1.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括：
發(fā)光結(jié)構(gòu)，其具有彼此相對(duì)的第一表面和第二表面，并且包括分別提供第一表面和第二表面的第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層以及介于第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層之間的有源層，第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層的一個(gè)區(qū)朝著第二表面敞開(kāi)，并且第一表面具有布置于其上的凹凸部分；
第一電極和第二電極，它們分別布置在第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層的所述一個(gè)區(qū)和第二導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層的一個(gè)區(qū)上；
透明支承襯底，其布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)的第一表面上；以及
透明粘合劑層，其布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)的第一表面與透明支承襯底之間，并且其折射率在第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層的折射率與透明支承襯底的折射率之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，透明粘合劑層包括波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料，所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料將通過(guò)有源層產(chǎn)生的光的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換為具有不同波長(zhǎng)的光。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，透明粘合劑層包括選自由聚丙烯酸脂、聚酰亞胺、聚酰胺和苯并環(huán)丁烯構(gòu)成的組中的至少一種材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，透明支承襯底包括玻璃襯底。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，還包括波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層，其布置在透明支承襯底的表面上，并且包含波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料，所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料將通過(guò)有源層產(chǎn)生的光的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換為具有不同波長(zhǎng)的光。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，發(fā)光結(jié)構(gòu)的在其中形成有凹凸部分的第一表面的面積為第一表面的總面積的80％或者更大。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，還包括第一絕緣層和第二絕緣層，第一絕緣層具有第一開(kāi)口和第二開(kāi)口，其分別允許第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層的所述一個(gè)區(qū)和第二導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層的所述一個(gè)區(qū)敞開(kāi)，第二電極布置在第二開(kāi)口中，并且第二絕緣層允許第二電極的一部分敞開(kāi)并且覆蓋第二電極的另一部分，
其中，第一電極布置在第一開(kāi)口中，并且具有延伸至第二絕緣層的上表面的延伸部分，并且第一電極的延伸部分與第二電極重疊，同時(shí)第二絕緣層介于第一電極的延伸部分與第二電極之間。
8.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括：
發(fā)光結(jié)構(gòu)，其具有彼此相對(duì)的第一表面和第二表面，并且包括分別提供第一表面和第二表面的第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層以及介于第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層之間的有源層，第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層的一個(gè)區(qū)朝著第二表面敞開(kāi)；
第一電極和第二電極，它們分別布置在第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層的所述一個(gè)區(qū)和第二導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層的一個(gè)區(qū)中；
透明支承襯底，其布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)的第一表面上；以及
透明粘合劑層，其布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)的第一表面與透明支承襯底之間，并且包含波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料，所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料將通過(guò)有源層產(chǎn)生的第一波長(zhǎng)的光的至少一部分轉(zhuǎn)換為第二波長(zhǎng)的光。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，透明粘合劑層包括選自由硅樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、聚丙烯酸脂、聚酰亞胺、聚酰胺和苯并環(huán)丁烯構(gòu)成的組中的至少一種材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，透明粘合劑層的折射率低于第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層的折射率，并且透明粘合劑層的折射率高于透明支承襯底的折射率。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，還包括光學(xué)濾光層，其布置在透明支承襯底的表面上，并且阻擋第一波長(zhǎng)的光并且允許第二波長(zhǎng)的光透過(guò)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，還包括濾色層，其布置在光學(xué)濾光層上，并且允許處于第二波長(zhǎng)的部分波長(zhǎng)波段內(nèi)的光選擇性地透過(guò)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，還包括光漫射層，其布置在濾色層上，并且使發(fā)射的光漫射。
14.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括：
發(fā)光結(jié)構(gòu)，其包括第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層，第一通孔布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)內(nèi)部；
蝕刻停止層，其位于發(fā)光結(jié)構(gòu)的第二導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層的頂表面上，蝕刻停止層包括與第一通孔連通的第二通孔；
電流分布層，其位于發(fā)光結(jié)構(gòu)的第二導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層、第二通孔和蝕刻停止層的頂表面上；
第一電極結(jié)構(gòu)，其位于第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層的底表面上，并且電連接至第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層；
第二電極結(jié)構(gòu)，其位于第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層的底表面上，并且通過(guò)第一通孔和第二通孔電連接至電流分布層；
透明粘合劑層，其位于電流分布層上；以及
透明支承襯底，其粘附至透明粘合劑層上。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層是n型半導(dǎo)體層，第二導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層是p型半導(dǎo)體層。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，還包括布置在電流分布層與透明粘合劑層之間的折射率漸變層。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，折射率漸變層包括二氧化鈦層和二氧化硅層的多層結(jié)構(gòu)。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，折射率漸變層包括位于電流分布層的頂表面上的傾斜地沉積的銦錫氧化物層。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，透明粘合劑層的折射率在第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層的折射率與透明支承襯底的折射率之間。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，透明粘合劑層包括波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料，所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料將通過(guò)有源層產(chǎn)生的光的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換為具有不同波長(zhǎng)的光。
21.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，還包括反射層，其布置在第一通孔的內(nèi)壁和第二通孔的內(nèi)壁以及第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層的底表面上。
22.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，第一電極結(jié)構(gòu)包括位于第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層的底表面上的第一接觸層，第二電極結(jié)構(gòu)包括位于第二通孔中的第二接觸層。
23.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，透明支承襯底設(shè)有凹凸部分，凹凸部分布置在透明支承襯底的頂表面上。
24.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，透明支承襯底具有半球形形狀。
25.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，還包括波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層，其布置在透明粘合劑層與透明支承襯底之間。