給的電力使得載置臺(tái)的溫度成為規(guī)定的溫度，并測(cè)量溫度測(cè)量用晶圓的溫度。在第二計(jì)算工序中，按壓力不同的每種傳熱氣體，基于在第二測(cè)量工序中測(cè)量出的載置臺(tái)的溫度變化的斜率來計(jì)算表示傳熱氣體的壓力與溫度變化的斜率的值之間的關(guān)系的關(guān)系式。在第三計(jì)算工序中，計(jì)算在第二測(cè)量工序中測(cè)量出的溫度測(cè)量用晶圓的溫度成為基準(zhǔn)溫度的情況下的載置臺(tái)的溫度變化的斜率的值，來作為成為目標(biāo)的溫度變化的斜率的值。在第一計(jì)算工序中，基于在第二計(jì)算工序中計(jì)算出的關(guān)系式和在第三計(jì)算工序中計(jì)算出的成為目標(biāo)的溫度變化的斜率的值來計(jì)算第二壓力。另外，在所公開的溫度控制方法的一個(gè)實(shí)施方式中，也可以是，針對(duì)每個(gè)被處理體，在對(duì)被處理體執(zhí)行處理之前進(jìn)行供給工序、第一測(cè)量工序、第一計(jì)算工序以及控制工序。另外，在所公開的溫度控制方法的一個(gè)實(shí)施方式中，也可以是，從形成于載置臺(tái)的載置面的多個(gè)供給口供給傳熱氣體。另外，在所公開的溫度控制方法的一個(gè)實(shí)施方式中，也可以是，在從載置臺(tái)的上方觀察的情況下，加熱器在載置臺(tái)的內(nèi)部以半徑不同的同心圓狀設(shè)置有多個(gè)。另外，在所公開的溫度控制方法的一個(gè)實(shí)施方式中，也可以是，能夠針對(duì)配置有加熱器的載置面的每個(gè)區(qū)域獨(dú)立地控制傳熱氣體的壓力。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)方面和實(shí)施方式，能夠抑制半導(dǎo)體晶圓間的溫度偏差。附圖說明圖1是表示處理系統(tǒng)的一例的圖。圖2是表示處理裝置的一例的剖視圖。圖3是表示靜電卡盤的上表面的一例的圖。圖4是表示圖3的A-A截面的一例的圖。圖5是表示控制裝置的一例的框圖。圖6是表示實(shí)施例1的校正表的一例的圖。圖7是表示創(chuàng)建校正表時(shí)的溫度測(cè)量用晶圓和靜電卡盤的溫度變化的一例的圖。圖8是表示創(chuàng)建校正表時(shí)的溫度測(cè)量用晶圓和靜電卡盤的溫度變化的一例的放大圖。圖9是表示傳熱氣體的每個(gè)壓力下的靜電卡盤的溫度變化的斜率和溫度測(cè)量用晶圓的溫度的數(shù)據(jù)的一例的圖。圖10是表示應(yīng)用了校正值的情況下的溫度測(cè)量用晶圓和靜電卡盤的溫度變化的一例的圖。圖11是表示實(shí)施例1的校正表的創(chuàng)建處理的一例的流程圖。圖12是表示對(duì)實(shí)施例1的半導(dǎo)體晶圓W進(jìn)行的處理的一例的流程圖。圖13是表示實(shí)施例2的校正表的一例的圖。圖14是表示實(shí)施例2的校正表的創(chuàng)建處理的一例的流程圖。圖15是說明傳熱氣體的壓力的計(jì)算方法的一例的圖。圖16是表示對(duì)實(shí)施例2的半導(dǎo)體晶圓W進(jìn)行的處理的一例的流程圖。圖17是表示實(shí)現(xiàn)控制裝置的功能的計(jì)算機(jī)的一例的圖。圖18是說明計(jì)算靜電卡盤的溫度變化的斜率的期間的一例的圖。附圖標(biāo)記說明W：半導(dǎo)體晶圓；W’：溫度測(cè)量用晶圓；10：處理系統(tǒng)；100：處理裝置；200：控制裝置；1：處理腔室；2：載置臺(tái)；2a：基材；2b：流路；6：靜電卡盤；6a：電極；6b：絕緣體；6c：加熱器；13：直流電源；14：溫度測(cè)量裝置；16：噴頭；20：溫度傳感器；22：感溫體；23：讀取部；201：傳熱氣體控制部；202：獲取部；203：計(jì)算部；204：存儲(chǔ)部；205：溫度控制部；206：處理控制部；30：加熱器電源；31：傳熱氣體供給部；33：冷卻單元；60：分割區(qū)域。具體實(shí)施方式以下，基于附圖來詳細(xì)地說明所公開的溫度控制方法的實(shí)施方式。此外，本發(fā)明并不限定于由本實(shí)施方式公開的發(fā)明。另外，以下所示的各實(shí)施例在處理內(nèi)容不矛盾的范圍內(nèi)能夠適當(dāng)?shù)亟M合。[實(shí)施例1][處理系統(tǒng)10]圖1是表示處理系統(tǒng)10的一例的圖。例如，如圖1所示，處理系統(tǒng)10具備處理裝置100和控制裝置200。處理裝置100對(duì)作為被處理體的一例的半導(dǎo)體晶圓W進(jìn)行等離子體蝕刻、等離子體CVD(ChemicalVaporDeposition：化學(xué)氣相沉積)或熱處理等規(guī)定的處理?？刂蒲b置200基于來自設(shè)置于處理裝置100的溫度傳感器等各種傳感器的信息來控制處理裝置100，使處理裝置100對(duì)被搬入到處理裝置100內(nèi)的半導(dǎo)體晶圓W執(zhí)行規(guī)定的處理。[處理裝置100]圖2是表示處理裝置100的一例的剖視圖。例如圖2所示，處理裝置100具有氣密性地構(gòu)成的處理腔室1。處理腔室1例如由表面被施以陽極氧化覆膜的鋁等形成為近似圓筒狀，并且被接地。在處理腔室1內(nèi)設(shè)置有將半導(dǎo)體晶圓W水平地支承的載置臺(tái)2。載置臺(tái)2具有基材2a和靜電卡盤6?；?a由導(dǎo)電性的金屬、例如鋁等構(gòu)成。載置臺(tái)2還作為下部電極發(fā)揮功能。基材2a被支承于導(dǎo)體的支承臺(tái)4。支承臺(tái)4隔著絕緣板3被支承在處理腔室1的底部。另外，在載置臺(tái)2的上方的外周例如設(shè)置有由單晶硅等形成的聚焦環(huán)5。并且，以包圍載置臺(tái)2和支承臺(tái)4的周圍的方式設(shè)置有例如由石英等構(gòu)成的圓筒狀的內(nèi)壁構(gòu)件3a。在基材2a的上表面上設(shè)置有靜電卡盤6。靜電卡盤6對(duì)半導(dǎo)體晶圓W進(jìn)行吸附保持，并且對(duì)半導(dǎo)體晶圓W進(jìn)行加熱。靜電卡盤6具有絕緣體6b和設(shè)置在絕緣體6b之間的電極6a及加熱器6c。電極6a與直流電源13連接。靜電卡盤6通過從直流電源13施加的直流電壓來使靜電卡盤6的表面產(chǎn)生庫倫力，通過產(chǎn)生的庫倫力將半導(dǎo)體晶圓W吸附保持于靜電卡盤6的上表面。直流電源13的接通和斷開由后述的控制裝置200來控制。加熱器6c與加熱器電源30連接，根據(jù)從加熱器電源30供給的電力來對(duì)靜電卡盤6進(jìn)行加熱。從加熱器電源30向加熱器6c的電力的供給及停止由后述的控制裝置200來控制。另外，在本實(shí)施例中，從后述的控制裝置200對(duì)加熱器電源30指示向加熱器6c供給的電力的大小。另外，靜電卡盤6利用來自加熱器6c的熱來對(duì)半導(dǎo)體晶圓W進(jìn)行加熱。靜電卡盤6的上表面被分割為多個(gè)區(qū)域、即分割區(qū)域，針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域分別設(shè)置有加熱器6c。靜電卡盤6的上表面相當(dāng)于載置臺(tái)2的載置面。在靜電卡盤6的下表面設(shè)置有溫度傳感器20。溫度傳感器20與溫度測(cè)量裝置14連接。溫度傳感器20針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域設(shè)置，檢測(cè)表示每個(gè)分割區(qū)域的靜電卡盤6的溫度的信息，并向溫度測(cè)量裝置14輸出所檢測(cè)出的信息。溫度測(cè)量裝置14基于從溫度傳感器20輸出的信息來測(cè)量每個(gè)分割區(qū)域的靜電卡盤6的溫度，并向控制裝置200輸出所測(cè)量出的溫度。在基材2a的內(nèi)部形成有供制冷劑流動(dòng)的流路2b。流路2b經(jīng)由配管2c和配管2d而與冷卻單元33連接。冷卻單元33通過使被控制為規(guī)定的溫度的熱傳導(dǎo)液等制冷劑經(jīng)由配管2c和配管2d在流路2b內(nèi)循環(huán)來使載置臺(tái)2冷卻。冷卻單元33根據(jù)來自后述的控制裝置200的指示來控制制冷劑向流路2b內(nèi)的流通的開始和停止。另外，在載置臺(tái)2處以貫穿基材2a和靜電卡盤6的方式設(shè)置有用于向半導(dǎo)體晶圓W的背面?zhèn)裙┙o氦氣等傳熱氣體(背側(cè)氣體)的配管32。配管32針對(duì)靜電卡盤6的上表面的每個(gè)分割區(qū)域設(shè)置，與傳熱氣體供給部31連接。在靜電卡盤6的上表面，在各分割區(qū)域內(nèi)分別設(shè)置有用于供給傳熱氣體的多個(gè)供給口。從供給部31供給的傳熱氣體按每個(gè)分割區(qū)域，經(jīng)過配管32并從設(shè)置于靜電卡盤6的上表面的多個(gè)供給口供給到靜電卡盤6的上表面與半導(dǎo)體晶圓W的背面之間。關(guān)于傳熱氣體的壓力，能夠針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域獨(dú)立地控制。從傳熱氣體供給部31經(jīng)過配管32向半導(dǎo)體晶圓W的背面?zhèn)裙┙o的傳熱氣體的壓力由后述的控制裝置200來控制。此外，靜電卡盤6的溫度是用于載置半導(dǎo)體晶圓W的載置臺(tái)的溫度的一例。在載置臺(tái)2的上方，以與載置臺(tái)2大致平行地相向的方式、即以與載置于載置臺(tái)2的半導(dǎo)體晶圓W相向的方式設(shè)置有噴頭16。噴頭16還作為上部電極發(fā)揮功能。即，噴頭16和載置臺(tái)2作為一對(duì)電極(上部電極和下部電極)發(fā)揮功能。載置臺(tái)2的基材2a經(jīng)由匹配器11a而與高頻電源12a連接。另外，載置臺(tái)2的基材2a經(jīng)由匹配器11b而與高頻電源12b連接。高頻電源12a向載置臺(tái)2的基材2a供給產(chǎn)生等離子體用的規(guī)定的頻率(例如100MHz)的高頻電力。另外，高頻電源12b向載置臺(tái)2的基材2a供給引入離子(偏壓)用的規(guī)定的頻率的高頻電力且頻率比高頻電源12a的頻率低(例如13MHz)的高頻電力。高頻電源12a和12b的接通和斷開的控制、以及由高頻電源12a和高頻電源12b供給的高頻的電力等由后述的控制裝置200來控制。控制裝置200通過控制加熱器電源30、冷卻單元33以及傳熱氣體供給部31，能夠?qū)⒈晃奖３钟陟o電卡盤6的上表面的半導(dǎo)體晶圓W的溫度控制為規(guī)定的溫度。上述噴頭16設(shè)置于處理腔室1的上部。噴頭16具備主體部16a和上部頂板16b。噴頭16經(jīng)由絕緣性構(gòu)件45被支承在處理腔室1的上部。主體部16a例如由表面被施以陽極氧化處理后的鋁等形成，在其下部將上部頂板16b裝卸自如地支承。上部頂板16b例如由石英等含硅物質(zhì)形成。在主體部16a的內(nèi)部設(shè)置有氣體擴(kuò)散室16c。在主體部16a的底部以位于氣體擴(kuò)散室16c的下部的方式形成有多個(gè)氣體流通口16e。在上部頂板16b處以將該上部頂板16b沿厚度方向貫穿的方式設(shè)置有氣體流通口16f，每個(gè)氣體流通口16f分別與上述氣體流通口16e連通。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，被供給到氣體擴(kuò)散室16c的處理氣體經(jīng)由氣體流通口16e和氣體流通口16f以噴淋狀地?cái)U(kuò)散的方式被供給到處理腔室1內(nèi)。此外，在主體部16a等處設(shè)置有未圖示的加熱器、用于使制冷劑循環(huán)的未圖示的配管等溫度調(diào)整器，在半導(dǎo)體晶圓W的處理中能夠?qū)婎^16控制為期望的范圍內(nèi)的溫度。在噴頭16的主體部16a處設(shè)置有用于向氣體擴(kuò)散室16c導(dǎo)入處理氣體的氣體導(dǎo)入口16g。氣體導(dǎo)入口16g與配管15b的一端連接。配管15b的另一端經(jīng)由閥V和質(zhì)量流量控制器(MFC)15a而與供給半導(dǎo)體晶圓W的處理用的處理氣體的處理氣體供給源15連接。從處理氣體供給源15供給的處理氣體經(jīng)由配管15b被供給到氣體擴(kuò)散室16c，并經(jīng)由各個(gè)氣體流通口16e和氣體流通口16f以噴淋狀地?cái)U(kuò)散的方式被供給到處理腔室1內(nèi)。閥V和MFC15a由后述的控制裝置200來控制。上述噴頭16經(jīng)由低通濾波器(LPF)40而與可變直流電源42電連接?？勺冎绷麟娫?2能夠通過開關(guān)41來向主體部16a供給直流電力和切斷向主體部16a的直流電力。可變直流電源42的電流和電壓以及開關(guān)41的接通和斷開由后述的控制裝置200來控制。例如，在從高頻電源12a和高頻電源12b向載置臺(tái)2供給高頻電力來在處理腔室1內(nèi)的處理空間生成等離子體時(shí)，根據(jù)需要通過控制裝置200使開關(guān)41接通，來對(duì)作為上部電極發(fā)揮功能的噴頭16施加規(guī)定的直流電壓。在處理腔室1的底部形成有排氣口71。排氣口71經(jīng)由排氣管72而與排氣裝置73連接。排氣裝置73具有真空泵，通過使該真空泵進(jìn)行動(dòng)作能夠?qū)⑻幚砬皇?內(nèi)減壓至規(guī)定的真空度。排氣裝置73的排氣量等由后述的控制裝置200來控制。另外，在處理腔室1的側(cè)壁處設(shè)置有開口部74，在開口部74處設(shè)置有用于將該開口部74打開和關(guān)閉的閘閥G。在處理腔室1的內(nèi)壁上沿內(nèi)壁表面裝卸自如地設(shè)置有沉積物屏蔽件76。另外，在載置臺(tái)2、內(nèi)壁構(gòu)件3a以及支承臺(tái)4的外周面，沿著載置臺(tái)2、內(nèi)壁構(gòu)件3a以及支承臺(tái)4的外周面設(shè)置有沉積物屏蔽件77。沉積物屏蔽件76和77用于防止蝕刻副產(chǎn)物(沉積物)附著于處理腔室1的內(nèi)壁。在沉積物屏蔽件76的與被吸附保持在靜電卡盤6上的半導(dǎo)體晶圓W的高度大致相同高度的位置處設(shè)置有以直流方式接地的導(dǎo)電性構(gòu)件(GND塊)79。利用導(dǎo)電性構(gòu)件79能夠抑制處理腔室1內(nèi)的異常放電。另外，在處理腔室1的周圍同心圓狀地配置有環(huán)狀磁體8。環(huán)狀磁體8在噴頭16與載置臺(tái)2之間的空間形成磁場(chǎng)。環(huán)狀磁體8由未圖示的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)保持為旋轉(zhuǎn)自如。[靜電卡盤6]圖3是表示靜電卡盤6的上表面的一例的圖。圖4是表示圖3的A-A截面的一例的圖。在靜電卡盤6的外周，以包圍靜電卡盤6的方式設(shè)置有聚焦環(huán)5。載置半導(dǎo)體晶圓W的靜電卡盤6的上表面例如被分割為同心圓狀的多個(gè)分割區(qū)域。在本實(shí)施例中，靜電卡盤6的上表面例如被分割為兩個(gè)分割區(qū)域60a和60b。此外，以下有時(shí)將分割區(qū)域60a稱為中央?yún)^(qū)域，將分割區(qū)域60b稱為邊緣區(qū)域。另外，以下，在不對(duì)多個(gè)分割區(qū)域60a和60b分別進(jìn)行區(qū)分而統(tǒng)稱的情況下，記載為分割區(qū)域60。例如圖4所示，在靜電卡盤6的內(nèi)部且各個(gè)分割區(qū)域60的下方，針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60設(shè)置有加熱器6c。此外，加熱器6c也可以設(shè)置在靜電卡盤6的外部?？刂蒲b置200通過控制從加熱器電源30向每個(gè)加熱器6c供給的電力，能夠?qū)γ總€(gè)分割區(qū)域60的溫度獨(dú)立地進(jìn)行控制。例如圖4所示，在靜電卡盤6的下表面，針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60至少設(shè)置有一個(gè)溫度傳感器20。在本實(shí)施例中，例如圖3所示，針對(duì)分割區(qū)域60a內(nèi)的區(qū)域21a和分割區(qū)域60b內(nèi)的區(qū)域21b各設(shè)置一個(gè)溫度傳感器20。如圖4所示，溫度傳感器20例如具有感溫體22和讀取部23。感溫體22的特性根據(jù)溫度而發(fā)生變化。在本實(shí)施例中，感溫體22是熒光體，熒光特性根據(jù)靜電卡盤6的溫度而發(fā)生變化。讀取部23讀取根據(jù)溫度而發(fā)生變化的感溫體22的特性并向溫度測(cè)量裝置14輸出該特性。在本實(shí)施例中，讀取部23例如是光纖，從溫度測(cè)量裝置14輸出的脈沖光被照射至感溫體22，讀取部23將感溫體22根據(jù)被照射的脈沖光而發(fā)出的光傳輸至溫度測(cè)量裝置14。溫度測(cè)量裝置14針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60，基于從設(shè)置于分割區(qū)域60的溫度傳感器20輸出的信號(hào)來測(cè)量分割區(qū)域60的溫度，并向控制裝置200輸出所測(cè)量出的每個(gè)分割區(qū)域60的溫度的信息。溫度測(cè)量裝置14例如經(jīng)由讀取部23向感溫體22發(fā)送脈沖光，基于經(jīng)由讀取部23接收到的感溫體22的光的衰減速度來測(cè)量設(shè)置有感溫體22的分割區(qū)域60的溫度。[控制裝置200]圖5是表示控制裝置200的一例的框圖。例如圖5所示，控制裝置200具有傳熱氣體控制部201、獲取部202、計(jì)算部203、存儲(chǔ)部204、溫度控制部205以及處理控制部206。存儲(chǔ)部204例如存儲(chǔ)如圖6所示的校正表2040。圖6是表示實(shí)施例1的校正表2040的一例的圖。在校正表2040中，按每個(gè)分割區(qū)域60存儲(chǔ)單獨(dú)表2041。在每個(gè)單獨(dú)表2041中，與靜電卡盤6的溫度變化的斜率相關(guān)聯(lián)地存儲(chǔ)有在將靜電卡盤6的溫度控制為規(guī)定的溫度時(shí)應(yīng)用的校正值。返回到圖5繼續(xù)進(jìn)行說明。傳熱氣體控制部201根據(jù)來自計(jì)算部203的指示來指示氣體供給部31開始和停止供給傳熱氣體。另外，傳熱氣體控制部201根據(jù)來自計(jì)算部203的指示來對(duì)傳熱氣體供給部31指示傳熱氣體的壓力。獲取部202從溫度測(cè)量裝置14獲取針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60測(cè)量出的溫度的信息。然后，獲取部202向計(jì)算部203和溫度控制部205輸出針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60獲取到的溫度的信息。另外，在創(chuàng)建校正表2040時(shí)，獲取部202獲取從被搬入到處理裝置100的處理腔室1內(nèi)的溫度測(cè)量用晶圓W’輸出的溫度的信息，并向計(jì)算部203輸出獲取到的溫度的信息。溫度測(cè)量用晶圓W’具有設(shè)置于溫度測(cè)量用晶圓W’的表面的多個(gè)溫度傳感器和向控制裝置200輸出由各個(gè)溫度傳感器測(cè)量出的溫度的信息的通信部。關(guān)于各個(gè)溫度傳感器，在溫度測(cè)量用晶圓W’被載置在靜電卡盤6上的情況下，在與靜電卡盤6的分割區(qū)域60對(duì)應(yīng)的溫度測(cè)量用晶圓W’上的區(qū)域中至少設(shè)置一個(gè)溫度傳感器。通信部通過無線通信來向控制裝置200發(fā)送由各個(gè)溫度傳感器針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60測(cè)量出的溫度的信息。此外，通信部也可以通過有線通信來向控制裝置200發(fā)送每個(gè)分割區(qū)域60的溫度的信息。另外，溫度測(cè)量用晶圓W’也可以具有非易失性的存儲(chǔ)裝置來代替通信部，將由各個(gè)溫度傳感器針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60測(cè)量出的溫度的信息存儲(chǔ)于存儲(chǔ)裝置。在該情況下，在從處理腔室1搬出溫度測(cè)量用晶圓W’之后，控制裝置200的獲取部202從存儲(chǔ)裝置讀出由各個(gè)溫度傳感器針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60測(cè)量出的溫度的信息。溫度控制部205根據(jù)來自計(jì)算部203的指示來控制加熱器電源30和冷卻單元33。溫度控制部205在被計(jì)算部203指示開始冷卻靜電卡盤6的情況下，對(duì)冷卻單元33發(fā)出指示使得規(guī)定溫度的制冷劑在基材2a的流路2b內(nèi)循環(huán)。另外，在溫度控制部205被計(jì)算部203指示停止向靜電卡盤6內(nèi)的加熱器6c供給電力或使向加熱器6c供給的電力固定的情況下，指示加熱器電源30停止向加熱器6c供給電力或使向加熱器6c供給的電力固定。另外，在創(chuàng)建校正表2040時(shí)，溫度控制部205從處理控制部206接收目標(biāo)溫度。然后，在被計(jì)算部203指示開始向加熱器6c供給電力的情況下，溫度控制部205指示加熱器電源30開始向加熱器6c供給電力。然后，溫度控制部205基于從獲取部202輸出的每個(gè)分割區(qū)域60的溫度信息對(duì)要向針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60設(shè)置的加熱器6c供給的電力進(jìn)行反饋控制，使得分割區(qū)域60的溫度成為目標(biāo)溫度。另外，溫度控制部205在對(duì)半導(dǎo)體晶圓W執(zhí)行處理時(shí)，從計(jì)算部203接收每個(gè)分割區(qū)域60的校正值，從處理控制部206接收目標(biāo)溫度。而且，溫度控制部205在被計(jì)算部203指示開始向加熱器6c供給電力的情況下，指示加熱器電源30開始向加熱器6c供給電力。然后，溫度控制部205針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60，基于校正值來校正目標(biāo)溫度。然后，溫度控制部205針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60，基于從獲取部202輸出的每個(gè)分割區(qū)域60的溫度信息對(duì)要向加熱器6c供給的電力進(jìn)行反饋控制，使得分割區(qū)域60的溫度成為校正后的目標(biāo)溫度。由此，載置在靜電卡盤6上的半導(dǎo)體晶圓W的溫度被控制為如下的溫度：對(duì)校正后的目標(biāo)溫度加上由于半導(dǎo)體晶圓W與靜電卡盤6之間的熱阻而在半導(dǎo)體晶圓W與靜電卡盤6之間產(chǎn)生的溫度差后得到的溫度。在半導(dǎo)體晶圓W與靜電卡盤6之間的熱阻大的情況下，計(jì)算部203校正目標(biāo)溫度使得目標(biāo)溫度變低，在半導(dǎo)體晶圓W與靜電卡盤6之間的熱阻小的情況下，計(jì)算部203校正目標(biāo)溫度使得目標(biāo)溫度變高。由此，即使在半導(dǎo)體晶圓W與靜電卡盤6之間的熱阻發(fā)生了變化的情況下，溫度控制部205也能夠抑制多個(gè)半導(dǎo)體晶圓W間的溫度偏差。處理控制部206在創(chuàng)建校正表2040時(shí)，根據(jù)來自計(jì)算部203的指示向溫度控制部205輸出創(chuàng)建校正表2040時(shí)的目標(biāo)溫度。然后，處理控制部206根據(jù)來自計(jì)算部203的指示來控制處理裝置100的各部。另外，處理控制部206在對(duì)半導(dǎo)體晶圓W執(zhí)行處理時(shí)，向溫度控制部205輸出在由處理裝置100的操作者等設(shè)定的處理制程中指定的目標(biāo)溫度。然后，處理控制部206基于處理制程，通過控制處理裝置100的各部來對(duì)半導(dǎo)體晶圓W執(zhí)行處理。計(jì)算部203在創(chuàng)建校正表2040時(shí)以及對(duì)半導(dǎo)體晶圓W執(zhí)行處理時(shí)，分別控制傳熱氣體控制部201、溫度控制部205以及處理控制部206。以下，參照?qǐng)D7和圖8來說明由計(jì)算部203進(jìn)行的處理的詳細(xì)內(nèi)容。[校正表2040的創(chuàng)建處理]圖7是表示創(chuàng)建校正表2040時(shí)的溫度測(cè)量用晶圓W’和靜電卡盤6的溫度變化的一例的圖。圖7示出了與靜電卡盤6上的一個(gè)分割區(qū)域(例如中央?yún)^(qū)域)對(duì)應(yīng)的區(qū)域的溫度測(cè)量用晶圓W’和靜電卡盤6的溫度變化的一例。另外，以下對(duì)校正表2040中的一個(gè)分割區(qū)域60的單獨(dú)表2041的創(chuàng)建處理進(jìn)行說明。此外，其它分割區(qū)域60的單獨(dú)表2041的創(chuàng)建處理也一樣，因此對(duì)其它分割區(qū)域60的單獨(dú)表2041的創(chuàng)建處理省略說明。圖7的(a)示出了傳熱氣體的壓力為5Torr的情況下的溫度測(cè)量用晶圓W’和靜電卡盤的溫度變化的一例，圖7的(b)示出了傳熱氣體的壓力為10Torr的情況下的溫度測(cè)量用晶圓W’和靜電卡盤的溫度變化的一例，圖7的(c)示出了傳熱氣體的壓力為20Torr的情況下的溫度測(cè)量用晶圓W’和靜電卡盤的溫度變化的一例。在圖7中，曲線80表示溫度測(cè)量用晶圓W’的溫度變化，曲線81表示靜電卡盤6的溫度變化。在創(chuàng)建校正表2040時(shí)，計(jì)算部203首先指示溫度控制部205開始冷卻靜電卡盤6以及停止向加熱器6c供給電力或使向加熱器6c供給的電力固定。由此，靜電卡盤6經(jīng)由被在基材2a的流路2b內(nèi)循環(huán)的制冷劑冷卻后的基材2a而被冷卻。然后，計(jì)算部203指示未圖示的輸送機(jī)器人將溫度測(cè)量用晶圓W’搬入到處理腔室1內(nèi)并載置在靜電卡盤6上。此外，例如圖7所示，在溫度測(cè)量用晶圓W’被載置在靜電卡盤6上的時(shí)間點(diǎn)t0，溫度測(cè)量用晶圓W’的溫度為室溫(例如30℃)，靜電卡盤6的溫度被冷卻至低于室溫的溫度(例如10℃)。也就是說，在溫度測(cè)量用晶圓W’被載置在靜電卡盤6上的階段，溫度測(cè)量用晶圓W’的溫度與靜電卡盤6的溫度是不同的。接著，計(jì)算部203開始經(jīng)由獲取部202獲取每個(gè)分割區(qū)域60的靜電卡盤6的溫度信息，由此開始針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60測(cè)量溫度測(cè)量用晶圓W’和靜電卡盤6的溫度。然后，計(jì)算部203在圖7所示的時(shí)間點(diǎn)t1指示傳熱氣體控制部201開始供給規(guī)定壓力的傳熱氣體。在本實(shí)施例中，計(jì)算部203對(duì)傳熱氣體控制部201指示5Torr、10Torr以及20Torr中的任一個(gè)來作為傳熱氣體的壓力。傳熱氣體控制部201指示傳熱氣體供給部31針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60供給由計(jì)算部203指示的壓力的傳熱氣體。由此，在時(shí)間點(diǎn)t1，針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60向靜電卡盤6的上表面與溫度測(cè)量用晶圓W’的背面之間供給傳熱氣體，在溫度測(cè)量用晶圓W’與靜電卡盤6之間，經(jīng)由傳熱氣體進(jìn)行的熱交換開始。然后，例如如圖7所示，由于靜電卡盤6與溫度測(cè)量用晶圓W’之間的熱交換而溫度測(cè)量用晶圓W’的溫度降低，靜電卡盤6的溫度上升。然后，在從時(shí)間點(diǎn)t1起經(jīng)過了規(guī)定時(shí)間(例如十秒左右)后的時(shí)間點(diǎn)t2，計(jì)算部203指示溫度控制部205開始向加熱器6c供給電力。溫度控制部205指示加熱器電源30開始向加熱器6c供給電力，開始針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60對(duì)要向加熱器6c供給的電力進(jìn)行反饋控制，使得分割區(qū)域60的溫度成為目標(biāo)溫度(例如60℃)。由此，例如圖7所示，針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60，靜電卡盤6的溫度和溫度測(cè)量用晶圓W’的溫度逐漸接近目標(biāo)溫度。接著，在靜電卡盤6和溫度測(cè)量用晶圓W’的溫度穩(wěn)定了的時(shí)間點(diǎn)t3，處理控制部206基于創(chuàng)建校正表2040時(shí)的處理制程開始控制高頻電力、處理氣體的供給等。例如，處理控制部206分別指示高頻電源12a和高頻電源12b開始供給高頻電力，并且控制閥V和MFC15a使得規(guī)定的流量的處理氣體被供給到處理腔室1內(nèi)。由此，在處理裝置100的處理腔室1內(nèi)生成處理氣體的等離子體。然后，由于來自在處理腔室1內(nèi)生成的等離子體的熱輸入，例如圖7所示那樣溫度測(cè)量用晶圓W’的溫度上升。來自等離子體的熱輸入傳遞到靜電卡盤6并被靜電卡盤6散熱。但是，在溫度測(cè)量用晶圓W’與靜電卡盤6之間存在熱阻。因此，在溫度測(cè)量用晶圓W’與靜電卡盤6之間產(chǎn)生同溫度測(cè)量用晶圓W’與靜電卡盤6之間的熱阻相應(yīng)的溫度差。在傳熱氣體的壓力為5Torr的圖7的(a)的例子中，由于來自等離子體的熱輸入，溫度測(cè)量用晶圓W’的溫度例如上升至Ta＝74.4℃。靜電卡盤6通過溫度控制部205而被控制為大致60℃，因此由于來自等離子體的熱輸入而溫度上升的溫度測(cè)量用晶圓W’與靜電卡盤6之間的溫度差ΔTa為14.4℃。另外，在傳熱氣體的壓力為10Torr的圖7的(b)的例子中，由于來自等離子體的熱輸入，溫度測(cè)量用晶圓W’的溫度例如上升至Tb＝69.9℃。由于來自等離子體的熱輸入而溫度上升的溫度測(cè)量用晶圓W’與靜電卡盤6之間的溫度差ΔTb為9.9℃。另外，在傳熱氣體的壓力為20Torr的圖7的(c)的例子中，由于來自等離子體的熱輸入，溫度測(cè)量用晶圓W’的溫度例如上升至Tc＝66.6℃。由于來自等離子體的熱輸入而溫度上升的溫度測(cè)量用晶圓W’與靜電卡盤6之間的溫度差ΔTc為6.6℃。此外，關(guān)于在時(shí)間點(diǎn)t3向處理腔室1內(nèi)供給的高頻電力的頻率、電力以及處理氣體的種類、流量等，優(yōu)選使用在對(duì)半導(dǎo)體晶圓W進(jìn)行的處理的制程中指定的高頻電力的頻率、電力以及處理氣體的種類、流量等。由此，能夠測(cè)量對(duì)半導(dǎo)體晶圓W實(shí)際進(jìn)行處理的處理環(huán)境中的溫度測(cè)量用晶圓W’的溫度。然后，計(jì)算部203指示處理控制部206停止執(zhí)行處理制程。由此，處理腔室1內(nèi)的等離子體的生成停止。然后，計(jì)算部203指示溫度控制部205停止向加熱器6c供給電力或使向加熱器6c供給的電力固定，并指示傳熱氣體控制部201停止供給傳熱氣體。由此，載置在靜電卡盤6上的溫度測(cè)量用晶圓W’的溫度逐漸恢復(fù)到室溫(例如30℃)，靜電卡盤6的溫度通過冷卻單元33而逐漸恢復(fù)到低于室溫的溫度(例如10℃)。計(jì)算部203針對(duì)各個(gè)規(guī)定數(shù)值的壓力的傳熱氣體，按每個(gè)分割區(qū)域進(jìn)行上述的處理，由此測(cè)量溫度測(cè)量用晶圓W’和靜電卡盤6的溫度變化。然后，計(jì)算部203針對(duì)各個(gè)壓力的傳熱氣體，根據(jù)溫度變化的測(cè)量數(shù)據(jù)按每個(gè)分割區(qū)域來計(jì)算時(shí)間點(diǎn)t1與時(shí)間點(diǎn)t2之間的靜電卡盤6的溫度變化的斜率。在此，使用圖8來說明靜電卡盤6的溫度變化的斜率的計(jì)算方法。圖8是表示創(chuàng)建校正表時(shí)的溫度測(cè)量用晶圓W’和靜電卡盤6的溫度變化的一例的放大圖。圖8示出了與靜電卡盤6上的一個(gè)分割區(qū)域(例如中央?yún)^(qū)域)對(duì)應(yīng)的區(qū)域的溫度測(cè)量用晶圓W’和靜電卡盤6的溫度變化的一例。另外，圖8的(a)是圖7的(a)中的時(shí)間點(diǎn)t1附近的放大圖，圖8的(b)是圖7的(b)中的時(shí)間點(diǎn)t1附近的放大圖，圖8的(c)是圖7的(c)中的時(shí)間點(diǎn)t1附近的放大圖。例如圖8所示，計(jì)算部203測(cè)量時(shí)間點(diǎn)t11與時(shí)間點(diǎn)t12之間的期間的靜電卡盤6的溫度變化的斜率，其中，該時(shí)間點(diǎn)t11是從傳熱氣體的供給開始的時(shí)間點(diǎn)t1起經(jīng)過了第一時(shí)間的時(shí)間點(diǎn)，該時(shí)間點(diǎn)t12是從時(shí)間點(diǎn)t11起經(jīng)過了第二時(shí)間Δt的時(shí)間點(diǎn)。在本實(shí)施例中，第一時(shí)間例如是1秒，第二時(shí)間Δt例如是5秒。如圖8的(a)～(c)所示，從時(shí)間點(diǎn)t11至?xí)r間點(diǎn)t12的期間的靜電卡盤6的溫度變化的斜率根據(jù)傳熱氣體的壓力而發(fā)生變化。這是由于，溫度測(cè)量用晶圓W’與靜電卡盤6之間的熱阻根據(jù)傳熱氣體的壓力而發(fā)生變化。然后，計(jì)算部203針對(duì)各種壓力的傳熱氣體，根據(jù)溫度變化的測(cè)量數(shù)據(jù)按每個(gè)分割區(qū)域來獲取等離子體生成過程中的溫度測(cè)量用晶圓W’的溫度(例如圖7所示的Ta、Tb以及Tc)。圖9是表示傳熱氣體的每個(gè)壓力下的靜電卡盤6的溫度變化的斜率和溫度測(cè)量用晶圓W’的溫度的數(shù)據(jù)62的一例的圖。計(jì)算部203例如像圖9的數(shù)據(jù)62所示那樣針對(duì)各分割區(qū)域，按傳熱氣體的壓力來計(jì)算靜電卡盤6的溫度變化的斜率并且獲取等離子體生成過程中的溫度測(cè)量用晶圓W’的溫度。然后，計(jì)算部203例如基于下述的計(jì)算式(1)，針對(duì)各分割區(qū)域按傳熱氣體的每個(gè)壓力來計(jì)算校正值Toff。Toff＝Tr-Tm···(1)在此，Tm表示等離子體生成過程中的溫度測(cè)量用晶圓W’的溫度，Tr表示作為基準(zhǔn)的溫度。在本實(shí)施例中，作為一例，將傳熱氣體的壓力為10Torr的情況下的溫度測(cè)量用晶圓W’的溫度Tm設(shè)定為作為基準(zhǔn)的溫度Tr。因此，在圖9中例示的數(shù)據(jù)62中，在中央?yún)^(qū)域中，作為基準(zhǔn)的溫度Tr為69.9℃，在邊緣區(qū)域中，作為基準(zhǔn)的溫度Tr為72.2℃。例如，在圖9的數(shù)據(jù)62中，在傳熱氣體的壓力為5Torr的情況下，中央?yún)^(qū)域的溫度測(cè)量用晶圓W’的溫度Tm為74.4℃，因此計(jì)算部203計(jì)算69.9-74.4＝-4.5來作為傳熱氣體的壓力為5Torr的情況下的中央?yún)^(qū)域的校正值Toff。同樣地，例如在圖9的數(shù)據(jù)62中，在傳熱氣體的壓力為20Torr的情況下，中央?yún)^(qū)域的溫度測(cè)量用晶圓W’的溫度Tm為66.6℃，因此計(jì)算部203計(jì)算69.9-66.6＝+3.3來作為傳熱氣體的壓力為20Torr的情況下的中央?yún)^(qū)域的校正值Toff。計(jì)算部203針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域創(chuàng)建按傳熱氣體的壓力將靜電卡盤6的溫度變化的斜率與校正值Toff相關(guān)聯(lián)的單獨(dú)表2041(參照?qǐng)D6)，并將包含創(chuàng)建出的單獨(dú)表2041的校正表2040保存到存儲(chǔ)部204中。在此，關(guān)于溫度測(cè)量用晶圓W’與靜電卡盤6之間的熱阻，能夠根據(jù)具有規(guī)定的溫度差的溫度測(cè)量用晶圓W’與靜電卡盤6進(jìn)行熱交換的情況下的溫度測(cè)量用晶圓W’和靜電卡盤6各自的溫度變化的斜率來進(jìn)行估計(jì)。例如，在溫度測(cè)量用晶圓W’與靜電卡盤6之間的熱阻小的情況下，靜電卡盤6的溫度變化的斜率變大，在溫度測(cè)量用晶圓W’與靜電卡盤6之間的熱阻大的情況下，靜電卡盤6的溫度變化的斜率變小。另外，在溫度測(cè)量用晶圓W’與靜電卡盤6之間的熱阻大的情況下，等離子體生成過程中的溫度測(cè)量用晶圓W’與靜電卡盤6之間的溫度差變大，在溫度測(cè)量用晶圓W’與靜電卡盤6之間的熱阻小的情況下，等離子體生成過程中的溫度測(cè)量用晶圓W’與靜電卡盤6之間的溫度差變小。因此，在本實(shí)施例中，在溫度測(cè)量用晶圓W’與靜電卡盤6之間的熱阻大的情況下、即靜電卡盤6的溫度變化的斜率小的情況下，計(jì)算用于使靜電卡盤6的目標(biāo)溫度降低的校正值。另一方面，在溫度測(cè)量用晶圓W’與靜電卡盤6之間的熱阻小的情況下、即靜電卡盤6的溫度變化的斜率大的情況下，計(jì)算用于使靜電卡盤6的目標(biāo)溫度上升的校正值。然后，將在等離子體生成過程中測(cè)量出的溫度測(cè)量用晶圓W’的溫度與基準(zhǔn)溫度之差設(shè)定為校正值的大小。在對(duì)半導(dǎo)體晶圓W進(jìn)行處理時(shí)，測(cè)量載置有半導(dǎo)體晶圓W的靜電卡盤6的溫度變化，將與靜電卡盤6的溫度變化的斜率對(duì)應(yīng)的校正值應(yīng)用為對(duì)半導(dǎo)體晶圓W進(jìn)行等離子體處理時(shí)的靜電卡盤6的目標(biāo)溫度。由此，能夠抑制隨著半導(dǎo)體晶圓W與靜電卡盤6之間的熱阻的變化，進(jìn)行等離子體處理時(shí)的半導(dǎo)體晶圓W的溫度在半導(dǎo)體晶圓W間發(fā)生變動(dòng)。[對(duì)半導(dǎo)體晶圓W進(jìn)行處理時(shí)的校正]圖10是表示應(yīng)用了校正值的情況下的溫度測(cè)量用晶圓W’和靜電卡盤6的溫度變化的一例的圖。圖10示出了靜電卡盤6上的一個(gè)分割區(qū)域(例如中央?yún)^(qū)域)中的溫度測(cè)量用晶圓W’和靜電卡盤6的溫度變化的一例。另外，圖10的(a)示出了傳熱氣體的壓力為5Torr的情況下的溫度測(cè)量用晶圓W’和靜電卡盤的溫度變化的一例，圖10的(b)示出了傳熱氣體的壓力為10Torr的情況下的溫度測(cè)量用晶圓W’和靜電卡盤的溫度變化的一例，圖10的(c)示出了傳熱氣體的壓力為20Torr的情況下的溫度測(cè)量用晶圓W’和靜電卡盤的溫度變化的一例。在圖10中，曲線80示出了溫度測(cè)量用晶圓W’的溫度變化，曲線81示出了靜電卡盤6的溫度變化。在此，由處理裝置100進(jìn)行了處理的半導(dǎo)體晶圓W的數(shù)量越多、即在處理裝置100中執(zhí)行的處理的累計(jì)時(shí)間越長，則由于處理腔室1內(nèi)的環(huán)境的變化而半導(dǎo)體晶圓W與靜電卡盤6之間的熱阻的變化越大。例如，在進(jìn)行對(duì)多個(gè)半導(dǎo)體晶圓W層疊規(guī)定的膜的處理的情況下，處理的累計(jì)時(shí)間越長，則由于沉積物的附著量的增加而半導(dǎo)體晶圓W與靜電卡盤6之間的熱阻越低。關(guān)于半導(dǎo)體晶圓W與靜電卡盤6之間的熱阻，能夠通過向半導(dǎo)體晶圓W與靜電卡盤6之間供給的傳熱氣體的壓力來控制。因此，在圖10中，利用傳熱氣體的壓力的變化來模擬半導(dǎo)體晶圓W與靜電卡盤6之間的熱阻的變化。傳熱氣體的壓力為5Torr(圖10的(a))的情況下的半導(dǎo)體晶圓W與靜電卡盤6之間的熱阻相當(dāng)于對(duì)半導(dǎo)體晶圓W進(jìn)行的處理的累計(jì)時(shí)間例如為0小時(shí)、即新品狀態(tài)的靜電卡盤6與半導(dǎo)體晶圓W之間的熱阻。另外，傳熱氣體的壓力為10Torr(圖10的(b))的情況下的半導(dǎo)體晶圓W與靜電卡盤6之間的熱阻相當(dāng)于處理的累計(jì)時(shí)間例如為30小時(shí)的靜電卡盤6與半導(dǎo)體晶圓W之間的熱阻。另外，傳熱氣體的壓力為20Torr(圖10的(c))的情況下的半導(dǎo)體晶圓W與靜電卡盤6之間的熱阻相當(dāng)于處理的累計(jì)時(shí)間例如為60小時(shí)的靜電卡盤6與半導(dǎo)體晶圓W之間的熱阻。此外，在圖10中，為了監(jiān)視晶圓的溫度而使用了溫度測(cè)量用晶圓W’，但在對(duì)半導(dǎo)體晶圓W執(zhí)行處理時(shí)，圖10所示的溫度變化也是相同的。因此，在以下的說明中，說明對(duì)半導(dǎo)體晶圓W執(zhí)行的處理。在對(duì)半導(dǎo)體晶圓W執(zhí)行處理時(shí)，計(jì)算部203首先指示溫度控制部205開始冷卻靜電卡盤6以及停止向加熱器6c供給電力或使向加熱器6c供給的電力固定。由此，靜電卡盤6經(jīng)由被在基材2a的流路2b內(nèi)循環(huán)的制冷劑冷卻后的基材2a而被冷卻。另外，計(jì)算部203指示處理控制部206執(zhí)行在對(duì)半導(dǎo)體晶圓W進(jìn)行處理時(shí)使用的處理制程。處理控制部206基于處理制程來對(duì)溫度控制部205指示進(jìn)行半導(dǎo)體晶圓W的處理時(shí)的靜電卡盤6的目標(biāo)溫度。然后，計(jì)算部203指示未圖示的輸送機(jī)器人將半導(dǎo)體晶圓W搬入到處理腔室1內(nèi)并載置在靜電卡盤6上。此外，在半導(dǎo)體晶圓W被載置在靜電卡盤6上的時(shí)間點(diǎn)t0，半導(dǎo)體晶圓W為室溫(例如30℃)，靜電卡盤6被冷卻至低于室溫的溫度(例如10℃)。接著，計(jì)算部203開始經(jīng)由獲取部202獲取每個(gè)分割區(qū)域60的靜電卡盤6的溫度信息，由此開始針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60測(cè)量靜電卡盤6的溫度。然后，計(jì)算部203在圖10所示的時(shí)間點(diǎn)t1指示傳熱氣體控制部201開始供給在半導(dǎo)體晶圓W的處理制程中指定的壓力的傳熱氣體。由此，在時(shí)間點(diǎn)t1，針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60向靜電卡盤6的上表面與半導(dǎo)體晶圓W的背面之間供給傳熱氣體，在半導(dǎo)體晶圓W與靜電卡盤6之間，經(jīng)由傳熱氣體進(jìn)行的熱交換開始。由此，例如圖10所示，由于靜電卡盤6與半導(dǎo)體晶圓W之間的熱交換而半導(dǎo)體晶圓W的溫度降低，靜電卡盤6的溫度上升。然后，計(jì)算部203針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60測(cè)量時(shí)間點(diǎn)t11與時(shí)間點(diǎn)t12之間的期間的靜電卡盤6的溫度變化的斜率，其中，該時(shí)間點(diǎn)t11是從傳熱氣體的供給開始的時(shí)間點(diǎn)t1起經(jīng)過了第一時(shí)間的時(shí)間點(diǎn)，該時(shí)間點(diǎn)t12是從時(shí)間點(diǎn)t11起經(jīng)過了第二時(shí)間Δt的時(shí)間點(diǎn)。然后，計(jì)算部203參照存儲(chǔ)部204內(nèi)的按每個(gè)分割區(qū)域60存儲(chǔ)的單獨(dú)表2041來獲取與測(cè)量出的靜電卡盤6的溫度變化的斜率對(duì)應(yīng)的校正值。在本實(shí)施例中，計(jì)算部203針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60，例如在單獨(dú)表2041內(nèi)確定最接近測(cè)量出的靜電卡盤6的溫度變化的斜率的斜率，并獲取與確定出的斜率相關(guān)聯(lián)的校正值。另外，作為其它例，也可以是，計(jì)算部203求出對(duì)單獨(dú)表2041內(nèi)的斜率與校正值之間的關(guān)系進(jìn)行近似得到的擬合曲線，并獲取與測(cè)量出的靜電卡盤6的溫度變化的斜率對(duì)應(yīng)的擬合曲線上的校正值。然后，計(jì)算部203向溫度控制部205輸出針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60獲取到的校正值。然后，計(jì)算部203指示溫度控制部205在從時(shí)間點(diǎn)t1起經(jīng)過了規(guī)定時(shí)間的時(shí)間點(diǎn)t2開始向加熱器6c供給電力。溫度控制部205針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60，通過對(duì)處理控制部206所指示的目標(biāo)溫度加上計(jì)算部203所指示的校正值來校正目標(biāo)溫度。然后，溫度控制部205針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60，對(duì)加熱器6c的電力進(jìn)行反饋控制使得靜電卡盤6的溫度成為校正后的目標(biāo)溫度。由此，靜電卡盤6被控制為應(yīng)用了校正值的目標(biāo)溫度，該校正值與從傳熱氣體的供給開始的時(shí)間點(diǎn)t1起至向加熱器6c的電力供給開始的時(shí)間點(diǎn)t2為止的期間的靜電卡盤6的溫度變化相對(duì)應(yīng)。此外，也可以是，溫度控制部205在從計(jì)算部203輸出了每個(gè)分割區(qū)域60的校正值的情況下，不等到時(shí)間點(diǎn)t2就開始對(duì)加熱器6c的電力進(jìn)行反饋控制，使得計(jì)算部203所指示的校正值成為校正后的目標(biāo)溫度。然后，在靜電卡盤6和半導(dǎo)體晶圓W的溫度穩(wěn)定了的時(shí)間點(diǎn)t3，處理控制部206按照對(duì)半導(dǎo)體晶圓W進(jìn)行處理時(shí)使用的處理制程開始控制高頻電力和處理氣體的供給等。由此，在處理腔室1內(nèi)生成處理氣體的等離子體，利用等離子體對(duì)半導(dǎo)體晶圓W執(zhí)行規(guī)定的處理。而且，由于來自等離子體的熱輸入，半導(dǎo)體晶圓W的溫度上升。在此，在傳熱氣體的壓力為5Torr的圖10的(a)的例子中，向加熱器6c的電力供給開始之前的中央?yún)^(qū)域的靜電卡盤6的溫度變化的斜率為0.23。因此，在存儲(chǔ)部204中保存有圖6所示的校正表2040的情況下，計(jì)算部203例如獲取-4.5來作為校正值。而且，在目標(biāo)溫度為60℃的情況下，溫度控制部205計(jì)算出55.5℃來作為校正后的目標(biāo)溫度，并對(duì)加熱器6c的電力進(jìn)行反饋控制使得靜電卡盤6的中央?yún)^(qū)域的溫度成為55.5℃。如在圖7的(a)中已說明的那樣，傳熱氣體的壓力為5Torr的情況下的半導(dǎo)體晶圓W與靜電卡盤6之間的溫度差ΔTa為14.4℃，因此進(jìn)行等離子體處理時(shí)的半導(dǎo)體晶圓W的溫度Ta’被控制為大約70℃。另外，在傳熱氣體的壓力為10Torr的圖10的(b)的例子中，向加熱器6c的電力供給開始之前的中央?yún)^(qū)域的靜電卡盤6的溫度變化的斜率為0.33。因此，在存儲(chǔ)部204中保存有圖6所示的校正表2040的情況下，計(jì)算部203例如獲取0來作為校正值。而且，在目標(biāo)溫度為60℃的情況下，溫度控制部205計(jì)算出60℃來作為校正后的目標(biāo)溫度，并對(duì)加熱器6c的電力進(jìn)行反饋控制使得靜電卡盤6的中央?yún)^(qū)域的溫度成為60℃。如在圖7的(b)已說明的那樣，傳熱氣體的壓力為10Torr的情況下的半導(dǎo)體晶圓W與靜電卡盤6之間的溫度差ΔTb為9.9℃，因此進(jìn)行等離子體處理時(shí)的半導(dǎo)體晶圓W的溫度Tb’被控制為大約70℃。另外，在傳熱氣體的壓力為20Torr的圖10的(c)的例子中，向加熱器6c的電力供給開始之前的中央?yún)^(qū)域的靜電卡盤6的溫度變化的斜率是0.42。因此，在存儲(chǔ)部204中保存有圖6所示的校正表2040的情況下，計(jì)算部203例如獲取+3.3來作為校正值。而且，在目標(biāo)溫度為60℃的情況下，溫度控制部205計(jì)算出63.3℃來作為校正后的目標(biāo)溫度，并對(duì)加熱器6c的電力進(jìn)行反饋控制使得靜電卡盤6的中央?yún)^(qū)域的溫度成為63.3℃。如在圖7的(c)已說明的那樣，傳熱氣體的壓力為20Torr的情況下的半導(dǎo)體晶圓W與靜電卡盤6之間的溫度差ΔTc為6.6℃，因此等離子體處理時(shí)的半導(dǎo)體晶圓W的溫度Tc’被控制為大約70℃。這樣，溫度傳感器20對(duì)向加熱器6c供給的電力進(jìn)行反饋控制，使得在半導(dǎo)體晶圓W與靜電卡盤6之間的熱阻大的情況下、即靜電卡盤6的溫度變化的斜率小的情況下靜電卡盤6的目標(biāo)溫度降低，在半導(dǎo)體晶圓W與靜電卡盤6之間的熱阻小的情況下、即靜電卡盤6的溫度變化的斜率大的情況下靜電卡盤6的目標(biāo)溫度上升。由此，即使在處理多個(gè)半導(dǎo)體晶圓W的過程中半導(dǎo)體晶圓W與靜電卡盤6之間的熱阻發(fā)生了變化的情況下，也能夠抑制在多個(gè)半導(dǎo)體晶圓W間產(chǎn)生進(jìn)行等離子體處理時(shí)的溫度偏差。[創(chuàng)建校正表2040時(shí)的處理流程]圖11是表示實(shí)施例1中的校正表創(chuàng)建處理的一例的流程圖。此外，在圖11所示的處理之前，加熱器電源30停止向加熱器6c供給電力或者使向加熱器6c供給的電力固定，靜電卡盤6通過在基材2a內(nèi)流通的制冷劑而被冷卻至規(guī)定溫度。另外，溫度測(cè)量用晶圓W’的溫度為室溫。首先，計(jì)算部203指示未圖示的輸送機(jī)器人將溫度測(cè)量用晶圓W’搬入到處理腔室1內(nèi)并載置在靜電卡盤6上(S100)。然后，計(jì)算部203針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60選擇向溫度測(cè)量用晶圓W’與靜電卡盤6之間供給的傳熱氣體的壓力(S101)。在本實(shí)施例中，計(jì)算部203依次選擇5Torr、10Torr以及20Torr中的任一個(gè)來作為傳熱氣體的壓力。接著，計(jì)算部203開始經(jīng)由獲取部202獲取每個(gè)分割區(qū)域60的靜電卡盤6的溫度信息(S102)。然后，計(jì)算部203指示傳熱氣體控制部201開始供給在步驟S101中針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60選擇出的壓力的傳熱氣體。由此，針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60開始向溫度測(cè)量用晶圓W’與靜電卡盤6之間供給傳熱氣體(S103)。然后，在溫度測(cè)量用晶圓W’與靜電卡盤6之間，經(jīng)由傳熱氣體進(jìn)行的熱交換開始。接著，計(jì)算部203待機(jī)，直到從傳熱氣體的供給開始起經(jīng)過了規(guī)定時(shí)間(例如十秒左右)為止(S104)。然后，計(jì)算部203指示溫度控制部205開始向加熱器6c供給電力。由此，從加熱器電源30向加熱器6c的電力供給開始(S105)。然后，溫度控制部205開始對(duì)向加熱器6c供給的電力進(jìn)行反饋控制，使得靜電卡盤6的溫度成為目標(biāo)溫度。接著，處理控制部206待機(jī)規(guī)定時(shí)間，直到溫度測(cè)量用晶圓W’的溫度穩(wěn)定為止(S106)。然后，處理控制部206基于創(chuàng)建校正表2040時(shí)的處理制程開始控制高頻電力、處理氣體的供給等，由此在處理腔室1內(nèi)生成處理氣體的等離子體(S107)。接著，處理控制部206待機(jī)規(guī)定時(shí)間，直到溫度測(cè)量用晶圓W’的溫度穩(wěn)定為止(S108)。然后，處理控制部206使高頻電力、處理氣體的供給等停止(S109)。然后，計(jì)算部203指示傳熱氣體控制部201停止供給傳熱氣體，并指示溫度控制部205停止向加熱器6c供給電力或使向加熱器6c供給的電力固定(S110)。然后，計(jì)算部203停止獲取每個(gè)分割區(qū)域60的靜電卡盤6的溫度信息(S111)。接著，計(jì)算部203判定是否針對(duì)作為測(cè)量對(duì)象的所有壓力(在本實(shí)施例中為5Torr、10Torr以及20Torr)進(jìn)行了溫度測(cè)量用晶圓W’和靜電卡盤6的溫度測(cè)量(S112)。在作為測(cè)量對(duì)象的壓力中存在未進(jìn)行溫度測(cè)量用晶圓W’和靜電卡盤6的溫度測(cè)量的壓力的情況下(S112：“否”)，計(jì)算部203待機(jī)規(guī)定時(shí)間，直到靜電卡盤6通過冷卻單元33而被冷卻至規(guī)定溫度且溫度測(cè)量用晶圓W’的溫度恢復(fù)到室溫(S113)。然后，計(jì)算部203再次執(zhí)行步驟S101所示的處理。另一方面，在針對(duì)作為測(cè)量對(duì)象的所有壓力進(jìn)行了溫度測(cè)量用晶圓W’和靜電卡盤6的溫度測(cè)量的情況下(S112：“是”)，如使用圖8已說明的那樣，計(jì)算部203針對(duì)各分割區(qū)域60，按傳熱氣體的每個(gè)壓力計(jì)算時(shí)間點(diǎn)t11與時(shí)間點(diǎn)t12之間的期間的靜電卡盤6的溫度變化的斜率(S114)，其中，該時(shí)間點(diǎn)t11是從傳熱氣體的供給開始的時(shí)間點(diǎn)t1起經(jīng)過了第一時(shí)間的時(shí)間點(diǎn)，該時(shí)間點(diǎn)t12是從時(shí)間點(diǎn)t11起經(jīng)過了第二時(shí)間Δt的時(shí)間點(diǎn)。接著，計(jì)算部203針對(duì)各分割區(qū)域60，按傳熱氣體的每個(gè)壓力基于上述計(jì)算式(1)來計(jì)算與作為基準(zhǔn)的溫度對(duì)應(yīng)的校正值Toff(S115)。然后，計(jì)算部203針對(duì)各分割區(qū)域60，按傳熱氣體的每個(gè)壓力來創(chuàng)建將靜電卡盤6的溫度變化的斜率與校正值Toff相關(guān)聯(lián)的單獨(dú)表2041(參照?qǐng)D6)，并將包含所創(chuàng)建的單獨(dú)表2041的校正表2040保存到存儲(chǔ)部204中(S116)。[對(duì)半導(dǎo)體晶圓W執(zhí)行處理時(shí)的處理流程]圖12是表示實(shí)施例1中的對(duì)半導(dǎo)體晶圓W執(zhí)行的處理的一例的流程圖。此外，在執(zhí)行圖12所示的處理之前，加熱器電源30停止向加熱器6c供給電力或使向加熱器6c供給的電力固定，靜電卡盤6通過在基材2a內(nèi)流通的制冷劑而被冷卻至規(guī)定溫度。另外，半導(dǎo)體晶圓W的溫度為室溫。首先，計(jì)算部203指示未圖示的輸送機(jī)器人將半導(dǎo)體晶圓W搬入到處理腔室1內(nèi)并載置在靜電卡盤6上(S200)。然后，計(jì)算部203開始經(jīng)由獲取部202獲取每個(gè)分割區(qū)域60的靜電卡盤6的溫度信息(S201)。接著，計(jì)算部203指示傳熱氣體控制部201基于對(duì)針對(duì)半導(dǎo)體晶圓W執(zhí)行的處理進(jìn)行規(guī)定的處理制程，開始針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60向半導(dǎo)體晶圓W與靜電卡盤6之間供給規(guī)定的壓力的傳熱氣體。由此，開始針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60向半導(dǎo)體晶圓W與靜電卡盤6之間供給傳熱氣體(S202)。然后，在半導(dǎo)體晶圓W與靜電卡盤6之間，經(jīng)由傳熱氣體進(jìn)行的熱交換開始。接著，計(jì)算部203待機(jī)，直到從傳熱氣體的供給開始起到經(jīng)過了規(guī)定時(shí)間(例如十秒左右)為止(S203)。然后，計(jì)算部203針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60計(jì)算時(shí)間點(diǎn)t11與時(shí)間點(diǎn)t12之間的期間的靜電卡盤6的溫度變化的斜率，其中，該時(shí)間點(diǎn)t11是從傳熱氣體的供給開始的時(shí)間點(diǎn)t1起經(jīng)過了第一時(shí)間的時(shí)間點(diǎn)，該時(shí)間點(diǎn)t12是從時(shí)間點(diǎn)t11起經(jīng)過了第二時(shí)間Δt的時(shí)間點(diǎn)。然后，計(jì)算部203針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60，從存儲(chǔ)部204內(nèi)的校正表2040中獲取與計(jì)算出的斜率相關(guān)聯(lián)的校正值(S204)。然后，計(jì)算部203指示溫度控制部205開始向加熱器6c供給電力，并且向溫度控制部205輸出針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60獲取到的校正值。溫度控制部205針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60，通過對(duì)處理控制部206所指示的目標(biāo)溫度加上計(jì)算部203所指示的校正值來校正目標(biāo)溫度(S205)。然后，溫度控制部205開始向加熱器6c供給電力，并且針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60對(duì)向加熱器6c供給的電力進(jìn)行反饋控制，使得靜電卡盤6的溫度成為校正后的目標(biāo)溫度(S206)。接著，處理控制部206待機(jī)規(guī)定時(shí)間，直到半導(dǎo)體晶圓W的溫度穩(wěn)定為止(S207)。然后，處理控制部206基于對(duì)針對(duì)半導(dǎo)體晶圓W執(zhí)行的處理進(jìn)行規(guī)定的處理制程，來開始供給控制高頻電力、處理氣體等，由此執(zhí)行等離子體處理(S208)。在等離子體處理結(jié)束了的情況下，處理控制部206使高頻電力、處理氣體的供給等停止(S209)。然后，計(jì)算部203指示傳熱氣體控制部201停止供給傳熱氣體，并指示溫度控制部205停止向加熱器6c供給電力或使向加熱器6c供給的電力固定(S210)。然后，計(jì)算部203停止針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60獲取靜電卡盤6的溫度信息(S211)。然后，計(jì)算部203指示未圖示的輸送機(jī)器人將半導(dǎo)體晶圓W從處理腔室1內(nèi)搬出(S212)。以上，說明了實(shí)施例1。根據(jù)上述說明可知，根據(jù)本實(shí)施例的處理系統(tǒng)10，即使在處理多個(gè)半導(dǎo)體晶圓W的過程中半導(dǎo)體晶圓W與靜電卡盤6之間的熱阻發(fā)生了變化的情況下，也能夠在多個(gè)半導(dǎo)體晶圓W間抑制進(jìn)行等離子體處理時(shí)的溫度偏差。[實(shí)施例2]在實(shí)施例1中，針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60，根據(jù)半導(dǎo)體晶圓W與靜電卡盤6之間的熱阻校正了靜電卡盤6的目標(biāo)溫度，但在本實(shí)施例中，針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60，根據(jù)半導(dǎo)體晶圓W與靜電卡盤6之間的熱阻來控制向半導(dǎo)體晶圓W與靜電卡盤6之間供給的傳熱氣體的壓力，由此抑制伴隨半導(dǎo)體晶圓W與靜電卡盤6之間的熱阻的變化而發(fā)生的半導(dǎo)體晶圓W的溫度變化。本實(shí)施例對(duì)于靜電卡盤6的目標(biāo)溫度為固定值的處理系統(tǒng)10、在靜電卡盤6內(nèi)未設(shè)置加熱器6c的處理系統(tǒng)10特別有效。此外，本實(shí)施例的處理系統(tǒng)10、處理裝置100以及控制裝置200除了以下所說明的點(diǎn)以外，與使用圖1～圖5說明的實(shí)施例1的處理系統(tǒng)10、處理裝置100以及控制裝置200相同，因此省略重復(fù)的說明。在本實(shí)施例中，存儲(chǔ)部204例如存儲(chǔ)如圖13所示的校正表2043。圖13是表示實(shí)施例2的校正表2043的一例的圖。例如圖13所示，在校正表2043中按每個(gè)分割區(qū)域60(中央?yún)^(qū)域和邊緣區(qū)域)來存儲(chǔ)關(guān)系式和斜率的目標(biāo)值。關(guān)系式是表示傳熱氣體的壓力改變了的情況下的靜電卡盤6的溫度變化的斜率的變化傾向的近似式。斜率的目標(biāo)值表示在靜電卡盤6的溫度變化中作為目標(biāo)的斜率。作為目標(biāo)的斜率例如是決定了處理的處理?xiàng)l件時(shí)的斜率。此外，在圖13所示的關(guān)系式中，x表示傳熱氣體的壓力，y表示靜電卡盤6的溫度變化的斜率。[創(chuàng)建校正表2043時(shí)的處理流程]圖14是表示實(shí)施例2的校正表2043的創(chuàng)建處理的一例的流程圖。此外，除了以下說明的點(diǎn)以外，對(duì)與使用圖11已說明的校正表2040的創(chuàng)建處理相同的處理附加相同的附圖標(biāo)記并省略說明。首先，控制裝置200執(zhí)行在圖11中已說明的步驟S100～S114的處理。然后，計(jì)算部203針對(duì)各分割區(qū)域60，按傳熱氣體的每個(gè)壓力來計(jì)算表示傳熱氣體的壓力與靜電卡盤6的溫度變化的斜率之間的關(guān)系的關(guān)系式(S120)。例如圖15所示，假定為按傳熱氣體的每個(gè)壓力計(jì)算出由多個(gè)點(diǎn)86表示的值來作為靜電卡盤6的溫度變化的斜率。在圖15中，橫軸表示傳熱氣體的壓力，縱軸表示靜電卡盤6的溫度變化的斜率。計(jì)算部203基于多個(gè)點(diǎn)86的分布計(jì)算出表示多個(gè)點(diǎn)86的分布的傾向的直線85來作為關(guān)系式。在本實(shí)施例中，例如圖13所示，針對(duì)中央?yún)^(qū)域，計(jì)算出“y＝0.0121x+0.185”來作為關(guān)系式，針對(duì)邊緣區(qū)域，計(jì)算出“y＝0.0141x+0.155”來作為關(guān)系式。此外，在本實(shí)施例中，關(guān)系式是直線，但只要是表示多個(gè)點(diǎn)86的趨勢(shì)的線即可，也可以是曲線。接著，計(jì)算部203決定靜電卡盤6的溫度變化的斜率的目標(biāo)值(S121)。關(guān)于靜電卡盤6的溫度變化的斜率的目標(biāo)值，例如能夠使用進(jìn)行等離子體處理時(shí)的半導(dǎo)體晶圓W的溫度成為作為基準(zhǔn)的規(guī)定溫度的情況下的基準(zhǔn)靜電卡盤6的溫度變化的斜率。此外，靜電卡盤6的溫度變化的斜率同半導(dǎo)體晶圓W與靜電卡盤6之間的熱阻具有相關(guān)性。決定靜電卡盤6的溫度變化的斜率的目標(biāo)值對(duì)應(yīng)于決定半導(dǎo)體晶圓W與靜電卡盤6之間的熱阻的目標(biāo)值。半導(dǎo)體晶圓W與靜電卡盤6之間的熱阻在某種程度上能夠通過傳熱氣體的壓力來控制。因此，優(yōu)選靜電卡盤6的溫度變化的斜率的目標(biāo)值處于能夠通過傳熱氣體的壓力來控制的熱阻的范圍的大致中央附近。在本實(shí)施例中，如圖13所示，針對(duì)中央?yún)^(qū)域和邊緣區(qū)域，例如將0.3決定為靜電卡盤6的溫度變化的斜率的目標(biāo)值。然后，計(jì)算部203創(chuàng)建包含針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60計(jì)算出的關(guān)系式和靜電卡盤6的溫度變化的斜率的目標(biāo)值的校正表2043，并將創(chuàng)建出的校正表2043保存到存儲(chǔ)部204中(S122)。[對(duì)半導(dǎo)體晶圓W執(zhí)行處理時(shí)的處理流程]圖16是表示實(shí)施例2中的對(duì)半導(dǎo)體晶圓W執(zhí)行的處理的一例的流程圖。此外，除了以下說明的點(diǎn)以外，對(duì)與使用圖12已說明的對(duì)半導(dǎo)體晶圓W執(zhí)行的處理相同的處理附加相同的附圖標(biāo)記并省略說明。首先，控制裝置200執(zhí)行在圖12中已說明的步驟S200～S203的處理。然后，計(jì)算部203針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60計(jì)算時(shí)間點(diǎn)t11與時(shí)間點(diǎn)t12之間的期間的靜電卡盤6的溫度變化的斜率(S220)，其中，該時(shí)間點(diǎn)t11是從傳熱氣體的供給開始的時(shí)間點(diǎn)t1起經(jīng)過了第一時(shí)間的時(shí)間點(diǎn)，該時(shí)間點(diǎn)t12是從時(shí)間點(diǎn)t11起經(jīng)過了第二時(shí)間的時(shí)間點(diǎn)。在此，例如圖15所示，假定計(jì)算出由點(diǎn)87表示的值來作為某個(gè)分割區(qū)域60中的靜電卡盤6的溫度變化的斜率。接著，計(jì)算部203從校正表2043獲取每個(gè)分割區(qū)域60的關(guān)系式。然后，計(jì)算部203使由按每個(gè)分割區(qū)域60從校正表2043獲取到的關(guān)系式表示的直線以經(jīng)過在步驟S220中計(jì)算出的溫度變化的斜率的值的方式平行移動(dòng)(S221)。例如圖15所示，計(jì)算部203使表示從校正表2043獲取到的關(guān)系式的直線85以經(jīng)過表示在步驟S220中計(jì)算出的溫度變化的斜率的值的點(diǎn)87的方式平行移動(dòng)，由此得到直線88。接著，計(jì)算部203針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60，計(jì)算在平行移動(dòng)后的直線上的點(diǎn)處靜電卡盤6的溫度變化的斜率成為目標(biāo)值的情況下的傳熱氣體的壓力(S222)。例如圖15所示，計(jì)算部203計(jì)算在平行移動(dòng)后的直線88上的點(diǎn)處靜電卡盤6的溫度變化的斜率成為目標(biāo)值0.3的情況下的傳熱氣體的壓力P。然后，計(jì)算部203對(duì)傳熱氣體控制部201指示針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60計(jì)算出的壓力P。傳熱氣體控制部201針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60變更每個(gè)分割區(qū)域60的傳熱氣體的壓力，使得傳熱氣體的壓力成為計(jì)算部203所指示的壓力P(S223)。然后，控制裝置200執(zhí)行在圖12中已說明的步驟S205～S212的處理。以上，說明了實(shí)施例2。根據(jù)上述說明可知，根據(jù)本實(shí)施例的處理系統(tǒng)10，即使在處理多個(gè)半導(dǎo)體晶圓W的過程中半導(dǎo)體晶圓W與靜電卡盤6之間的熱阻發(fā)生了變化的情況下，也能夠在多個(gè)半導(dǎo)體晶圓W間抑制進(jìn)行等離子體處理時(shí)的溫度偏差。另外，在靜電卡盤6的目標(biāo)溫度為固定值的處理系統(tǒng)10、在靜電卡盤6內(nèi)未設(shè)置加熱器6c的處理系統(tǒng)10中，也能夠抑制伴隨半導(dǎo)體晶圓W與靜電卡盤6之間的熱阻的變化而發(fā)生的半導(dǎo)體晶圓W間的溫度變化。[控制裝置200的硬件]此外，上述各實(shí)施例中的控制裝置200例如由如圖17所示那樣的計(jì)算機(jī)90來實(shí)現(xiàn)。圖17是表示實(shí)現(xiàn)控制裝置200的功能的計(jì)算機(jī)90的一例的圖。計(jì)算機(jī)90具備CPU(CentralProcessingUnit：中央處理單元)91、RAM(RandomAccessMemory：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)92、ROM(ReadOnlyMemory：只讀存儲(chǔ)器)93、輔助存儲(chǔ)裝置94、無線通信設(shè)備95、通信接口(I/F)96、輸入輸出接口(I/F)97以及介質(zhì)接口(I/F)98。CPU91基于ROM93或輔助存儲(chǔ)裝置94中存儲(chǔ)的程序來進(jìn)行動(dòng)作并進(jìn)行各部的控制。ROM93用于存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)90啟動(dòng)時(shí)由CPU91執(zhí)行的引導(dǎo)程序、依賴于計(jì)算機(jī)90的硬件的程序等。輔助存儲(chǔ)裝置94例如是HDD(HardDiskDrive：硬盤驅(qū)動(dòng)器)或SSD(SolidStateDrive：固態(tài)驅(qū)動(dòng)器)等，存儲(chǔ)由CPU91執(zhí)行的程序和該程序所使用的數(shù)據(jù)等。CPU91將該程序從輔助存儲(chǔ)裝置94讀出并加載到RAM92上，執(zhí)行所加載的程序。無線通信機(jī)95通過無線通信而與溫度測(cè)量用晶圓W’進(jìn)行通信，接收從溫度測(cè)量用晶圓W’發(fā)送的數(shù)據(jù)并向CPU91發(fā)送該數(shù)據(jù)。通信I/F96通過LAN(LocalAreaNetwork：局域網(wǎng))等通信線路而與處理裝置100之間進(jìn)行通信。通信I/F96從處理裝置100接收數(shù)據(jù)并向CPU91發(fā)送該數(shù)據(jù)，將由CPU91生成的數(shù)據(jù)經(jīng)由該通信線路發(fā)送到處理裝置100。CPU91經(jīng)由輸入輸出I/F97來控制鍵盤等輸入裝置和顯示器等輸出裝置。CPU91經(jīng)由輸入輸出I/F97獲取從輸入裝置輸入的信號(hào)并向CPU91發(fā)送該信號(hào)。另外，CPU91經(jīng)由輸入輸出I/F97向輸出裝置輸出所生成的數(shù)據(jù)。介質(zhì)I/F98讀取記錄介質(zhì)99中存儲(chǔ)的程序或數(shù)據(jù)，并將該程序或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到輔助存儲(chǔ)裝置94中。記錄介質(zhì)99例如是DVD(DigitalVersatileDisc：數(shù)字通用光盤)、PD(PhasechangerewritableDisk：相變可擦寫光盤)等光學(xué)記錄介質(zhì)、MO(Magneto-Opticaldisk：磁光盤)等光磁記錄介質(zhì)、帶介質(zhì)、磁記錄介質(zhì)或半導(dǎo)體存儲(chǔ)器等。計(jì)算機(jī)90的CPU91通過執(zhí)行被加載到RAM92上的程序來實(shí)現(xiàn)傳熱氣體控制部201、獲取部202、計(jì)算部203、溫度控制部205以及處理控制部206的各種功能。另外，存儲(chǔ)部204內(nèi)的數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)于輔助存儲(chǔ)裝置94。計(jì)算機(jī)90的CPU91將被加載到RAM92上的程序從記錄介質(zhì)99讀取并存儲(chǔ)到輔助存儲(chǔ)裝置94中，但作為其它例，也可以從其它裝置經(jīng)由通信線路獲取程序并將該程序存儲(chǔ)到輔助存儲(chǔ)裝置94中。此外，所公開的技術(shù)并不限定于上述實(shí)施方式，在其主旨的范圍內(nèi)能夠進(jìn)行多種變形。例如，計(jì)算部203也可以計(jì)算出例如以下期間內(nèi)的靜電卡盤6的溫度變化的斜率來作為同半導(dǎo)體晶圓W或溫度測(cè)量用晶圓W’與靜電卡盤6之間的熱阻相應(yīng)的靜電卡盤6的溫度變化的斜率。圖18是說明計(jì)算靜電卡盤6的溫度變化的斜率的期間的一例的圖。例如圖18所示，在傳熱氣體的供給開始的時(shí)間點(diǎn)t1之前，靜電卡盤6的溫度通過冷卻單元33而被控制為規(guī)定的溫度Tmin。然后，從傳熱氣體的供給開始的時(shí)間點(diǎn)t1起，由于靜電卡盤6與半導(dǎo)體晶圓W或溫度測(cè)量用晶圓W’之間的熱交換靜電卡盤6的溫度上升。然后，在不向加熱器6c供給電力的情況下，靜電卡盤6的溫度以規(guī)定的溫度Tmax為峰值再次降低，并恢復(fù)到由冷卻單元33控制的溫度Tmin。在此，在靜電卡盤6的溫度變化中，溫度變化的斜率越大的期間，在半導(dǎo)體晶圓W或溫度測(cè)量用晶圓W’與靜電卡盤6之間的熱阻發(fā)生了變化的情況下越容易產(chǎn)生溫度變化的斜率的差。因此，優(yōu)選的是，在從圖18所示的時(shí)間點(diǎn)t1起直到靜電卡盤6的溫度變?yōu)樽畲蟮臅r(shí)間點(diǎn)ta為止的期間，將溫度變化的斜率變大的期間的開始時(shí)間點(diǎn)設(shè)為t11，將結(jié)束時(shí)間點(diǎn)設(shè)為時(shí)間點(diǎn)t12。例如，在將溫度Tmin設(shè)為0％，將溫度Tmax設(shè)為100％的情況下，時(shí)間點(diǎn)t11例如可以是靜電卡盤6的溫度T1處于10％～30％的范圍內(nèi)的時(shí)間點(diǎn)，時(shí)間點(diǎn)t12例如可以是靜電卡盤6的溫度T2處于70％～90％的范圍內(nèi)的時(shí)間點(diǎn)。另外，在上述各實(shí)施例中，根據(jù)半導(dǎo)體晶圓W或溫度測(cè)量用晶圓W’的溫度高于靜電卡盤6的溫度的狀態(tài)來計(jì)算靜電卡盤6的溫度變化的斜率，但并不限于所公開的技術(shù)。例如，也可以根據(jù)半導(dǎo)體晶圓W或溫度測(cè)量用晶圓W’的溫度低于靜電卡盤6的溫度的狀態(tài)來計(jì)算靜電卡盤6的溫度變化的斜率。在該情況下，靜電卡盤6的溫度以隨著時(shí)間的經(jīng)過而溫度下降的方式變化。另外，在該情況下，靜電卡盤6的溫度變化的斜率的大小也根據(jù)半導(dǎo)體晶圓W或溫度測(cè)量用晶圓W’與靜電卡盤6之間的熱阻而發(fā)生變化。另外，在上述實(shí)施例1中，在針對(duì)每個(gè)半導(dǎo)體晶圓W執(zhí)行處理時(shí)，基于靜電卡盤6的溫度變化來校正目標(biāo)溫度，但作為其它例，也可以是，針對(duì)規(guī)定數(shù)量的半導(dǎo)體晶圓W一次性地進(jìn)行基于靜電卡盤6的溫度變化來校正目標(biāo)溫度的處理，使用校正后的目標(biāo)溫度來對(duì)半導(dǎo)體晶圓W執(zhí)行處理，直到下一次進(jìn)行校正目標(biāo)溫度的處理為止。另外，在上述實(shí)施例2中，在針對(duì)每個(gè)半導(dǎo)體晶圓W執(zhí)行處理時(shí)，基于靜電卡盤6的溫度變化來變更傳熱氣體的壓力，但作為其它例，也可以是，針對(duì)規(guī)定數(shù)量的半導(dǎo)體晶圓W一次性地進(jìn)行基于靜電卡盤6的溫度變化來變更傳熱氣體的壓力的處理，使用變更后的傳熱氣體的壓力對(duì)半導(dǎo)體晶圓W執(zhí)行處理，直到下一次進(jìn)行變更傳熱氣體的壓力的處理為止。由此，能夠使處理多個(gè)半導(dǎo)體晶圓W時(shí)的生產(chǎn)率提高。另外，在上述各實(shí)施例中，也可以是，將靜電卡盤6的上表面分割為同心圓狀的兩個(gè)分割區(qū)域60，能夠針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域60獨(dú)立地控制加熱器6c的電力和傳熱氣體的壓力。但是，分割區(qū)域60的個(gè)數(shù)并不限于兩個(gè)，也可以是三個(gè)以上。另外，各分割區(qū)域60的分割方法并不限于同心圓狀，也可以被分割為柵格狀、放射狀。以上，使用實(shí)施方式說明了本發(fā)明，本發(fā)明的技術(shù)范圍并不限定于上述實(shí)施方式中記載的范圍。能夠?qū)ι鲜鰧?shí)施方式施以多種變更或改進(jìn)，這對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是顯而易見的。另外，根據(jù)權(quán)利要求書的記載可知，被施以這種變更或改進(jìn)后的方式也包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。當(dāng)前第1頁1 2 3 當(dāng)前第1頁1 2 3