技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種用于在硼離子注入期間改善束電流的新型組合物、系統(tǒng)和方法。在優(yōu)選的方面，所述硼離子注入工藝涉及利用特定濃度范圍內(nèi)的B2H6、11BF3和H2。選擇所述B2H6，以便在活性氫離子物質(zhì)的生成和注入期間所使用的離子源的操作弧電壓下與所述BF3的電離截面相比，具有更高的電離截面。所述氫允許高含量的B2H6被引入所述BF3而不減少F離子清除。當(dāng)與由常規(guī)的硼前體材料生成的束電流相比時，所述活性硼離子產(chǎn)生改善的束電流，所述束電流的特征在于維持或增加所述束電流水平而不引起離子源的劣化。

技術(shù)研發(fā)人員：A.K.辛哈;S.M.史密斯;D.C.海德曼;S.M.坎珀
受保護(hù)的技術(shù)使用者：普萊克斯技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.03.02
技術(shù)公布日：2017.07.07