技術(shù)編號(hào):11334528
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本技術(shù)涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光器件和包括該半導(dǎo)體發(fā)光器件的顯示裝置。背景技術(shù)作為一種半導(dǎo)體發(fā)光器件,超發(fā)光二極管(SLD)在具有與發(fā)光二極管相對(duì)接近的寬的發(fā)射光譜寬度的同時(shí),具有發(fā)射同時(shí)具有窄輻射角和如在半導(dǎo)體激光發(fā)射狀態(tài)中的高強(qiáng)度的光的特性。專(zhuān)利文獻(xiàn)1中描述的SLD包括形成為在平面圖中垂直于解理邊緣表面的線(xiàn)性脊波導(dǎo)和設(shè)置成使得在線(xiàn)性脊波導(dǎo)之后彎曲的彎曲波導(dǎo)有源層??梢栽诮饫磉吘壉砻嫔闲纬葾R(抗反射)膜。在具有這種結(jié)構(gòu)的SLD中,在線(xiàn)性脊波導(dǎo)的正下方的有源層中產(chǎn)生的光的大部分射向彎曲波導(dǎo)有源層。射向...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。