技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種鰭式場效應(yīng)晶體管及其形成方法，所述方法包括：提供基底，所述基底上具有凸起的鰭部；在所述鰭部周圍的基底上形成隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)的材料包括還原氧化石墨烯，所述隔離結(jié)構(gòu)的頂表面低于所述鰭部的頂表面；形成覆蓋所述鰭部的半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層內(nèi)形成源區(qū)和漏區(qū)，在所述源區(qū)和漏區(qū)之間的半導(dǎo)體層上形成柵極結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的鰭式場效應(yīng)晶體管的形成方法工藝簡單，成本低。

技術(shù)研發(fā)人員：張海洋
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.01.04
技術(shù)公布日：2017.07.11