本技術(shù)涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光器件和包括該半導(dǎo)體發(fā)光器件的顯示裝置。

背景技術(shù)：

作為一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，超發(fā)光二極管(sld)在具有與發(fā)光二極管相對(duì)接近的寬的發(fā)射光譜寬度的同時(shí)，具有發(fā)射同時(shí)具有窄輻射角和如在半導(dǎo)體激光發(fā)射狀態(tài)中的高強(qiáng)度的光的特性。

專利文獻(xiàn)1中描述的sld包括形成為在平面圖中垂直于解理邊緣表面的線性脊波導(dǎo)和設(shè)置成使得在線性脊波導(dǎo)之后彎曲的彎曲波導(dǎo)有源層。可以在解理邊緣表面上形成ar(抗反射)膜。在具有這種結(jié)構(gòu)的sld中，在線性脊波導(dǎo)的正下方的有源層中產(chǎn)生的光的大部分射向彎曲波導(dǎo)有源層。射向彎曲波導(dǎo)有源層的光被分離成由于彎曲而泄漏的光，被引導(dǎo)到邊緣表面(在解理邊緣表面的另一側(cè)的邊緣表面)并被該邊緣表面反射的光，以及在被引導(dǎo)時(shí)被吸收的光。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，由于彎曲而泄露的光和被解理邊緣表面的相對(duì)邊緣反射的光不能返回到線性有源層，因此激光模式振蕩被抑制(例如參見(jiàn)第二頁(yè)的右下欄到第三頁(yè)的左上欄以及圖1)。

簡(jiǎn)而言之，不同于通過(guò)設(shè)置在兩個(gè)邊緣表面上的反射鏡使光往復(fù)運(yùn)動(dòng)而引起如同正常激光二極管(ld)的振蕩的結(jié)構(gòu)，sld包括使光在波導(dǎo)中單向行進(jìn)并放大光(進(jìn)行受激發(fā)射)的結(jié)構(gòu)。它們之間的區(qū)別在于sld的輸出光的波長(zhǎng)光譜寬度遠(yuǎn)大于ld的輸出光的波長(zhǎng)光譜寬度。

專利文獻(xiàn)2中公開(kāi)的超發(fā)光二極管包括與形成有電極的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的發(fā)光光波導(dǎo)的芯和與不形成有電極的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的能夠吸收光的光吸收光波導(dǎo)的芯。該光吸收光波導(dǎo)芯從與發(fā)光光波導(dǎo)芯的連接部向讀邊緣表面變寬。通過(guò)這樣的結(jié)構(gòu)，從發(fā)光光波導(dǎo)芯向后方(朝向發(fā)光邊緣的相對(duì)邊緣側(cè)方向)發(fā)射的光被光吸收光波導(dǎo)芯吸收，結(jié)果是來(lái)自后邊緣表面的反射光的回光受到抑制。因此，實(shí)現(xiàn)了低相干性(例如參見(jiàn)說(shuō)明書中第[0012]段)。

引用列表

專利文獻(xiàn)

專利文件1：日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_(kāi)號(hào)平2-310975

專利文獻(xiàn)2：日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_(kāi)號(hào)平9-326504

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

技術(shù)問(wèn)題

順便提及，在擴(kuò)大這種半導(dǎo)體發(fā)光器件的應(yīng)用范圍的情況下，除了寬光譜寬度之外還需要高輸出。

鑒于上述情況，本技術(shù)的目的在于提供能夠提高輸出同時(shí)保持過(guò)去的寬發(fā)射光譜寬度的半導(dǎo)體發(fā)光器件，以及包括該半導(dǎo)體發(fā)光器件的顯示裝置。

解決方案

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件是包括發(fā)光邊緣和相對(duì)邊緣的半導(dǎo)體發(fā)光器件，并且包括第一導(dǎo)電層，第二導(dǎo)電層，有源層，第一電極層和第二電極層。

第一導(dǎo)電層包括電流變窄結(jié)構(gòu)，其被配置為使得電流注入?yún)^(qū)域變窄。沿著從相對(duì)邊緣到發(fā)光邊緣的一個(gè)方向設(shè)置電流變窄結(jié)構(gòu)的縱向方向。

有源層設(shè)置在第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間。

第一電極層和第二電極層分別設(shè)置成與第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層接觸。

電流變窄結(jié)構(gòu)包括發(fā)散區(qū)域。發(fā)散區(qū)域設(shè)置成使得電流變窄結(jié)構(gòu)在沿著第一導(dǎo)電層的表面的方向上的寬度從預(yù)定位置向發(fā)光邊緣在上述一個(gè)方向上變寬。

第一電極層包括電極區(qū)域。電極區(qū)域至少設(shè)置在發(fā)散區(qū)域上，使得其在沿著第一導(dǎo)電層的表面的方向上的寬度小于發(fā)散區(qū)域的寬度。

通過(guò)這樣的結(jié)構(gòu)，可以在保持過(guò)去的寬發(fā)射光譜寬度的同時(shí)實(shí)現(xiàn)高輸出。特別是由于第一電極層包括具有比發(fā)散區(qū)域的寬度小的發(fā)散電極區(qū)域，可以提高電流和光之間的交互的效率，這有助于高輸出。

第一電極層的電極區(qū)域可以是設(shè)置為使得寬度朝向發(fā)光邊緣在上述一個(gè)方向上變寬的發(fā)散電極區(qū)域。

因此，可以降低發(fā)光邊緣側(cè)的光能密度，并且避免發(fā)光邊緣附近的溫度升高。

在上述一個(gè)方向上的發(fā)光邊緣側(cè)的電極區(qū)域的邊緣可以延伸到發(fā)光邊緣。

特別地，與發(fā)光邊緣重合的在發(fā)光邊緣側(cè)上的發(fā)散區(qū)域的邊緣有助于電流和光之間的交互的高效率。

電流變窄結(jié)構(gòu)可以包括從相對(duì)邊緣到預(yù)定位置設(shè)置并且包括小于發(fā)散區(qū)域的寬度的恒定寬度的區(qū)域。

發(fā)散區(qū)域可以從相對(duì)邊緣延伸到發(fā)光邊緣。

當(dāng)通過(guò)電流變窄結(jié)構(gòu)在有源層中形成的發(fā)散區(qū)域下方的光波導(dǎo)的發(fā)散角由θ表示時(shí)，可以滿足θ＝arctan[λ/(πw0n)]。在這種情況下，光波長(zhǎng)由λ表示，在沿著表面的方向上的發(fā)散區(qū)域的最小寬度的1/2由w0表示，有源層的折射率由n表示。

第一電極層的電極區(qū)域可以包括小于通過(guò)由電流變窄結(jié)構(gòu)形成在有源層中的光波導(dǎo)的光的峰值強(qiáng)度的1/e²的寬度的寬度。

根據(jù)本技術(shù)的另一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件是包括發(fā)光邊緣和相對(duì)邊緣的半導(dǎo)體發(fā)光器件，并且包括第一導(dǎo)電層，第二導(dǎo)電層，有源層，第一電極層和第二電極層。

具體地，電流變窄結(jié)構(gòu)包括第一區(qū)域和第二區(qū)域。第一區(qū)域在上述一個(gè)方向上從第一位置向第二位置設(shè)置。第二區(qū)域從第二位置向發(fā)光邊緣設(shè)置，并且包括在沿著第一導(dǎo)電層的表面的方向上比第一區(qū)域的寬度大的寬度。

第一電極層包括至少設(shè)置在第二區(qū)域上的電極區(qū)域，使得其在沿著第一導(dǎo)電層的表面的方向上的寬度小于第二區(qū)域的寬度。

根據(jù)本技術(shù)的另一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件是包括發(fā)光邊緣和相對(duì)邊緣的半導(dǎo)體發(fā)光器件，并且包括第一導(dǎo)電層，第二導(dǎo)電層，有源層，第一電極層和第二電極層。

具體地，有源層的光波導(dǎo)包括發(fā)散區(qū)域，其設(shè)置成使得光波導(dǎo)在沿著有源層的表面的方向上的寬度從預(yù)定位置向發(fā)光邊緣在上述一個(gè)方向上變寬。

第一電極層包括至少設(shè)置在發(fā)散區(qū)域上的電極區(qū)域，使得其在沿著有源層的表面的方向上的寬度小于發(fā)散區(qū)域的寬度。

根據(jù)本技術(shù)的另一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件是包括發(fā)光邊緣和相對(duì)邊緣的半導(dǎo)體發(fā)光器件，并且包括第一導(dǎo)電層，第二導(dǎo)電層，有源層，第一電極層和第二電極層。

具體地，有源層的光波導(dǎo)包括第一區(qū)域和第二區(qū)域。第一區(qū)域在上述一個(gè)方向上從第一位置向第二位置設(shè)置。第二區(qū)域從第二位置向發(fā)光邊緣設(shè)置，并且包括在沿著第一導(dǎo)電層的表面的方向上比第一區(qū)域的寬度大的寬度。

第一電極層包括至少設(shè)置在第二區(qū)域上的電極區(qū)域，使得其在沿著第一導(dǎo)電層的表面的方向上的寬度小于第二區(qū)域的寬度。

根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施例的顯示裝置包括上述半導(dǎo)體發(fā)光器件和圖像生成單元。圖像生成單元能夠二維地掃描從半導(dǎo)體發(fā)光器件發(fā)射的光，并基于圖像數(shù)據(jù)控制通過(guò)投射光獲得的亮度。

本發(fā)明的有益效果如下：

如上所述，根據(jù)本技術(shù)，可以在保持寬發(fā)射光譜寬度的同時(shí)提高輸出。

應(yīng)當(dāng)注意，這里描述的效果不一定是有限的，并且可以獲得在本文中描述的任何效果。

附圖說(shuō)明

[圖1]圖1a是根據(jù)本技術(shù)的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件的示意性透視圖，圖1b是其平面圖。

[圖2]圖2是沿圖1b的c-c截取的橫截面圖。

[圖3]用于說(shuō)明電流變窄結(jié)構(gòu)的線性區(qū)域和發(fā)散區(qū)域之間的位置關(guān)系的示意圖。

[圖4]用于說(shuō)明從第一電極層注入的載體的發(fā)散的示意圖。

[圖5]圖5a是通過(guò)模擬獲得的曲線圖，其示出了在根據(jù)本實(shí)施例的電流變窄結(jié)構(gòu)包括發(fā)散角的情況下的注入電流和光輸出之間的關(guān)系，以及不包括該結(jié)構(gòu)時(shí)的情況。圖5b是通過(guò)模擬獲得的曲線圖，其示出了由發(fā)散區(qū)域的發(fā)散角和電極區(qū)域的發(fā)散角之間的差異引起的光輸出的差異。

[圖6]圖6是使用箭頭表示從第一電極層向活性層流動(dòng)的電流(載體)的示圖。

[圖7]圖7a和7b各自示出了根據(jù)本實(shí)施例的包括脊部的sld的光波導(dǎo)中的自發(fā)發(fā)射光的強(qiáng)度分布的模擬。

[圖8]圖8是根據(jù)本技術(shù)的第二實(shí)施例的sld的平面圖。

[圖9]圖9是根據(jù)本技術(shù)的第三實(shí)施例的sld的平面圖。

[圖10]圖10是根據(jù)本技術(shù)的第四實(shí)施例的sld的平面圖。

[圖11]圖11是根據(jù)本技術(shù)的第五實(shí)施例的sld的平面圖。

[圖12]圖12示意性地示出了使用根據(jù)上述實(shí)施例之一的半導(dǎo)體發(fā)光器件作為光源的顯示裝置的結(jié)構(gòu)。

具體實(shí)施方式

以下，將參照附圖描述本技術(shù)的實(shí)施例。在下面的說(shuō)明中，指示方向的術(shù)語(yǔ)“上”、“下”、“右”、“左”等用于幫助理解說(shuō)明書，而不是限制根據(jù)實(shí)施例的裝置和器件。

1.第一實(shí)施例

1)半導(dǎo)體發(fā)光器件的整體結(jié)構(gòu)

圖1a是根據(jù)本技術(shù)的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件的示意性透視圖，圖1b是其平面圖。圖2是沿圖1b的c-c截取的橫截面圖。例如，該半導(dǎo)體發(fā)光器件是在p型或n型導(dǎo)電層中包括脊部10的脊型超發(fā)光二極管(sld)。

sld100包括(從圖2頂部)第一電極層(或與第一電極(未示出)接觸的接觸層)11，半導(dǎo)體層外部的p型的第一導(dǎo)電層13，有源層20，半導(dǎo)體層外部的n型的第二導(dǎo)電層14，n型半導(dǎo)體襯底15和第二電極層(或與第二電極(未示出)接觸的接觸層)12。雖然第二電極層12設(shè)置成與襯底15(例如其背面)接觸，但是其可以設(shè)置成與第二導(dǎo)電層14接觸。

第一導(dǎo)電層13包括從第一電極層11側(cè)依次形成的p型鍍層131和p型引導(dǎo)層132。第二導(dǎo)電層14包括從襯底層15側(cè)依次形成的n型鍍層141和n型引導(dǎo)層142。例如，第一電極層11和p型鍍層131構(gòu)成脊部10?？梢栽谝r底15和第二導(dǎo)電層14之間設(shè)置n型緩沖層。

如圖1b所示，半導(dǎo)體發(fā)光器件包括發(fā)光邊緣33和與其相對(duì)的相對(duì)邊緣35。脊部10被構(gòu)造為使得其縱向方向沿從相對(duì)邊緣35到發(fā)光邊緣33的一個(gè)方向設(shè)置，即y方向。通常，脊部10設(shè)置成跨越從相對(duì)邊緣35到發(fā)光邊緣。

如圖1a所示，脊部10的第一導(dǎo)電層13包括電流變窄結(jié)構(gòu)32。具體地，構(gòu)造成使得從第一電極層11到有源層20的電流注入?yún)^(qū)域變窄的電流變窄結(jié)構(gòu)32由脊部10的結(jié)構(gòu)形成。在本實(shí)施例中，設(shè)置在脊部10中的第一導(dǎo)電層13(p型鍍層131)基本上成為電流變窄結(jié)構(gòu)32。至少在有源層20中，沿著脊部10的縱向方向在脊部10附近(脊部10的正下方及其周圍)形成光波導(dǎo)。

在p型引導(dǎo)層132上和在脊部10的周圍形成有絕緣層(未示出)。

應(yīng)當(dāng)注意，雖然p型鍍層131的下邊緣與脊部10的下邊緣重合，但是可以不這樣，或者脊部10的下邊緣可以包括p型鍍層132的一部分。

如圖1b所示，在sld100的發(fā)光邊緣33處設(shè)置有低反射鏡膜18，并且在相對(duì)邊緣35處設(shè)置高反射鏡膜19作為相對(duì)側(cè)的邊緣。從有源層20自發(fā)發(fā)射的光，向高反射鏡膜19側(cè)行進(jìn)的光被高反射鏡膜19反射，在向發(fā)光表面?zhèn)刃羞M(jìn)時(shí)被放大，并經(jīng)由低反射鏡膜18發(fā)射。

2)半導(dǎo)體發(fā)光器件的脊部的結(jié)構(gòu)

如圖1b所示，本實(shí)施例的脊部10的第一導(dǎo)電層13，即電流變窄結(jié)構(gòu)32，在沿著脊部10在其中延伸的一個(gè)方向(y方向)上包括線狀區(qū)域32a和發(fā)散區(qū)域32b。

線性區(qū)域32a是設(shè)置成跨越從相對(duì)邊緣35到預(yù)定位置并且包括恒定寬度的區(qū)域?！皩挾取笔窃谘刂谝粚?dǎo)電層13的表面(即，平行于每層的x-y平面)的方向上的寬度，其是與本文的y方向相交的x方向上的寬度。發(fā)散區(qū)域32b設(shè)置成使得其在x方向上的寬度從預(yù)定位置向發(fā)光邊緣33變寬并延伸到發(fā)光邊緣33。換句話說(shuō)，在發(fā)散區(qū)域32b中，第一導(dǎo)電層13的側(cè)表面如圖1a所示是錐形的。

在下面的描述中，當(dāng)簡(jiǎn)單地稱為第一導(dǎo)電層13和第一電極層11的電流變窄結(jié)構(gòu)32的“寬度”時(shí)，其是指x方向上的寬度。

圖3是用于說(shuō)明預(yù)定位置的示意圖，該圖從z方向上示出了sld100，同時(shí)強(qiáng)調(diào)了電流變窄結(jié)構(gòu)的外形。

作為發(fā)散區(qū)域32b的起始點(diǎn)的“預(yù)定位置”例如如下設(shè)定。在相對(duì)邊緣35側(cè)上的線性區(qū)域32a的局部區(qū)域中，僅進(jìn)行自發(fā)發(fā)射，并且不進(jìn)行受激發(fā)射。該自發(fā)發(fā)射區(qū)域在y方向上的長(zhǎng)度h被表示為自發(fā)發(fā)射區(qū)域長(zhǎng)度d0。此外，電流變窄結(jié)構(gòu)32在y方向上的總長(zhǎng)度由d1表示，并且發(fā)散區(qū)域32b在y方向上的長(zhǎng)度由d2表示。其結(jié)果是，可以用下面的表達(dá)式來(lái)表示d2，并且設(shè)定“預(yù)定位置”。

(d1-d0)*0.1≤d2≤(d1-d0)*0.3

通常，自發(fā)發(fā)射區(qū)域的長(zhǎng)度d0為約300μm至1000μm，通常為約500μm。在這樣的sld中，通常將d0設(shè)定為與總長(zhǎng)度d1無(wú)關(guān)的常數(shù)。

將長(zhǎng)度設(shè)置為這樣的發(fā)散區(qū)域長(zhǎng)度d2有助于滿足寬光譜寬度和高輸出。

從z方向上看，發(fā)散區(qū)域32b的整個(gè)發(fā)散角α(參見(jiàn)圖4)被設(shè)為例如更優(yōu)選地為

如圖1b所示，第一電極層11具有與包括電流變窄結(jié)構(gòu)32的第一導(dǎo)電層13相似的形狀。具體地，第一電極層11包括設(shè)置有恒定寬度的線性電極區(qū)域11a和設(shè)置成朝向發(fā)光邊緣33變寬的發(fā)散電極區(qū)域11b。線性電極區(qū)域11a和發(fā)散電極區(qū)域11b分別設(shè)置在電流變窄結(jié)構(gòu)32的線性區(qū)域32a和發(fā)散區(qū)域32b上。發(fā)散電極區(qū)域11b從圖中的線性電極區(qū)域11a的左邊緣延伸到發(fā)光邊緣33。

特別是在本實(shí)施例中，至少發(fā)散電極區(qū)域11b的寬度w2比發(fā)散區(qū)域32b在y方向上的相同位置的寬度w1小。此外，線性電極區(qū)域11a的寬度也小于線性區(qū)域32a的寬度。

3)用于實(shí)現(xiàn)所需光分布的電流變窄結(jié)構(gòu)的發(fā)散區(qū)域的構(gòu)造

由脊部10的結(jié)構(gòu)形成在有源層20中的光波導(dǎo)lw的光強(qiáng)度分布的寬度(x方向上的寬度)可以假定為光的峰值強(qiáng)度的1/e²。

假設(shè)如上所述，電流變窄結(jié)構(gòu)32的發(fā)散區(qū)域32b的整個(gè)發(fā)散角由α表示，該發(fā)散區(qū)域32b下方的光波導(dǎo)lw也具有與該角度相等的發(fā)散角。換句話說(shuō)，如上所述，發(fā)散區(qū)域32b下方的光波導(dǎo)lw的整個(gè)發(fā)散角也被設(shè)為例如更優(yōu)選地為

可替換地，發(fā)散區(qū)域32b可以被設(shè)計(jì)為使得電流變窄結(jié)構(gòu)32的發(fā)散區(qū)域32b下方的光波導(dǎo)lw的發(fā)散角θ(上述整個(gè)發(fā)散角α的1/2)滿足如圖4中所示的下面的表達(dá)式。

θ＝arctan[λ/(πw0n)]

λ：光波長(zhǎng)

w0：發(fā)散區(qū)域32b的起始點(diǎn)的寬度(最小寬度)的1/2

n：有源層20的折射率。

通過(guò)發(fā)散區(qū)域32b下方的光波導(dǎo)前進(jìn)的光是前進(jìn)以便離開(kāi)具有小寬度的線性區(qū)域32a下方的光波導(dǎo)以出射到廣區(qū)域的光。在x方向兩側(cè)均不存在限制光在發(fā)散區(qū)域32b中前進(jìn)的元件(例如壁)的情況下，該光作為由θ的上限(＝α/2)定義的衍射光在發(fā)散區(qū)域32b中前進(jìn)。由于不產(chǎn)生具有超過(guò)該衍射角θ的發(fā)散角的光，因此不需要形成極大地超過(guò)該衍射角θ的電流變窄結(jié)構(gòu)32的發(fā)散區(qū)域32b。

圖5a是通過(guò)模擬獲得的曲線圖，其示出了在根據(jù)本實(shí)施例的電流變窄結(jié)構(gòu)包括發(fā)散角的情況下的注入電流和光輸出之間的關(guān)系，以及不包括該結(jié)構(gòu)時(shí)的情況。本實(shí)施例的電流變窄結(jié)構(gòu)32的結(jié)果由實(shí)線表示，不包括發(fā)散角的比較示例的結(jié)果用虛線表示。在該模擬中，例如，將電流變窄結(jié)構(gòu)32的發(fā)散角α設(shè)為3°，將光波導(dǎo)長(zhǎng)度設(shè)為2000μm。不包括發(fā)散角的構(gòu)造是指發(fā)散角＝0°，其是線性區(qū)域從相對(duì)邊緣延伸到發(fā)光邊緣的構(gòu)造。

從該圖可以看出，包括發(fā)散角的本實(shí)施例可以實(shí)現(xiàn)具有約300ma以上的注入電流的高輸出。獲得約25％的輸出增長(zhǎng)作為最高輸出。

4)用于實(shí)現(xiàn)所需光分布的第一電極層的發(fā)散電極區(qū)域的構(gòu)造

此外，該sld100的特征在于，如圖1b所示，第一電極層11的發(fā)散電極區(qū)域11b的至少寬度w2被設(shè)計(jì)為小于電流變窄結(jié)構(gòu)體32的發(fā)散區(qū)域32b的寬度w1。

圖5b是通過(guò)模擬獲得的曲線圖，其示出了由發(fā)散區(qū)域32b的發(fā)散角α(例如α＝2θ)和電極區(qū)域11b的發(fā)散角β之間的差異引起的光輸出的差異。在該模擬中，例如，電流變窄結(jié)構(gòu)32的整個(gè)發(fā)散角α固定為4°，波導(dǎo)長(zhǎng)度設(shè)為2000μm，d2的上限設(shè)為500μm。在該圖中，示出了包括3°(比較示例)和6°(本實(shí)施例)的發(fā)散電極區(qū)域11b的發(fā)散角β的構(gòu)造。

從該圖中可以看出，在注入電流超過(guò)100ma的情況下，在α>β(α＝4°，β＝3°)的情況下比在α<β(α＝4°，β＝6°)的情況下實(shí)現(xiàn)了更高的輸出。

圖6是使用箭頭表示從第一電極層11向活性層20流動(dòng)的電流(載體)的示圖。以這種方式，載體流動(dòng)以從第一電極層11向有源層20三維地發(fā)散。因此，考慮到載體的這種發(fā)散，通過(guò)將第一電極層11的至少發(fā)散電極區(qū)域11b的寬度形成為比其下方的發(fā)散區(qū)域32b的寬度更小，可以獲得電流與光之間的高效交互。換句話說(shuō)，根據(jù)如上所述的脊部10的結(jié)構(gòu)，可以通過(guò)最小尺寸的電極產(chǎn)生用于實(shí)現(xiàn)寬發(fā)射光譜寬度和高輸出的高效電流狀態(tài)。

5)自發(fā)發(fā)射光的強(qiáng)度分布比較

圖7a示出了根據(jù)本實(shí)施例的包括脊部10的sld100的光波導(dǎo)lw中的自發(fā)發(fā)射光的強(qiáng)度分布的模擬。圖7b類似地示出了自發(fā)發(fā)射光的強(qiáng)度分布的模擬，并且示出了在電流變窄結(jié)構(gòu)32和第一電極層11的發(fā)散區(qū)域32b和發(fā)散電極區(qū)域11b的發(fā)散角過(guò)大的情況下的光強(qiáng)分布。應(yīng)當(dāng)注意，有必要小心地是，這些光強(qiáng)分布僅表示自發(fā)發(fā)射光的光強(qiáng)分布，而非在光放大后的光強(qiáng)分布。

在圖7b中，由于發(fā)散電極寬度過(guò)大，所以產(chǎn)生了比作為放大光的波導(dǎo)的光波導(dǎo)的寬度更大的無(wú)用的自發(fā)發(fā)射光(非放大光)。在圖7b中，產(chǎn)生無(wú)用的自發(fā)發(fā)射光的區(qū)域的白色虛線中以深灰色示出。相比之下，在圖7a中，由于發(fā)散電極區(qū)域11b的寬度小于光波導(dǎo)(即發(fā)散區(qū)域32b)的寬度，因此可以如上所述實(shí)現(xiàn)高效的發(fā)光。這支持參考圖6所描述的考慮。

應(yīng)當(dāng)注意，應(yīng)您的辦公室或部門要求，申請(qǐng)人也能夠提交圖7a和7b的彩色圖。

6)結(jié)論

如上所述，在本實(shí)施例的sld100中，第一導(dǎo)電層13的電流變窄結(jié)構(gòu)32包括發(fā)散區(qū)域32b。通過(guò)脊部10的這種結(jié)構(gòu)，可以在保持過(guò)去的寬發(fā)射光譜寬度的同時(shí)實(shí)現(xiàn)高輸出。

此外，由于第一電極層11的至少發(fā)散電極區(qū)域11b的寬度比發(fā)散區(qū)域32b的寬度小，因此可以提高電流與光之間的交互效率，從而有助于高輸出。

在本實(shí)施例中，通過(guò)高效率地使用載體(不使用無(wú)用的載體)，可以抑制不必要的發(fā)熱，這對(duì)改善輸出溫度特性有著巨大的影響。這特別是在能夠發(fā)射紅光的材料(algainp基)的情況下成為巨大優(yōu)勢(shì)，由于其溫度特性容易成為問(wèn)題。

此外，由于在本實(shí)施例中設(shè)置了包括比過(guò)去更寬的區(qū)域的發(fā)散電極區(qū)域11b，所以在發(fā)光邊緣33側(cè)可以降低光能密度。換句話說(shuō)，即使在為了實(shí)現(xiàn)高輸出而增加注入電流的情況下，也可以抑制電流密度的增加。結(jié)果，可以避免發(fā)光邊緣33的溫度變高的情況。因此，抑制了故障、失靈等的發(fā)生，并提高了產(chǎn)品的可靠性。

發(fā)散區(qū)域32b的形狀、第一電極層11的寬度等容易從外觀確定。因此，可以通過(guò)模擬、圖案測(cè)量(nfp，ffp測(cè)量)發(fā)光邊緣33中的輸出光等來(lái)確定產(chǎn)品中是否使用了本技術(shù)。

在本實(shí)施例的sld100的生產(chǎn)過(guò)程中，不需要增加特殊的工藝技術(shù)、改變條件等。而且，由于對(duì)半導(dǎo)體材料沒(méi)有限制，本技術(shù)也適用于發(fā)射其他波長(zhǎng)的光的sld。

作為半導(dǎo)體發(fā)光器件，本技術(shù)不僅可以應(yīng)用于sld，還可以應(yīng)用于包括與sld類似的操作機(jī)制的光放大器，并且可以期待與上述類似的效果。

7)關(guān)于實(shí)現(xiàn)寬光譜寬度和高輸出的困難

為了獲得高輸出，意味著a)向sld中注入大量電流，b)設(shè)置長(zhǎng)的光波導(dǎo)長(zhǎng)度，c)增加脊的寬度等是可以想到的。然而，這些方法中的任何一種會(huì)導(dǎo)致如下問(wèn)題。

a)在注入大量電流的情況下，其上限受到輸出的熱飽和度的限制，因此對(duì)于高輸出，sld封裝上的熱輻射負(fù)荷變大，從而導(dǎo)致成本增加。同樣在注入大量電流的情況下，即使具有很小的邊緣表面反射，sld也進(jìn)入易于引起激光振蕩的狀態(tài)。因此，需要以遠(yuǎn)低于熱飽和時(shí)的電流的電流來(lái)操作sld。

b)在設(shè)置長(zhǎng)的光波導(dǎo)長(zhǎng)度情況下，光在被取出之前在較長(zhǎng)的路徑中被放大，因此盡管光強(qiáng)度變高，但是存在以下缺陷。

一個(gè)缺陷是，由于容易放大受激發(fā)射引起的光，這會(huì)影響發(fā)射光譜的形狀。具體地，隨著光波導(dǎo)長(zhǎng)度(即可以放大光的路徑的長(zhǎng)度)變長(zhǎng)，發(fā)射光譜的寬度變小。因此，降低了珍貴的低相干性(容易受到干擾)。換句話說(shuō)，低相干性和輸出是折衷關(guān)系。

另一個(gè)缺陷是，sld變大并且不適合于封裝小型化，并且整個(gè)波導(dǎo)損耗增加，使得光轉(zhuǎn)換效率容易變差。

c)在增加脊的寬度的情況下，可以降低集中電流密度并增加發(fā)光區(qū)域以提高輸出。然而，由于要輸出的光束的寬度增加了很多，所以在應(yīng)用方面難以使用光源，因此也為脊寬度設(shè)定了上限。還有一個(gè)問(wèn)題是，通過(guò)另外加寬脊寬度，增加了可引導(dǎo)模式。然而，可以說(shuō)，本技術(shù)通過(guò)適當(dāng)?shù)夭贾冒l(fā)散區(qū)域32b并設(shè)定其寬度已經(jīng)解決了這些問(wèn)題。

d)作為獲得高輸出光的另一種方法，可以想到在放大光之前在自發(fā)發(fā)射光的階段增加光譜寬度的方法。然而，為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，需要進(jìn)行設(shè)計(jì)變化，例如分離對(duì)應(yīng)的發(fā)射區(qū)域的注入電極，僅針對(duì)該區(qū)域改變不同的有源層材料或有源層結(jié)構(gòu)，等等。在前一種情況下，由于電極需要被分離并被不同的驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)，獲得了不經(jīng)濟(jì)的結(jié)構(gòu)。在后一種情況下，由于需要晶體的再生長(zhǎng)等，所以制造結(jié)構(gòu)變得非常困難，因此最終導(dǎo)致高成本。由于首先通過(guò)這兩種方法消耗的電流從根本上易于增加，因此作為光源的效率越來(lái)越低。

本技術(shù)可以克服上述這些問(wèn)題，并且在保持寬頻譜寬度的同時(shí)實(shí)現(xiàn)高輸出。

2.第二實(shí)施例

圖8是根據(jù)本技術(shù)的第二實(shí)施例的sld的平面圖。在下面的描述中，將簡(jiǎn)化或省略與根據(jù)第一實(shí)施例的sld100的那些相類似的構(gòu)件、功能等的描述，并且將主要描述不同點(diǎn)。

根據(jù)本實(shí)施例的sld的脊部210的由陰影線表示的電流變窄結(jié)構(gòu)232不包括第一實(shí)施例中的線性區(qū)域32a。電流變窄結(jié)構(gòu)232設(shè)置成跨越從sld的相對(duì)邊緣35到發(fā)光邊緣33的整個(gè)區(qū)域朝著發(fā)光邊緣33變寬。換句話說(shuō)，整個(gè)電流變窄結(jié)構(gòu)232由發(fā)散區(qū)域構(gòu)成。

第一電極層211由包括比跨越從相對(duì)邊緣35到發(fā)光邊緣33的整個(gè)區(qū)域的電流變窄結(jié)構(gòu)232的寬度更小的寬度的發(fā)散電極區(qū)域構(gòu)成。

電流變窄結(jié)構(gòu)232的發(fā)散角和第一電極層211的發(fā)散角被設(shè)定為與第一實(shí)施例的發(fā)散角度相類似的發(fā)散角度。

利用脊部210的這種結(jié)構(gòu)，形成了具有與電流變窄結(jié)構(gòu)232相等寬度和形狀的光波導(dǎo)(光分布)(未示出)。

3.第三實(shí)施例

圖9是根據(jù)本技術(shù)的第三實(shí)施例的sld的平面圖。該sld的由陰影線表示的電流變窄結(jié)構(gòu)332包括線性區(qū)域(第一區(qū)域)332a和寬矩形區(qū)域(第二區(qū)域)332b。寬矩形區(qū)域332b是具有從線性區(qū)域332a的整個(gè)發(fā)散角為180°的區(qū)域。

矩形區(qū)域332b的寬度大于線性區(qū)域332a的寬度。例如，該寬度基本上與sld在x方向上的寬度相匹配。第一電極層311的線性電極區(qū)域311a和發(fā)散電極區(qū)域311b的寬度分別形成為小于電流變窄結(jié)構(gòu)332的線性區(qū)域332a和矩形區(qū)域332b的寬度。

通過(guò)包括這種結(jié)構(gòu)的脊部310，根據(jù)發(fā)散電極區(qū)域311b的形狀形成從線性區(qū)域332a向發(fā)光邊緣33變寬的虛線所示的光波導(dǎo)(光分布)lw。

上面已經(jīng)描述了，不需要形成這樣的發(fā)散區(qū)域32b，其來(lái)自線性區(qū)域32a的光分布的發(fā)散角大大超過(guò)光衍射角θ。然而，本實(shí)施例中的寬矩形區(qū)域332b可以在存在其他有利原因的情況下形成。

4.第四實(shí)施例

圖10是根據(jù)本技術(shù)的第四實(shí)施例的sld的平面圖。該sld的由陰影線表示的電流變窄結(jié)構(gòu)432包括發(fā)散區(qū)域432a、線性區(qū)域432b和寬矩形區(qū)域432c。雖然該發(fā)散區(qū)域432a是朝向發(fā)光邊緣33變寬的區(qū)域，但它是設(shè)置在相對(duì)邊緣35側(cè)的發(fā)散區(qū)域。第一電極層411包括第一發(fā)散電極區(qū)域411a、線性電極區(qū)域411b和第二發(fā)散電極區(qū)域411c。

同樣在本實(shí)施例中，與第三實(shí)施例類似，根據(jù)第二發(fā)散電極區(qū)域411c的形狀在第二發(fā)散電極區(qū)域411c的下方形成由虛線表示的光波導(dǎo)(光分布)lw。

5.第五實(shí)施例

圖11是根據(jù)本技術(shù)的第五實(shí)施例的sld的平面圖。該sld的由陰影線表示的電流變窄結(jié)構(gòu)532如同第一實(shí)施例包括線性區(qū)域532a和發(fā)散區(qū)域532b。另一方面，例如，第一電極層511包括從相對(duì)邊緣35到發(fā)光邊緣33的恒定寬度。該寬度是設(shè)置在線性區(qū)域532a上方的電極區(qū)域的寬度。

以這種方式，第一電極層511不一定需要包括像上述各個(gè)實(shí)施例那樣的朝向發(fā)光邊緣33變寬的發(fā)散電極。虛線表示在發(fā)散電極區(qū)域下方形成的光波導(dǎo)(光分布)lw。

6.顯示裝置

圖12示意性地示出了使用根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的作為半導(dǎo)體發(fā)光器件的sld中的任一個(gè)作為光源的顯示裝置的結(jié)構(gòu)。該顯示裝置200是光柵掃描型投影儀。

顯示裝置200包括圖像生成單元70。圖像生成單元70能夠二維地掃描(例如光柵掃描)從作為光源的半導(dǎo)體發(fā)光器件發(fā)出的光，并且被配置為能夠控制由投射到照射表面105(例如基于圖像數(shù)據(jù)的屏幕和墻壁表面)上的光獲得的亮度。

圖像生成單元70例如主要包括水平掃描儀103和垂直掃描儀104。來(lái)自紅光發(fā)射sld100r、綠光發(fā)射sld100g和藍(lán)光發(fā)射sld100b的光束由二向色棱鏡102r、102g和102b集成為一個(gè)光束。通過(guò)該光束被水平掃描儀103和垂直掃描儀104掃描并投射到照射表面105上，顯示圖像。

應(yīng)當(dāng)注意，發(fā)射rgb的各個(gè)顏色的光的半導(dǎo)體發(fā)光器件中的至少一個(gè)需要是sld，并且其他器件可以是正常的ld。

水平掃描儀103和垂直掃描儀104例如由多面鏡和電偶掃描儀的組合構(gòu)成。在這種情況下，例如使用控制要注入半導(dǎo)體發(fā)光器件中的電流的電路作為控制亮度的裝置。

可替換地，例如，諸如使用mems(微機(jī)電系統(tǒng))技術(shù)制造的dmd(數(shù)字微鏡器件)的二維光調(diào)制器件可被用作水平掃描儀和垂直掃描儀。

可替換地，圖像生成單元70可以通過(guò)諸如glv(光柵光閥)器件的一維光調(diào)制器件與上述一維掃描鏡的組合來(lái)構(gòu)成。

可替換地，圖像生成單元70可以由諸如聲光效應(yīng)掃描儀和電光效應(yīng)掃描儀之類的折射率調(diào)制型掃描儀構(gòu)成。

7.各種其他實(shí)施例

本技術(shù)不限于上述實(shí)施例，也可以實(shí)現(xiàn)各種其他的實(shí)施例。

在上述實(shí)施例中盡管第一電極層的線性電極區(qū)域的寬度比其下方的電流變窄結(jié)構(gòu)的寬度小，但是該寬度可以與電流變窄結(jié)構(gòu)的寬度相同或更大。由于可以在脊部的兩側(cè)部形成絕緣層，因此可以形成比電流變窄結(jié)構(gòu)更寬的線性電極區(qū)域。

上述實(shí)施例的發(fā)散區(qū)域和發(fā)散電極區(qū)域不限于錐形形狀。例如，它們可以形成為階式或曲線變寬。在這種情況下，形成臺(tái)階的側(cè)面之間形成的角度不限于直角，也可以是銳角或鈍角。

上述實(shí)施例的作為半導(dǎo)體發(fā)光器件的sld包括發(fā)光邊緣33和相對(duì)側(cè)上的相對(duì)邊緣35。然而，sld的兩個(gè)邊緣都可以是發(fā)光邊緣。換句話說(shuō)，在這種情況下，發(fā)光邊緣中的一個(gè)的相對(duì)邊緣變成另一個(gè)發(fā)光邊緣。在這種情況下，例如，自發(fā)發(fā)射區(qū)域在縱向方向(其一個(gè)方向上)上基本上設(shè)置在sld的脊部的中心位置。形成為使得其寬度從該中心位置或各自位于距離該中心位置的預(yù)定距離處的預(yù)定位置(兩個(gè)位置)朝向兩側(cè)的發(fā)光邊緣變寬的發(fā)散區(qū)域設(shè)置在電流變窄結(jié)構(gòu)中。

盡管在上述實(shí)施例中使用n型襯底作為襯底，但也可以代替使用p型襯底，并且構(gòu)成電流變窄結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層可以是n型。在這種情況下，“第一導(dǎo)電型”成為n型，“第二導(dǎo)電型”成為p型。

可以組合上述實(shí)施例的特征部分中的至少兩個(gè)。

應(yīng)當(dāng)注意，本技術(shù)還可以采取以下結(jié)構(gòu)。

(1)一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括發(fā)光邊緣和與其相對(duì)的相對(duì)邊緣，包括：

第一導(dǎo)電層，其包括電流變窄結(jié)構(gòu)，其被配置為使得電流注入?yún)^(qū)域變窄并且被配置為使得電流變窄結(jié)構(gòu)的縱向方向沿從相對(duì)邊緣到發(fā)光邊緣的一個(gè)方向設(shè)置；

第二導(dǎo)電層；

有源層，其設(shè)置在第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間；以及

第一電極層和第二電極層，其分別設(shè)置成與第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層接觸，

該電流變窄結(jié)構(gòu)包括發(fā)散區(qū)域，其設(shè)置成使得電流變窄結(jié)構(gòu)在沿著第一導(dǎo)電層的表面的方向上的寬度從預(yù)定位置向發(fā)光邊緣在上述一個(gè)方向上變寬。

第一電極層包括至少設(shè)置在發(fā)散區(qū)域上的電極區(qū)域，使得其在沿著第一導(dǎo)電層的表面的方向上的寬度小于發(fā)散區(qū)域的寬度。

(2)根據(jù)(1)所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中

第一電極層的電極區(qū)域是設(shè)置為使得寬度朝向發(fā)光邊緣在上述一個(gè)方向上變寬的發(fā)散電極區(qū)域。

(3)根據(jù)(1)或(2)所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中

在上述一個(gè)方向上的發(fā)光邊緣側(cè)的電極區(qū)域的邊緣延伸到發(fā)光邊緣。

(4)根據(jù)(1)至(3)中的任一個(gè)所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中

電流變窄結(jié)構(gòu)包括從相對(duì)邊緣到預(yù)定位置設(shè)置并且包括小于發(fā)散區(qū)域的寬度的恒定寬度的區(qū)域。

(5)根據(jù)(1)至(3)中的任一個(gè)所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中

發(fā)散區(qū)域從相對(duì)邊緣延伸到發(fā)光邊緣。

(6)根據(jù)(1)至(5)中的任一個(gè)所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中

當(dāng)在發(fā)散區(qū)域下方的由電流變窄結(jié)構(gòu)形成在有源層中的光波導(dǎo)的發(fā)散角由θ表示，光波長(zhǎng)由λ表示，發(fā)散區(qū)域在沿著表面的方向上的最小寬度的1/2由w0表示，并且有源層的折射率由n表示時(shí)，滿足

θ＝arctan(λ/(πw0n))。

(7)根據(jù)(1)至(6)中的任一個(gè)所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中

第一電極層的電極區(qū)域包括小于通過(guò)由電流變窄結(jié)構(gòu)形成在有源層中的光波導(dǎo)的光的峰值強(qiáng)度的1/e²的寬度的寬度。

(8)一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括發(fā)光邊緣和與其相對(duì)的相對(duì)邊緣，包括：

第一導(dǎo)電層，其包括電流變窄結(jié)構(gòu)，其被配置為使得電流注入?yún)^(qū)域變窄并且被配置為使得電流變窄結(jié)構(gòu)的縱向方向沿從相對(duì)邊緣到發(fā)光邊緣的一個(gè)方向設(shè)置；

第二導(dǎo)電層；

有源層，其設(shè)置在第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間；以及

第一電極層和第二電極層，其分別設(shè)置成與第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層接觸，

該電流變窄結(jié)構(gòu)包括

第一區(qū)域，在上述一個(gè)方向上從第一位置向第二位置設(shè)置，以及

第二區(qū)域，從第二位置向發(fā)光邊緣設(shè)置，并且包括在沿著第一導(dǎo)電層的表面的方向上比第一區(qū)域的寬度大的寬度，以及

第一電極層包括至少設(shè)置在第二區(qū)域上的電極區(qū)域，使得其在沿著第一導(dǎo)電層的表面的方向上的寬度小于第二區(qū)域的寬度。

(9)一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括發(fā)光邊緣和與其相對(duì)的相對(duì)邊緣，包括：

第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層；

有源層，其包括光波導(dǎo)，光波導(dǎo)的縱向方向沿從相對(duì)邊緣到發(fā)光邊緣的一個(gè)方向設(shè)置，并且有源層設(shè)置在第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間；以及

第一電極層和第二電極層，其分別設(shè)置在第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層上，

有源層的光波導(dǎo)包括發(fā)散區(qū)域，其設(shè)置成使得光波導(dǎo)在沿著有源層的表面的方向上的寬度從預(yù)定位置向發(fā)光邊緣在上述一個(gè)方向上變寬，以及

第一電極層包括至少設(shè)置在發(fā)散區(qū)域上的電極區(qū)域，使得其在沿著有源層的表面的方向上的寬度小于發(fā)散區(qū)域的寬度。

(10)一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括發(fā)光邊緣和與其相對(duì)的相對(duì)邊緣，包括：

第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層；

有源層，其包括光波導(dǎo)，光波導(dǎo)的縱向方向沿從相對(duì)邊緣到發(fā)光邊緣的一個(gè)方向設(shè)置，并且有源層設(shè)置在第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間；以及

第一電極層和第二電極層，其分別設(shè)置在第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層上，該有源層的光波導(dǎo)包括

第一區(qū)域，在上述一個(gè)方向上從第一位置向第二位置設(shè)置，以及

第二區(qū)域，從第二位置向發(fā)光邊緣設(shè)置，并且包括在沿著第一導(dǎo)電層的表面的方向上比第一區(qū)域的寬度大的寬度，以及

第一電極層包括至少設(shè)置在第二區(qū)域上的電極區(qū)域，使得其在沿著第一導(dǎo)電層的表面的方向上的寬度小于第二區(qū)域的寬度。

(11)一種顯示裝置，包括：

半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括發(fā)光邊緣和與其相對(duì)的相對(duì)邊緣；以及

圖像生成單元，其能夠二維地掃描從半導(dǎo)體發(fā)光器件發(fā)射的光，并基于圖像數(shù)據(jù)控制通過(guò)投射光獲得的亮度，

該半導(dǎo)體發(fā)光器件包括

第一導(dǎo)電層，其包括電流變窄結(jié)構(gòu)，其被配置為使得電流注入?yún)^(qū)域變窄并且被配置為使得電流變窄結(jié)構(gòu)的縱向方向沿從相對(duì)邊緣到發(fā)光邊緣的一個(gè)方向設(shè)置，

第二導(dǎo)電層，

有源層，其設(shè)置在第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間，以及

第一電極層和第二電極層，其分別設(shè)置成與第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層接觸，

該電流變窄結(jié)構(gòu)包括發(fā)散區(qū)域，其設(shè)置成使得電流變窄結(jié)構(gòu)在沿著第一導(dǎo)電層的表面的方向上的寬度從預(yù)定位置向發(fā)光邊緣在上述一個(gè)方向上變寬。

第一電極層包括至少設(shè)置在發(fā)散區(qū)域上的電極區(qū)域，使得其在沿著第一導(dǎo)電層的表面的方向上的寬度小于發(fā)散區(qū)域的寬度。

(12)一種顯示裝置，包括：

半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括發(fā)光邊緣和與其相對(duì)的相對(duì)邊緣；以及

圖像生成單元，其能夠二維地掃描從半導(dǎo)體發(fā)光器件發(fā)射的光，并基于圖像數(shù)據(jù)控制通過(guò)投射光獲得的亮度，

該半導(dǎo)體發(fā)光器件包括

第一導(dǎo)電層，其包括電流變窄結(jié)構(gòu)，其被配置為使得電流注入?yún)^(qū)域變窄并且被配置為使得電流變窄結(jié)構(gòu)的縱向方向沿從相對(duì)邊緣到發(fā)光邊緣的一個(gè)方向設(shè)置，

第二導(dǎo)電層，

有源層，其設(shè)置在第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間，以及

第一電極層和第二電極層，其分別設(shè)置成與第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層接觸，

該電流變窄結(jié)構(gòu)包括

第一區(qū)域，在上述一個(gè)方向上從第一位置向第二位置設(shè)置，以及

第二區(qū)域，從第二位置向發(fā)光邊緣設(shè)置，并且包括在沿著第一導(dǎo)電層的表面的方向上比第一區(qū)域的寬度大的寬度，以及

第一電極層包括至少設(shè)置在第二區(qū)域上的電極區(qū)域，使得其在沿著第一導(dǎo)電層的表面的方向上的寬度小于第二區(qū)域的寬度。

參考標(biāo)記列表

11、211、311、411、511第一電極層

11a、311a、411b線性電極區(qū)域

11b、311b、411c發(fā)散電極區(qū)域

13第一導(dǎo)電層

14第二導(dǎo)電層

20有源層

32、232、332、432、532電流變窄結(jié)構(gòu)

32a、332a、432b、532a線性區(qū)域

32b、432b、532b發(fā)散區(qū)域

33發(fā)光邊緣

35相對(duì)邊緣

70圖像生成單元

100sld

200顯示裝置

332b、432c矩形區(qū)域

411a第一發(fā)散電極區(qū)域

411c第二發(fā)散電極區(qū)域

432c矩形區(qū)域。