本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，特別涉及一種殘留物的清除方法。

背景技術(shù)：

在集成電路制造工藝中，刻蝕貫穿整個(gè)工藝流程，晶圓表面各種器件圖形的形成均是通過刻蝕形成的。所謂刻蝕是指從晶圓表面的薄膜上移除部分材料以形成圖形的過程。通過刻蝕，可以實(shí)現(xiàn)圖形從掩膜版到晶圓的轉(zhuǎn)移。

其中，通孔刻蝕(Via ETCH)是指在兩層互聯(lián)金屬線之間的層間膜(通常是各種各樣的氧化膜)內(nèi)刻蝕出一系列通孔的過程，通孔里面填入用于兩層金屬線間的互聯(lián)金屬，通過這些金屬線把成千上萬的晶體管連成具有一定功能的器件回路。在通孔刻蝕過程中會(huì)產(chǎn)生聚合物(Polymer)，所述聚合物一般包含碳(C)、氟(F)、硅(Si)等元素。

所述聚合物(Polymer)是一種不必要而且難以清除的殘留物，容易和環(huán)境中的微小顆粒(Particle)一起粘附在晶圓的表面上，形成球形缺陷(ball defect)。所述球形缺陷會(huì)堵塞通孔，使得通孔尺寸變小，從而影響通孔的電阻特性。嚴(yán)重的，甚至?xí)斐山饘俨季€間的開路，導(dǎo)致器件失效。因此，在通孔刻蝕工藝之后一般需要對(duì)晶圓進(jìn)行清洗以去除其表面上的各種殘留物。

目前，主要有三種清洗方法去除晶圓表面殘留物：第一種清洗方法是毛刷清洗(Scrubber Clean)，即利用毛刷刷洗晶圓表面；第二種清洗方法是毛刷清洗的同時(shí)通入氮?dú)?Scrubber+N2 Clean)，通過氮?dú)獯祾咭约訌?qiáng)毛刷清洗的效果；第三種清洗方法是兩次藥液清洗(chemical double processed)，將晶圓依次放入化學(xué)藥液(辛酸ST250)中清洗兩次。

然而，第一種清洗方法和第二種清洗方法去除晶圓表面殘留物的效果都非常差，清洗之后球形缺陷基本上都沒有減少。第三種方法雖然能夠去除部分晶圓表面殘留物，但是由于辛酸ST250一般會(huì)自帶聚合物(Polymer)，因此清洗 效果也不盡人意，通過檢測(cè)設(shè)備觀察晶圓仍發(fā)現(xiàn)有球形缺陷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種殘留物的清除方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中無法有效去除通孔刻蝕工藝殘留物，造成通孔缺陷的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種殘留物的清除方法，所述殘留物的清除方法包括：

提供一殘留物去除對(duì)象，所述殘留物去除對(duì)象的表面上具有殘留物；

在所述殘留物去除對(duì)象的表面上形成抗反射涂層以吸附所述殘留物；

去除所述抗反射涂層。

可選的，在所述的殘留物的清除方法中，所述抗反射涂層完全覆蓋所述殘留物清除對(duì)象的表面。

可選的，在所述的殘留物的清除方法中，所述抗反射涂層的厚度在1000埃米以上。

可選的，在所述的殘留物的清除方法中，所述抗反射涂層的厚度在1500埃米到2000埃米之間。

可選的，在所述的殘留物的清除方法中，所述殘留物去除對(duì)象是晶圓。

可選的，在所述的殘留物的清除方法中，所述殘留物是通孔刻蝕工藝所產(chǎn)生的聚合物。

可選的，在所述的殘留物的清除方法中，所述殘留物是光刻膠移除工藝的殘留物。

可選的，在所述的殘留物的清除方法中，所述殘留物是辛酸ST250自帶的聚合物。

可選的，在所述的殘留物的清除方法中，形成所述抗反射涂層的工藝為涂布工藝。

可選的，在所述的殘留物的清除方法中，去除所述抗反射涂層的工藝為剝離工藝。

在本發(fā)明提供的殘留物的清除方法中，通過在殘留物去除對(duì)象的表面上涂布具有強(qiáng)烈粘附作用的抗反射涂層，使其表面上的殘留物被粘在所述抗反射涂 層上，之后去除所述抗反射涂層，從而實(shí)現(xiàn)清除殘留物的目的，由此解決了殘留物所引起的各種問題，提高了器件的特性和良率。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例的殘留物的清除方法的流程圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例的晶圓表面在形成抗反射涂層前的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例的晶圓表面形成抗反射涂層后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例的晶圓表面去除抗反射涂層后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例的殘留物的清除方法去除球形缺陷與現(xiàn)有的清洗方法去除球形缺陷的效果對(duì)比圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提出的殘留物的清除方法作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。

請(qǐng)參考圖1，其為本發(fā)明實(shí)施例的殘留物的清除方法的流程圖。如圖1所示，所述殘留物的清除方法包括：

步驟一：提供一殘留物去除對(duì)象，所述殘留物去除對(duì)象的表面上具有殘留物；

步驟二：在所述殘留物去除對(duì)象的表面上涂布抗反射涂層以吸附所述殘留物；

步驟三：去除所述抗反射涂層。

具體的，首先，如圖2所示，提供一殘留物去除對(duì)象10，所述殘留物去除對(duì)象10的表面上具有殘留物11。所述殘留物去除對(duì)象10可以是晶圓，也可以是其他半導(dǎo)體襯底或玻璃襯底。所述殘留物11可以是通孔刻蝕工藝所產(chǎn)生的聚合物(Polymer)，也可以是辛酸ST250本身自帶的聚合物(Polymer)、光刻膠移除工藝的殘留物以及各種微小顆粒(Particle)等。

接著，如圖3所示，通過涂布工藝在所述殘留物去除對(duì)象10的表面上形成 抗反射涂層(英文全稱為Bottom Anti Reflective coating，英文簡(jiǎn)稱為BARC)20，所述抗反射涂層20對(duì)于所述殘留物去除對(duì)象10表面的殘留物11，包括通孔刻蝕工藝所產(chǎn)生的聚合物都有強(qiáng)烈的粘附的作用。涂布完成后，所述殘留物去除對(duì)象10的表面完全被所述抗反射涂層20覆蓋，所述殘留物去除對(duì)象10表面的殘留物11全被粘在所述反射涂層20上。

優(yōu)選的，所述抗反射涂層20的厚度在1000埃米以上，進(jìn)一步的，所述抗反射涂層20的厚度范圍在1500埃米到2000埃米之間，例如所述抗反射涂層20的厚度為1600埃米、1700埃米、1800埃米或1900埃米。

在形成抗反射涂層20之后，通過紫外線或加熱固化所述抗反射涂層20。

最后，通過剝離工藝去除所述抗反射涂層20。如圖4所示，由于所述殘留物11全被所述抗反射涂層20牢牢地吸附住了，因此去除所述抗反射涂層20時(shí)，所述殘留物11也被完全去除了。

實(shí)驗(yàn)證明，本實(shí)施例提供的殘留物的清除方法不但簡(jiǎn)單有效，而且對(duì)各種殘留物，包括通孔刻蝕工藝所產(chǎn)生的聚合物、辛酸ST250自帶的聚合物、光刻膠移除工藝的殘留物以及各種微小顆粒都有很好的去除效果，很好地解決了殘留物所引起的各種問題。例如，在通孔刻蝕過程中產(chǎn)生的聚合物(Polymer)所造成球形缺陷。

請(qǐng)參考圖5，其為本發(fā)明實(shí)施例的殘留物的清除方法去除球形缺陷與現(xiàn)有的清洗方法去除球形缺陷的效果對(duì)比圖。如圖5所示，在通孔刻蝕之后涂布抗反射涂層粘走晶圓表面的聚合物之后，球形缺陷基本上完全沒有了(圖中A部分所示)，而在通孔刻蝕之后將晶圓放入藥液中清洗，發(fā)現(xiàn)有很多球形缺陷(圖中B部分所示)?？梢?，本實(shí)施例提供的殘留物的清除方法比現(xiàn)有的聚合物的清除方法更加有效，能夠徹底地去除球形缺陷。

綜上，在本發(fā)明實(shí)施例提供的殘留物的清除方法中，通過在殘留物去除對(duì)象的表面涂布具有強(qiáng)烈粘附作用的抗反射涂層，使其表面上的殘留物被粘在所述抗反射涂層上，之后去除所述抗反射涂層，從而實(shí)現(xiàn)清除殘留物的目的，由此解決了殘留物所引起的各種問題，提高了器件的特性和良率。

上述描述僅是對(duì)本發(fā)明較佳實(shí)施例的描述，并非對(duì)本發(fā)明范圍的任何限定，本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬 于權(quán)利要求書的保護(hù)范圍。