技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中，所述形成方法包括：形成基底；在所述基底上形成柵介質(zhì)層；在所述柵介質(zhì)層上形成功函數(shù)層，所述功函數(shù)層中含有氧原子；在所述功函數(shù)層上形成柵極。其中，所述功函數(shù)層含有氧原子，并且功函數(shù)層的功函數(shù)隨所述功函數(shù)層中氧原子含量的變化而變化。因此，所述形成方法可以通過調(diào)節(jié)所形成的功函數(shù)層中氧原子的含量對功函數(shù)層的功函數(shù)進行調(diào)節(jié)，從而對半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的閾值電壓進行調(diào)節(jié)。

技術(shù)研發(fā)人員：林靜;禹國賓
受保護的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.03.09
技術(shù)公布日：2017.09.19