本披露的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體封裝體和裝配半導(dǎo)體封裝體的方法。

背景技術(shù)：

在期望小尺寸封裝體的應(yīng)用中經(jīng)常使用無引線的(或沒有引線的)封裝體。通常，扁平無引線封裝體提供由平坦引線框形成的近芯片級(jí)包封的封裝體。位于封裝體的底表面上的焊區(qū)提供到板(例如印刷電路板(PCB))上的電連接。

通常，無引線封裝體包括被安裝至裸片焊盤上并且如通過導(dǎo)電線電性地耦接至引線的半導(dǎo)體裸片或芯片。使封裝體更薄的改進(jìn)已經(jīng)消除了對(duì)裸片焊盤的需要。具體地，引線上芯片(COL)封裝體在沒有裸片焊盤的情況下使半導(dǎo)體裸片直接安裝在引線上。

目前針對(duì)半導(dǎo)體封裝的應(yīng)用期望具有減小的厚度的封裝體，同時(shí)高效地去除由封裝體中的半導(dǎo)體裸片產(chǎn)生的熱量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例涉及具有集成散熱片的半導(dǎo)體封裝體以及形成這些半導(dǎo)體封裝體的方法。在一個(gè)實(shí)施例中，封裝體包括多根引線，這些引線支撐并封閉該半導(dǎo)體裸片的多個(gè)周邊部分。這些引線具有形成該封裝體的多個(gè)外表面的第一和第二相對(duì)的表面。這些引線的第一表面可以形成散熱片而這些引線的第二表面形成該封裝體的用于耦接至另一個(gè)器件、襯底或板上的多個(gè)焊區(qū)。該封裝體包括包封材料，該包封材料包圍該半導(dǎo)體裸片并且位于這些引線的這些上部部分之間。該封裝體進(jìn)一步包括后部填充材料(或絕緣材料)，該后部填充材料在該半導(dǎo)體裸片下方并且在這些引線的這些下部部 分之間。

附圖說明

在這些附圖中，相同的參考號(hào)標(biāo)識(shí)相似的元件。未必按比例繪制附圖中的元件的尺寸和相對(duì)位置。

圖1A至圖1D是根據(jù)本披露的一個(gè)實(shí)施例的無引線封裝體的各個(gè)視圖的示意性展示。

圖2是圖1A至圖1D中的附接至板上的封裝體的示意性展示的橫截面視圖。

圖3A至圖3H展示了根據(jù)本披露的實(shí)施例的形成引線框條帶的各個(gè)階段。

圖4A至圖4F展示了根據(jù)本披露的實(shí)施例的用于形成封裝體(如圖1A至圖1D的封裝體)的裝配工藝的各個(gè)階段的橫截面視圖。

圖5A至圖5C是根據(jù)本披露的另一個(gè)實(shí)施例的無引線封裝體的各個(gè)視圖的示意性展示。

圖6A至圖6F展示了根據(jù)本披露的另一個(gè)實(shí)施例的用于形成封裝體(如圖5A至圖5C的封裝體)的另一個(gè)裝配工藝的各個(gè)階段的橫截面視圖。

圖7A至圖7F展示了根據(jù)本披露的又一個(gè)實(shí)施例的用于形成封裝體(如圖5A至圖5C的封裝體)的另一個(gè)裝配工藝的各個(gè)階段的橫截面視圖。

具體實(shí)施方式

應(yīng)當(dāng)理解的是，雖然出于說明性目的在此描述了本披露的具體實(shí)施例，但是可在不脫離本披露的精神和范圍的情況下做出各種修改。

在以下說明中，陳述了某些具體細(xì)節(jié)以便提供對(duì)所披露的主題的不同方面的全面理解。然而，所披露的主題可以在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下實(shí)施。在一些實(shí)例中，尚未對(duì)包括在此所披露的主題的實(shí)施例的眾所周知的半導(dǎo)體加工結(jié)構(gòu)和方法進(jìn)行詳細(xì)描述以避免模 糊本披露的其他方面的描述。

圖1A至圖1C是根據(jù)本披露的一個(gè)實(shí)施例的無引線封裝體10的橫截面視圖。圖1B是圖1A的封裝體10的俯視平面圖，而圖1C是圖1A的封裝體10的仰視平面圖。

如在圖1A中最佳地示出的，封裝體10包括第一表面12和第二相對(duì)的表面14以及多根引線16，這些引線具有從第一表面12延伸至第二表面14的多個(gè)部分。半導(dǎo)體裸片18位于多根引線16之間并且由這多根引線16支撐。具體地，半導(dǎo)體裸片18位于多根引線16的上部部分20之間并且由該多根引線16的下部部分22支撐。

如在圖1B和圖1C中示出的，封裝體10包括沿著兩側(cè)延伸至封裝體的周邊的六根引線。然而，該封裝體可以包括位于任意數(shù)量的側(cè)面上的任意數(shù)量的引線。

如在圖1B中最佳示出的，在封裝體10的第一表面12處，這些引線16中的每一根引線包括上表面24，該上表面是平面的并且形成封裝體10的第一表面12的一部分。如在圖2中示出的，每根引線16的上表面24形成焊區(qū)，該焊區(qū)被配置成用于電性地耦接至另一個(gè)器件或板，如印刷電路板。如在圖1C中最佳示出的，在封裝體10的第二表面14處，這些引線16中的每一根引線形成封裝體10的多個(gè)外側(cè)表面，該封裝體包括下表面26，該下表面是平面的并且形成封裝體10的第二表面14的一部分。

每根引線16的下表面26保持外露并且充當(dāng)耗散由半導(dǎo)體裸片18產(chǎn)成的熱量的散熱片。在封裝體10的側(cè)表面處，引線16從封裝體10的第一表面12延伸至封裝體10的第二表面14并且具有基本上對(duì)應(yīng)于封裝體10的總厚度的厚度。如在圖1A中最佳地示出的，引線16的下部部分22具有在封裝體10的內(nèi)部的內(nèi)表面25。

半導(dǎo)體裸片18的后表面30通過粘合劑材料32耦接至引線16的內(nèi)表面25。粘合劑材料32可以是被配置成用于將裸片18固定于引線16的下部部分22的內(nèi)表面25的任何材料，如粘膠、粘膏、膠帶、環(huán)氧樹脂或任何合適的材料。引線16的下部部分22具有用于 提供合適的強(qiáng)度以支撐半導(dǎo)體裸片18的厚度。

半導(dǎo)體裸片18是包括電子器件(如集成電路或機(jī)電傳感器)的任何半導(dǎo)體裸片。半導(dǎo)體裸片18具有與后表面30相對(duì)的前表面34。前表面34包括多個(gè)鍵合焊盤，這些鍵合焊盤可以位于前表面34的周邊。通過導(dǎo)電線36將半導(dǎo)體裸片18電性地耦接至引線16的下部部分22。例如，導(dǎo)電線36的第一端被耦接至裸片18的鍵合焊盤，并且導(dǎo)電線的第二端被耦接至引線16的下部部分22的內(nèi)表面25。導(dǎo)電線36可以是將半導(dǎo)體裸片18電性地耦接至引線16的任何導(dǎo)電材料。

引線16的上表面24和下表面22可以被鍍上一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電層40。該一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電層40是納米層或微層，并且可以是任何導(dǎo)電材料制成。在一個(gè)實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電層40是多個(gè)堆疊的金屬層，如Ni/Pd/Ag、Ni/Pd/Au-Ag合金或Ni/Pd/Au/Ag。如將于下文解釋的，一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電層40可以形成掩模層，該掩模層用于在裝配工藝過程中蝕刻引線框條帶的多個(gè)部分以形成封裝體的這些引線。

包封材料42包封半導(dǎo)體裸片18和導(dǎo)電線36以及引線16的上部部分20的側(cè)表面。包封材料42形成封裝體10的第一表面12和側(cè)表面的一部分。包封材料42是絕緣材料，保護(hù)半導(dǎo)體裸片的電氣部件和導(dǎo)電線不受損壞，如腐蝕、物理?yè)p壞、濕氣損壞或?qū)﹄姎馄骷筒牧系膿p壞的其他原因。在一個(gè)實(shí)施例中，包封材料42是聚合物，如環(huán)氧樹脂模。

在封裝體10的第二表面14處，在半導(dǎo)體裸片18和包封材料42下方并且在這些引線16的下部部分22之間的是后部填充材料44。后部填充材料44是絕緣材料并且可以是環(huán)氧樹脂、硅、光刻膠、具有低模量特性的任何材料或者任何合適的材料。

如在圖1C中最佳示出的，后部填充材料44在封裝體10的第二表面14處填充這些引線16的下部部分22之間的空間并且使這些引線16的下部部分22彼此電性地隔離。后部填充材料44抵靠著半導(dǎo) 體裸片18后表面30(或粘合劑材料32)和包封材料42。此外，后部填充材料44抵靠著這些引線16的下部部分22的側(cè)表面。后部填充材料44可以被配置成用于提供對(duì)封裝體10的電氣部件的附加機(jī)械支撐和/或保護(hù)。

應(yīng)當(dāng)理解，封裝體10的總厚度與用于形成封裝體的引線框的厚度相同。在一個(gè)實(shí)施例中，引線框厚度(即，封裝體的厚度)約為0.2毫米。

圖2展示了圖1A至圖1D的安裝在板(如印刷電路板(PCB)46)上的封裝體10。封裝體10的第一表面12面向PCB 46的表面。因此，這些引線16的上表面24在圖2中面向下方以耦接至PCB 46。也就是，如在本領(lǐng)域中眾所周知的，這些引線16的上表面24通過在其之間的導(dǎo)電凸塊48電性地和機(jī)械地耦接至PCB 46的多個(gè)焊區(qū)?？梢栽诜庋b體10的第一表面12與PCB 46之間提供底部填充材料(未示出)。引線16的下表面26背向PCB 46并且充當(dāng)散熱片以將由半導(dǎo)體裸片18產(chǎn)生的熱量耗散至外部環(huán)境。在一個(gè)實(shí)施例中，引線16的下表面26占據(jù)了封裝體10的第二表面14的50％至70％。就此而言，引線16的下部部分22充當(dāng)集成散熱片，用于去除從封裝體10產(chǎn)生的熱量并將該熱量轉(zhuǎn)移至外部環(huán)境。因此，其中集成了散熱片的封裝體10的總厚度遠(yuǎn)小于散熱片安裝在封裝體上的厚度。

圖3A至圖3G展示了根據(jù)本披露的實(shí)施例在各個(gè)制造階段被形成引線框條帶50的導(dǎo)電箔52的一部分的橫截面視圖，并且圖3H展示了圖3G的引線框條帶的等距視圖。在圖3G和圖3H中示出的引線框條帶50可以用于制作圖1的引線框封裝體10。

圖3A示出了導(dǎo)電箔52，該導(dǎo)電箔是用于形成引線框條帶50的基材。導(dǎo)電箔52是任何導(dǎo)電材料，并且可以是金屬材料，如銅或銅合金。導(dǎo)電箔52具有上表面54和相對(duì)的下表面56。

如在圖3B中示出的，光敏材料58(如光刻膠)是在導(dǎo)電條帶50的第一表面54和第二表面56上沉積的覆蓋層。如在圖3C中示出的，光敏材料58被圖案化以形成本領(lǐng)域中眾所周知的掩模層。光 敏材料58可以是正性或負(fù)性光刻膠。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，光敏材料58的多個(gè)部分可以外露于紫外線輻射下并且然后被光刻膠顯影劑去除，從而使導(dǎo)電箔52的外露部分60留在第一表面54和第二表面56上。

如在圖3D中示出的，使用已知技術(shù)將一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電層40電鍍于導(dǎo)電箔52的外露部分60上。電鍍可以包括電鍍一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電層40，其可以是一疊金屬層，如Ni/Pd/Ag、Ni/Pd/Au-Ag合金、Ni/Pd/Au/Ag或任何其他堆疊。替代地，該一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電層可以是單層，如單金屬層。

如在圖3E中示出的，在區(qū)域62處將光敏材料58從第一表面去除。光敏材料58保留在第一表面54和第二表面56的其他區(qū)域上。該一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電層40與光敏材料58一起形成掩模層。如在圖3F中示出的，如本領(lǐng)域中眾所周知的，導(dǎo)電箔在區(qū)域62處的上表面被蝕刻以形成開口64。如將在以下更加詳細(xì)解釋的，導(dǎo)電箔被蝕刻大于半導(dǎo)體裸片的厚度的距離以被裝配于其中。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電箔被蝕刻介于導(dǎo)電箔厚度的50％與80％之間，并且在一個(gè)實(shí)施例中被蝕刻導(dǎo)電箔的70％。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電箔52可以通過浸入蝕刻劑浴中而被蝕刻并且在一些情況中包括攪拌技術(shù)。

如將參照展示了裝配工藝的圖4A至圖4F更加詳細(xì)解釋的，導(dǎo)電箔52的開口64形成內(nèi)表面25，其一部分是圖1A至圖1D的引線的下部部分26，而第一表面54的凸起的非蝕刻部分形成圖1A至圖1D的引線的上部部分20。最后，如在圖3G中示出的，從導(dǎo)電箔52的第一表面54和第二表面56上去除光敏材料64，由此形成引線框條帶50供在裝配過程中使用。

圖3H是引線框條帶50的等距視圖。如在圖3H中示出的，在圖3F的蝕刻步驟形成的開口64在引線的相鄰上部部分20之間延伸。引線框條帶50具有由內(nèi)表面25和第二表面56限定的第一厚度以及由引線的上部部分20和第二表面56限定的第二厚度。這些引線的上部部分20通過連接部分66保持為彼此耦接。這些引線的內(nèi)表面 25通過內(nèi)連接部分67耦接在一起。

圖4A至圖4F展示了根據(jù)本披露的一個(gè)實(shí)施例的裝配封裝體(如圖1A至圖1D的封裝體10)的各個(gè)階段的橫截面視圖。圖4A示出了引線框條帶50，如圖3G至圖3H的引線框條帶50。

如在圖4B中示出的，半導(dǎo)體裸片18耦接至引線的上部部分20之間的引線框條帶50的內(nèi)表面25和內(nèi)連接部分67。例如，在將半導(dǎo)體裸片18放置在內(nèi)表面25上之前，粘合劑材料32可以被放置在半導(dǎo)體裸片18的底表面30上和/或在引線框條帶50的內(nèi)表面25上。

通過導(dǎo)電線36使用標(biāo)準(zhǔn)接線鍵合技術(shù)，半導(dǎo)體裸片18電性地耦接至該組引線。也就是說，分別地，導(dǎo)電線36的第一端耦接至半導(dǎo)體裸片18的鍵合焊盤，而導(dǎo)電線36的第二端耦接至引線框條帶50在半導(dǎo)體裸片18與引線的上部部分20之間的內(nèi)表面25上。

如在圖4C中示出的，使用常規(guī)技術(shù)圍繞半導(dǎo)體裸片18和導(dǎo)電線36形成包封材料42。例如，包封材料可以在模制工藝中被模制。應(yīng)當(dāng)理解，引線框條帶50不包括延伸至下表面的貫通開口。因此，圍繞半導(dǎo)體裸片18形成的包封材料42不流過引線框條帶50的下表面。包封材料42被模制在引線框條帶50的內(nèi)表面25之上以及在引線的上部部分20之間。包封材料42隨著時(shí)間推移而硬化，并且可以在固化步驟中硬化。

在圖4D中，引線框條帶50被翻轉(zhuǎn)，從而使得引線框條帶50的下表面面朝上。使用已知的引線框蝕刻技術(shù)從下表面蝕刻引線框條帶50的多個(gè)部分。在蝕刻步驟過程中，引線框條帶50的上表面和下表面上的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電層40充當(dāng)蝕刻圖案。因此，引線框條帶50在其上具有一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電層40的這些部分不被蝕刻，而引線框材料50所外露的區(qū)域被蝕刻掉。因此，內(nèi)連接部分67被蝕刻以使半導(dǎo)體裸片18(或粘合劑材料)外露。此外，相鄰封裝體的引線之間的連接部分66被蝕刻。盡管未在橫截面視圖中示出，但對(duì)引線框條帶50的蝕刻將封裝體內(nèi)的相鄰引線之間的引線框材料(如延伸進(jìn)入并離開頁(yè)面的那些)分開。

在單獨(dú)封裝體的相鄰引線之間形成的包封材料42保留在相鄰封裝體的引線之間；然而，包封材料42的厚度是如參照?qǐng)D3E所描述的邊緣的深度的厚度。如將于以下討論的，在相鄰封裝體之間的包封材料42形成劃切軌道用于單一切割單獨(dú)的封裝體。

如在圖4E中示出的，在半導(dǎo)體裸片18的后表面30上并且在參照?qǐng)D4D所描述的蝕刻步驟中外露的包封材料42之上沉積后部填充材料44。如以上所討論的，后部填充材料44是絕緣材料并且可以是環(huán)氧樹脂、硅、光刻膠、具有低模量特性的材料、或者任何其他合適的材料。

如在圖3F中所示，裝配工藝進(jìn)一步包括將每個(gè)封裝體10分隔成單獨(dú)的封裝體10。封裝體10可以通過各種切割方法(包括鋸切、沖切以及激光)被分開。包封材料42和/或后部填充材料44可以用作劃切軌道，該劃切軌道作為針對(duì)切割工具的視覺對(duì)準(zhǔn)。

應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，以上方法在裝配工藝過程中不要求支撐結(jié)構(gòu)或膠帶背襯材料。也就是，引線框條帶50足夠硬到支撐該裝配工藝。應(yīng)注意的是，引線框條帶不具有貫通整個(gè)材料厚度延伸的貫通開口，這可以減少引線框條帶的硬度。

此外，本文中所描述的裝配工藝涉及切割透包封材料42和/或后部填充材料44，這些材料相比于引線框材料更易于被切割透。因此，通過使用蝕刻步驟來分隔這些引線并然后切割透包封材料42和/或后部填充材料44可以獲得許多益處。具體地，切割透包封材料42和/或后部填充材料44而不必切割透引線框材料可以阻止或減少在引線的表面上形成鋸切毛邊。也就是說，已知切透引線框材料會(huì)導(dǎo)致鋸切毛邊。此外，在蝕刻步驟過程中分隔引線進(jìn)一步消除引線拖尾，該引線拖尾與鋸片切割透引線框材料相關(guān)聯(lián)。此外，通過鋸切透包封材料和/或后部填充材料，可以增加鋸切速度，由此通過鋸切工具提高生產(chǎn)量。此外，用于將封裝體切成單獨(dú)的封裝體的鋸片的刀片壽命將增加。此外，還可以使用通過沖切的單一切割。

圖5A至圖5C展示了根據(jù)本披露的另一個(gè)實(shí)施例的無引線封裝 體10a。圖5A至圖5C的無引線封裝體10a在結(jié)構(gòu)和針對(duì)圖1A至圖1D的無引線封裝體10的裝配加工上基本上相同并且因此為了簡(jiǎn)潔起見將不重復(fù)那些特征。圖5A至圖5C的封裝體10a與圖1A至圖1D的封裝體10的不同之處在于，引線16不延伸至封裝體10a的邊緣并且半導(dǎo)體裸片18以倒裝芯片安排被附接于這些引線。具體地，半導(dǎo)體裸片18的第一表面面向引線16的下部部分22的內(nèi)表面25。導(dǎo)電凸塊70(如焊料凸塊)將半導(dǎo)體裸片18的鍵合焊盤電性地耦接于引線16的下部部分22的內(nèi)表面25。應(yīng)理解的是，本文中所描述的任何實(shí)施例可以涉及以倒裝芯片安排或通過接線鍵合將半導(dǎo)體裸片18安裝在引線16上。也就是說，如本領(lǐng)域眾所周知的，可以用倒裝芯片配置將封裝體10中的裸片電性地耦接于這些引線，并且可以通過接線鍵合將封裝體10a中的裸片電性地耦接于這些引線。

如以上所指示的，封裝體10a的引線16不延伸至封裝體10a的邊緣。而且，如在圖5B和圖5C中示出的，包封材料42和后部填充材料44位于封裝體10a的周邊周圍。

圖6A至圖6F展示了根據(jù)本披露的另一個(gè)實(shí)施例的裝配封裝體10a的各個(gè)階段的橫截面視圖。概括地描述，圖6A至圖6F的裝配工藝與圖4A至圖4G的裝配工藝不同之處在于，引線框材料在劃切軌道中未被完全地蝕刻掉。此外，引線16被形成使得它們不延伸至封裝體10a的側(cè)表面。而且，引線16是后拉配置，因?yàn)檫@些引線從封裝體的邊緣偏移并且包封材料42和后部填充材料44位于封裝體的邊緣或側(cè)表面處。應(yīng)理解的是，后拉引線可以與也參照?qǐng)D4A至圖4F描述的裝配工藝一起被利用。最后，以倒裝芯片配置將半導(dǎo)體裸片18電性地和機(jī)械地耦接于引線16。

如在圖6A中示出的，引線框條帶50a可以被形成為具有位于劃切軌道的相對(duì)側(cè)上的引線16的外部的多個(gè)空腔72?？梢栽谌魏坞A段(包括在加工引線框條帶50時(shí))形成這些空腔72。例如，如將對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言清楚的是，參照?qǐng)D3E，可以在開口64被蝕刻的同時(shí)形成這些空腔。替代地，空腔72可以在之后的步驟中被蝕刻。

如在圖6B中示出的，如本領(lǐng)域眾所周知的，以倒裝芯片安排將半導(dǎo)體裸片18耦接于引線框條帶50a在引線16的上部部分20之間的內(nèi)表面25。例如，導(dǎo)電凸塊70可以耦接于半導(dǎo)體裸片18的鍵合焊盤并且然后被安裝于引線16上?？梢栽诎雽?dǎo)體裸片18與引線16的內(nèi)表面25之間提供底部填充材料(未示出)。

如在圖6C中示出的，圍繞半導(dǎo)體裸片18形成包封材料42。也在空腔72中模制包封材料42。

如在圖6D中示出的，引線框條帶50a被翻轉(zhuǎn)過來，從而使得引線框條帶的下表面面向上并且從該下表面蝕刻引線框條帶50a的多個(gè)部分。具體地，外露且未被一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電層40覆蓋的引線框材料的多個(gè)部分被蝕刻。例如，內(nèi)連接部分67被蝕刻以使半導(dǎo)體裸片18外露。此外，連接部分66也被蝕刻。然而，如在圖6D中示出的，連接部分66未被完全蝕刻透而僅蝕刻到一半。

如在圖6E中示出的，在半導(dǎo)體裸片18之上以及在被填充至空腔中的包封材料42之上沉積后部填充材料44。盡管未示出，可以在保留的引線框材料的連接部分66之上沉積后部填充材料44。

參照?qǐng)D6F，該方法包括將每個(gè)封裝體分隔成單獨(dú)的封裝體10a。

圖7A至圖7F展示了根據(jù)本披露的另一個(gè)實(shí)施例的裝配封裝體10a的各個(gè)階段的橫截面視圖。概括地描述，圖7A至圖7F的裝配工藝與圖6A至圖6F的裝配工藝基本上相同。然而，不同之處在于當(dāng)形成開口64時(shí)，還形成了開口69而不是空腔72。開口69位于相鄰封裝體的相鄰引線20之間。如在圖7C中示出的，在圍繞半導(dǎo)體裸片18的開口64中形成包封材料42的同一步驟過程中，包封材料42填充開口69。因此，在圖7D的蝕刻步驟過程中，在相鄰封裝體之間去除所有引線框材料從而外露出下面的包封材料42。如在圖7E中示出的，在相鄰封裝體之間在外露的包封材料42之上沉積后部填充材料44。在圖7F中示出的單一切割可以通過切割或沖壓透包封材料42而發(fā)生。

上述各實(shí)施例可以被組合以提供進(jìn)一步的實(shí)施例。在本說明書中 所提及的和/或在申請(qǐng)資料表中所列出的所有美國(guó)專利、美國(guó)專利申請(qǐng)出版物、美國(guó)專利申請(qǐng)、國(guó)外專利、國(guó)外專利申請(qǐng)和非專利出版物都以其全文通過引用并入本文。如有必要，可以對(duì)實(shí)施例的各方面進(jìn)行修改，以利用各專利、申請(qǐng)和出版物的概念來提供更進(jìn)一步的實(shí)施例。

鑒于以上詳細(xì)說明，可以對(duì)實(shí)施例做出這些和其他變化。總之，在以下權(quán)利要求書中，所使用的術(shù)語(yǔ)不應(yīng)當(dāng)被解釋為將權(quán)利要求書局限于本說明書和權(quán)利要求書中所披露的特定實(shí)施例，而是應(yīng)當(dāng)被解釋為包括所有可能的實(shí)施例、連同這些權(quán)利要求有權(quán)獲得的等效物的整個(gè)范圍。因此，權(quán)利要求書并不受到本披露的限制。