技術特征：

技術總結
本發(fā)明涉及相鄰活性區(qū)域之間夾著通道防止層的半導體發(fā)光器件，上述通道防止層為在用于僅使在整體活性區(qū)域中的一個活性區(qū)域活性化的充分的施加電壓下，電子或空穴無法移動的半導體層，在量子區(qū)域范圍內，對相鄰的兩個活性區(qū)域進行獨立分離，半導體發(fā)光器件在單一芯片內向垂直方向包括多個獨立的活性區(qū)域，從而能夠進行高電壓驅動。

技術研發(fā)人員：崔云龍
受保護的技術使用者：康斯坦科
技術研發(fā)日：2015.12.31
技術公布日：2017.10.20