技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種薄硅層SOI基橫向絕緣柵雙極型晶體管及其制造方法，所述橫向絕緣柵雙極型晶體管以薄硅層SOI基作為襯底，采用淺槽隔離和陽(yáng)極浮空緩沖區(qū)的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)。這種新型薄硅層SOI基橫向絕緣柵雙極型晶體管在保證器件較小的關(guān)斷時(shí)間的前提下，可以消除器件導(dǎo)通時(shí)的負(fù)阻效應(yīng)，提高器件的工作穩(wěn)定性；此外，該器件采用的淺槽隔離和陽(yáng)極浮空緩沖區(qū)的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)可以采用集成電路制造工藝的淺槽隔離工藝實(shí)現(xiàn)，并且這種設(shè)計(jì)還可以減小器件的橫向尺寸，提高電流導(dǎo)通能力。

技術(shù)研發(fā)人員：陳文鎖;張培健;鐘怡;王林凡;肖添;胡鏡影;楊嬋;王盛
受保護(hù)的技術(shù)使用者：重慶中科渝芯電子有限公司;中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二十四研究所
技術(shù)研發(fā)日：2016.01.21
技術(shù)公布日：2017.07.28