技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供的一種氮化鎵肖特基二極管的制備方法，通過在氮化鎵外延片的表面沉積鈍化層；制備氮化鎵肖特基二極管的陰極；在該鈍化層的中心進行干法刻蝕，形成肖特基接觸孔；在該肖特基接觸孔內(nèi)，該鈍化層的表面和該陰極的表面沉積金屬鈦，形成歐姆金屬層；對該歐姆金屬層進行光刻，刻蝕和退火處理，形成呈柵狀結(jié)構(gòu)的歐姆金屬結(jié)構(gòu)；制備氮化鎵肖特基二極管的陽極；其中，歐姆金屬結(jié)構(gòu)呈柵狀結(jié)構(gòu)，且被陽極包裹。從而實現(xiàn)在不影響氮化鎵肖特基二極管輸出性能的情況下，減小肖特基結(jié)面積，從而減小肖特基接觸電阻，提高氮化鎵肖特基二極管的器件性能和壽命。

技術(shù)研發(fā)人員：劉美華;孫輝;林信南;陳建國
受保護的技術(shù)使用者：北京大學;北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.02.23
技術(shù)公布日：2017.08.29