技術總結
一種半導體結構包括半導體襯底、至少一個介電層、介電間隔件襯墊(DSL)層和至少一個導體。該介電層存在于半導體襯底上。該介電層具有至少一個接觸孔，其曝光半導體襯底的至少一部分。該半導體襯底具有與接觸孔連通的至少一個凹槽。該凹槽具有底表面和至少一個側壁。該DSL層至少存在于凹槽的該側壁上。導體至少部分地存在于接觸孔中并且電連接至半導體襯底。本發(fā)明還提供了用于制造半導體結構的方法。

技術研發(fā)人員：洪奇成;陳科維;王喻生;鐘明錦;吳家揚
受保護的技術使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
文檔號碼：201610146084
技術研發(fā)日：2016.03.15
技術公布日：2016.11.23