技術(shù)總結(jié)
一種半導體器件及其制造方法，涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，該半導體器件包括襯底；位于襯底上的半導體層；位于半導體層上的柵極、源極和漏極，柵極位于源極和漏極之間；以及表面鈍化層，表面鈍化層包括位于半導體層上的第一部分和第二部分，第一部分位于柵極與漏極之間，第二部分位于柵極與源極之間；柵極面向漏極的第一側(cè)面與半導體層的交界處不直接接觸表面鈍化層。本發(fā)明的柵極靠近漏極的側(cè)面與表面鈍化層不直接接觸，避免因柵極與表面鈍化層直接接觸而導致的肖特基性能退化，柵極漏電增大，柵極失效等問題，器件的可靠性好。本發(fā)明還涉及該半導體元件的制作方法。

技術(shù)研發(fā)人員：裴風麗;裴軼
受保護的技術(shù)使用者：蘇州能訊高能半導體有限公司
文檔號碼：201610235532
技術(shù)研發(fā)日：2016.04.15
技術(shù)公布日：2017.01.04