本發(fā)明涉及半導體發(fā)光器件，更詳細地，涉及使在單一芯片內(nèi)垂直構(gòu)成的多個活性區(qū)域驅(qū)動的高電壓驅(qū)動發(fā)光器件。

背景技術(shù)：

半導體發(fā)光器件為利用在活性層對通過n型半導體層供給的電子和通過p型半導體層供給的空穴進行再結(jié)合來發(fā)生光的原理的半導體器件。

半導體發(fā)光器件的發(fā)光波長通過所使用的半導體物質(zhì)的能量帶隙來確定，為了藍色、綠色或紅外線區(qū)域的發(fā)光而使用氮化鎵類物質(zhì)，為了紅色或紅外線區(qū)域的發(fā)光而使用砷化鎵類(或磷化鋁銦鎵類)物質(zhì)。

最近，半導體發(fā)光器件用于照明或高亮度光源，為此，構(gòu)成包含多個活性區(qū)域的多重活性區(qū)域，通過施加高電壓電源來使半導體發(fā)光器件驅(qū)動。

尤其，在將紅色、綠色、藍色的三原色封裝在一個芯片的3in1封裝過程中，與綠色及藍色相比，向驅(qū)動電壓相對低的紅色led芯片施加紅色led芯片所需要的驅(qū)動電壓以上的電壓，從而發(fā)生降低整體半導體發(fā)光器件的驅(qū)動效率的問題。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

美國專利公報第2008-0251799a號

美國專利公報第2005-0067627a號

美國專利公報第2005-0253151a號

技術(shù)實現(xiàn)要素：

技術(shù)問題

本發(fā)明的一目的在于，提供與氮化鎵相比，在發(fā)光器件的驅(qū)動電壓相對低的砷化鎵類(或磷化鋁銦鎵類)發(fā)光器件，在垂直位置上形成多個活性區(qū)域，從而可進行高電壓驅(qū)動的砷化鎵類(或磷化鋁銦鎵類)發(fā)光器件。

本發(fā)明的再一目的在于，提供利用上述高電壓驅(qū)動發(fā)光器件來改善驅(qū)動效率及可靠性的發(fā)光器件。

本發(fā)明的另一目的在于，提供使驅(qū)動上述高電壓驅(qū)動發(fā)光器件的驅(qū)動電路簡化的全彩顯示器。

并且，本發(fā)明的還有一目的在于，提供制造上述發(fā)光器件、包括上述發(fā)光器件的模塊及采用其的全彩顯示器的適當方法。

解決問題的方案

用于實現(xiàn)上述一個目的的本發(fā)明實施例的高電壓驅(qū)動半導體發(fā)光器件在一個活性區(qū)域按通道長度以上隔開來形成其他一個以上的活性區(qū)域，通過加上可驅(qū)動上述一個活性區(qū)域的驅(qū)動電壓和可驅(qū)動上述其他一個以上的活性區(qū)域的驅(qū)動電壓來施加整體驅(qū)動電壓。

為此，上述半導體發(fā)光器件包括：下部半導體層，形成于上述基板；第一活性區(qū)域，在上述下部半導體層形成電子和孔來釋放光；第一通道防止層，形成于上述第一活性區(qū)域；第二活性區(qū)域，形成于上述第一通道防止層；上部半導體層，形成于上述第二活性區(qū)域；上述下部半導體層的漏出的區(qū)域或與下部半導體層想來粘結(jié)的導電性基板的一部分區(qū)域及形成于上部半導體層各個下部電極及上部電極，上述第一通道防止層及第二通道防止層可反復(fù)形成多個，上述第一通道防止層為在用于僅使在整體活性區(qū)域中的一個活性區(qū)域活性化的充分的施加電壓下，電子或空穴無法移動的半導體層，與通常的量子阻擋層相比，厚度更大的半導體層，在量子區(qū)域范圍內(nèi)，對相鄰的兩個活性區(qū)域進行獨立分離。

用于實現(xiàn)上述一個目的的本發(fā)明實施例的高電壓驅(qū)動半導體發(fā)光器件的驅(qū)動方法包括：在基板形成下部半導體層的步驟；在上述下部半導體層形成電子和孔來釋放光的第一活性區(qū)域形成步驟；在上述第一活性區(qū)域形成第一通道防止層的步驟；在上述第一通道防止層形成第二活性區(qū)域的步驟；在上述第二活性區(qū)域形成上部半導體層的步驟；在上述下部半導體層與絕緣體基板相結(jié)合的情況下，漏出上述下部半導體層的一部分區(qū)域，在上述漏出的區(qū)域及上述上部半導體層形成各個下部電極及上部電極的步驟；以及在上述下部半導體層與導電性基板相結(jié)合的情況下，在上述導電性基板下部的一部分區(qū)域及上述上部半導體層形成下部電極及上部電極的步驟，可反復(fù)進行形成上述第一通道防止層和第二活性區(qū)域的步驟，上述第一通道防止層在用于僅使在第一活性區(qū)域及第二活性區(qū)域中的一個活性區(qū)域活性化的充分的施加電壓下，電子或空穴無法移動的半導體層，在量子區(qū)域范圍內(nèi)，對相鄰的兩個活性區(qū)域進行獨立分離。

發(fā)明的效果

本發(fā)明的高電壓驅(qū)動半導體發(fā)光器件可向半導體發(fā)光器件施加的驅(qū)動電壓提供更多個的活性區(qū)域，從而可減少在發(fā)光器件發(fā)生的過電壓。

由此，可減少發(fā)光器件的發(fā)熱，從而可提高驅(qū)動效率并可改善器件的可靠性。

并且，當盡心封裝時，可進行封裝腔內(nèi)剩余空間提供，從而可增加封裝效率。

同時，在構(gòu)成采用本發(fā)明的高電壓驅(qū)動半導體發(fā)光器件的全彩顯示器的過程中，基于相驅(qū)動電壓提供更多活性區(qū)域的過電壓減少，減少系統(tǒng)內(nèi)的發(fā)熱量，當空冷時，顯著減少外部灰塵流入，從而可增加系統(tǒng)的可靠性。

并且，向驅(qū)動電壓提供更多的活性區(qū)域并減少過電壓，從而可減少用于系統(tǒng)的smps的必要水量。

并且，可通過高電壓驅(qū)動的模塊內(nèi)配線簡化減少用于電路構(gòu)成的印刷電路板使用量。

附圖說明

圖1為示出本發(fā)明實施例的代表高電壓驅(qū)動半導體發(fā)光器件的簡圖。

圖2和圖3示出與圖1的半導體器件對應(yīng)的電路圖。

圖4示出具有以往的多個活性區(qū)域的半導體發(fā)光器件。

圖5和圖6示出與具有以往的多個活性區(qū)域的半導體發(fā)光器件的電路圖。

圖7為示出本發(fā)明另一實施例的高電壓驅(qū)動半導體發(fā)光器件的簡圖。

圖8為示出本發(fā)明另一實施例的高電壓驅(qū)動半導體發(fā)光器件的簡圖。

具體實施方式

本發(fā)明的優(yōu)點及特征及實現(xiàn)這些的方法參照與附圖一同詳細后述的實施例變得更加明確。但是，本發(fā)明并不局限于以下揭示的實施例，而是可體現(xiàn)為多種形態(tài)，只是，本實施例使本發(fā)明的公開變得完整，為了向本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員提供本發(fā)明的完整范疇，本發(fā)明通過發(fā)明要求保護范圍的范疇來定義，在說明書整體中，相同附圖標記是指相同結(jié)構(gòu)要素。

首先，說明具有與本發(fā)明的高電壓驅(qū)動半導體發(fā)光器件比較的以往的多個活性區(qū)域的半導體發(fā)光器件，圖3示出具有以往的多個活性區(qū)域的半導體發(fā)光器件。

以往的具有多個活性區(qū)域的發(fā)光器件中，多個活性區(qū)域主要分為第一活性區(qū)域、第二活性區(qū)域及第三活性區(qū)域，在各個活性區(qū)域中發(fā)生的光與紅色r、綠色g、藍色v中的一種相對應(yīng)，不使用熒光體，可進行白色發(fā)光的慕老里式發(fā)光器件。

此時，紅色發(fā)光、綠色及藍色發(fā)光可分別由砷化鎵類(或磷化鋁銦鎵類)物質(zhì)和氮化鎵類(或氧化鋅類)物質(zhì)體現(xiàn)，如mocvd或mbe的通常的半導體形成過程中，很難在沒有成長的中斷的情況下，形成連續(xù)兩種物質(zhì)之間的多個活性區(qū)域?；谶@種理由，如圖4所示，在各個活性區(qū)域560、562、564之間存在成長腔外部進行加接合(焊接)的結(jié)合層570、572。在此情況下，各個活性區(qū)域在相互量子區(qū)域的觀點上與相互獨立的活性區(qū)域相對應(yīng)，驅(qū)動電壓以驅(qū)動各個活性區(qū)域的方式需要高電壓。但是，如上所述，這種結(jié)構(gòu)在成長腔外部，對異種物質(zhì)的活性層進行接合(焊接)并結(jié)合異種物質(zhì)的不同波長來體現(xiàn)白色光。

并且，現(xiàn)有技術(shù)的實施例中，將同種物質(zhì)之間的多個活性區(qū)域形成為in-situ(沒有向成長腔外取出外延層的過程)，這種in-situ成長的多個活性區(qū)域中，活性區(qū)域560、562、564之間的結(jié)合層570、572的厚度小于通常的量子擋板或載體的擴散距離，實際上，多個活性區(qū)域與一個多重量子阱結(jié)構(gòu)類似，為了驅(qū)動上述發(fā)光器件，包括與驅(qū)動一個活性區(qū)域相應(yīng)的施加電壓和追加的外延層的阻抗中的電壓強度補償，沒有高電壓的施加，可進行低的驅(qū)動。

圖5和圖6中示出具有這種以往的多個活性區(qū)域的半導體發(fā)光器件的電路圖。其中，需要注意的是，即使具有多個活性區(qū)域，也體現(xiàn)為一個二極管。

圖5和圖6示出與具有以往的多個活性區(qū)域的半導體發(fā)光器件的上部半導體552分別被p型摻雜物涂敷或者被n型摻雜物涂敷的電路圖(省略基于形成多個活性區(qū)域的追加的外延層阻抗)。

以下，參照附圖，說明本發(fā)明的高電壓驅(qū)動半導體發(fā)光器件及其制造方法。

圖1為示出本發(fā)明實施例的代表高電壓驅(qū)動半導體發(fā)光器件的簡圖。圖2和圖3示出與圖1的半導體器件對應(yīng)的電路圖。

參照圖1，本發(fā)明的噶電壓驅(qū)動半導體發(fā)光器件的制造方法包括：準備導電線基板10的步驟；在上述導電性基板10形成被涂敷成第一導電形的下部半導體層50；在上述下部半導體層50形成第一活性區(qū)域60的步驟；在上述第一活性區(qū)域60形成第一通道防止層70的步驟；在上述第一通道防止層70形成第二活性區(qū)域62的步驟；在上述第二活性區(qū)域62形成第二通道防止層72的步驟；在上述第二通道防止層72形成第三活性區(qū)域64的步驟；在上述第三活性區(qū)域64形成上部半導體層52的步驟；在上述導電性基板10及上述上部半導體層52分別形成下部電極80及上部電極82的步驟。

在上述制造方法中，上述導電性基板可為第一涂敷的砷化鎵、si、sic，考慮本發(fā)明的紅色發(fā)光器件外延層的格子整合，上述導電性基板中，砷化鎵優(yōu)選，在格子未被整合的狀態(tài)下，在導電性基板形成緩沖層(未圖示)，在上述緩沖層上可形成下部半導體層50。

上述下部半導體層50及上部半導體層52可以為以相反的類型涂敷的砷化鎵類或磷化鋁銦鎵類熔覆層，優(yōu)選地，下部半導體層50為第一涂敷的(alxga1-x)0.5in0.5p，上部半導體層52為第二涂敷的(alxga1-x)0.5in0.5p。

上述第一活性區(qū)域60、第二活性區(qū)域62及第三活性區(qū)域64可呈雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)(dh)、一個單量子阱結(jié)構(gòu)(sqw)、多量子阱結(jié)構(gòu)(mqw)中的一種，且由磷化鋁銦鎵類物質(zhì)形成。在上述活性區(qū)域呈雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)的情況下，第一涂敷的(alxga1-x)0.5in0.5p下部半導體層50和第二涂敷的(alxga1-x)0.5in0.5p上部半導體層50的al組成x具有0.5≤x≤1.0范圍，上述第一活性區(qū)域60、第二活性區(qū)域62、第三活性區(qū)域64由al組成x具有0≤x≤0.45范圍的(alxga1-x)0.5in0.5p構(gòu)成。并且，在量子阱結(jié)構(gòu)的情況下，al組成x為0.5≤x≤1.0的(alxga1-x)0.5in0.5p量子阻擋層和al組成x為0≤x≤0.45的(alxga1-x)0.5in0.5p量子阱層構(gòu)成。

形成于各個活性區(qū)域之間的通道防止層用于獨立分離量子區(qū)域范圍中相鄰的兩個活性區(qū)域，上述第一通道防止層70及第二通道防止層72由al組成x為0≤x≤1的(alxga1-x)0.5in0.5p形成，各個通道防止層在用于僅使在整體活性區(qū)域中的一個活性區(qū)域活性化的充分的施加電壓下，電子或空穴無法移動的半導體層，在量子區(qū)域范圍內(nèi)，對相鄰的兩個活性區(qū)域進行獨立分離。并且，在上述上部半導體層52被第一型的摻雜物涂敷的情況下，上述第二通道防止層72和第一通道防止層70可分別涂敷第二型及第一型的摻雜物，在上部半導體層52被第二型的摻雜物涂敷的情況下，上述第二通道防止層72和第一通道防止層70可分別涂敷第一型及第二型的摻雜物，從器件上部方向形成pnpn接合或npnp接合的串聯(lián)接合，從而可表現(xiàn)成圖2或圖3的電路圖。

用于使上述記述的活性區(qū)域活性化的充分的施加電壓通過構(gòu)成活性區(qū)域的半導體的能量帶隙確定，藍色及綠色的氮化鎵類發(fā)光器件大致為3v，紅色及紅外線的氮化鎵類(或磷化鋁銦鎵類)發(fā)光器件大致為2v。

如圖2及圖3所示，具有3個串聯(lián)二極管的電路的驅(qū)動過程中，需要與用于驅(qū)動各個二極管所需要的電壓的合計相應(yīng)的施加電壓。如本實施例，(alxga1-x)0.5in0.5p紅色發(fā)光二極管的驅(qū)動電壓大致為2v，如圖1及圖2、圖3所示，包括獨立的3個活性區(qū)域的發(fā)光器件中，為了驅(qū)動各個發(fā)光二極管而需要2v×3個的6v驅(qū)動電壓。

本發(fā)明實施例的上述6v的紅色半導體發(fā)光器件的驅(qū)動電壓為用于驅(qū)動在單一芯片內(nèi)相互獨立串聯(lián)的3個活性區(qū)域的半導體發(fā)光器件的電壓，與通常的紅色發(fā)光器件的驅(qū)動電壓為大致2v相比，上述電壓為3倍以上的高電壓。

并且，本發(fā)明的高電壓驅(qū)動發(fā)電器件的活性區(qū)域與以往具有一個活性區(qū)域的發(fā)光器件作比較，可包括2個以上的活性區(qū)域及1個以上的通道防止層，活性區(qū)域及通道防止層與所選擇的施加電壓相對應(yīng)來適當選擇，例如，12v的施加電壓下，可構(gòu)成包括6個活性區(qū)域的高電壓驅(qū)動發(fā)光器件。

圖5示出本發(fā)明另一實施例。圖7所示的另一實施例中，突出形成上述記述的高電壓驅(qū)動半導體發(fā)光器件外延層的導電性基板10，上述高電壓驅(qū)動半導體發(fā)光孕檢的外延層與轉(zhuǎn)接板12相接合，上述轉(zhuǎn)接板可以為通過轉(zhuǎn)接板向器件外部釋放所發(fā)生的光的透明的基板或發(fā)射所發(fā)生的光并強化發(fā)熱功能的金屬基板。透明的轉(zhuǎn)接板選自磷化鈣、鋁砷化鎵,磷化鋁銦鎵,碳化硅、氮化鋁、氮化鎵中的一種或這些的合成物質(zhì)，金屬基板可由包含在al、ag、tiw、w、mo、ta、tan、cu中的一種元素的物質(zhì)構(gòu)成。在選擇金屬基板的情況下，在連接層30內(nèi)形成接合層，而且還可形成發(fā)射層。

并且，本發(fā)明的高電壓驅(qū)動半導體發(fā)光器件形成于絕緣體基板或者可向絕緣體基板移送，基于這種實施例的發(fā)光器件呈現(xiàn)在圖7。隨著使用絕緣體基板10，下部電極形成于下部半導體層50，而并非形成于基板，在本實施例中的絕緣體基板為成長基板的情況下，連接層30可對應(yīng)緩沖層。在本實施例中的絕緣層基板14可選自藍寶石、金剛石、碳、石英(quartz)、玻璃。

本發(fā)明的高電壓驅(qū)動半導體發(fā)光器件可用于封裝、模塊及結(jié)合模塊的全彩顯示器。尤其，適合于模塊的空間使用的3in1封裝的情況下，一個紅色、綠色、藍色芯片分別屬于一個封裝。

其中，需要注意的是，將本發(fā)明的高電壓驅(qū)動半導體發(fā)光器件限定在砷化鎵類(或磷化鋁銦鎵類)器件。這是因為連續(xù)垂直的npnp型或pnpn型結(jié)構(gòu)的氮化鎵類半導體成長過程中，p型氮化鎵類半導體層成長之后的n型氮化鎵類半導體層成長時，從首先成長的p型氮化鎵類半導體層，因摻雜物擴散，上述p型氮化鎵類半導體層無法再以p型半導體層存在，而使被高阻抗化而無法體現(xiàn)器件?；谏鲜隼碛?，在氮化鎵類半導體器件中，無法垂直構(gòu)成多個個別活性區(qū)域，代替的是，在側(cè)面(垂直方向)形成獨立結(jié)構(gòu)來追加進行電結(jié)合，從而可進行高電壓驅(qū)動(首爾半導體有限公司，產(chǎn)品名稱：acrich)。

使采用本發(fā)明的高電壓驅(qū)動紅色半導體發(fā)光器件的3in1封裝和以往的3in1封裝分別模塊化并比較點特新及效率來呈現(xiàn)在表1。

考慮所施加的電特性及效率，采用本發(fā)明的高電壓驅(qū)動紅色半導體發(fā)光器件的3in1封裝模塊包括紅色芯片1個(包括3個個別活性區(qū)域)、分別包括2個綠色及藍色芯片并被封裝，由7v供給smps(meanwell公司制造，模型名稱sp-320-7.5)驅(qū)動，所比較的以往3in1封裝模塊分別包括1個紅色、綠色及藍色芯片并被封裝，實際模塊內(nèi)，考慮到電壓下降，由5v供給smps(meanwell公司制造，模型名稱sp-320-5)驅(qū)動。

上述應(yīng)用例中的綠色及藍色芯片通過金屬焊接在封裝上分別串聯(lián)，紅色芯片為3個獨立活性區(qū)域包含在垂直單一芯片內(nèi)。

在3in1封裝中，使用本發(fā)明的高電壓驅(qū)動紅色發(fā)光芯片，由此，通過一個紅色芯片來代替多個紅色芯片來簡化封裝工序，與綠色及藍色芯片相比，可提供更多的封裝空間，從而可改善封裝工作效率。

進而，如圖1所示，與以往的3in1封裝相比，可減少37％的消耗電力(直流基準)，由此，可改善發(fā)光效率及減少發(fā)熱，采用其的模塊及顯示裝置中的性能及可靠性顯著增加。

表1

并且，包括本發(fā)明的高電壓驅(qū)動半導體發(fā)光器件的封裝的模塊、顯示裝置中，可施加高電壓，在smps中，在向各個模塊供給的配線選擇過程中，考慮電壓下降，與短且厚的以往配線相比，可使用相對長且薄的配線，從而可增加涉及的自由度。

并且，用于模塊驅(qū)動的印刷電路板設(shè)計過程中，可施加基于高電壓的低電流，可在印刷電路板內(nèi)涉及薄的配線圖案，印刷電路板內(nèi)配線圖案聚集得到提高，從而降低印刷電路板使用量并可實現(xiàn)小型化。

實施例1

本發(fā)明的高電壓驅(qū)動紅色半導體發(fā)光器件包括：導電性基板10；下部半導體層50，形成于上述導電性基板10；第一活性區(qū)域60，形成于上述下部半導體層50；第一通道防止層70，形成于上述第一活性區(qū)域60；第二活性區(qū)域62，形成于上述第一通道防止層70；第二通道防止層72，形成于上述第二活性區(qū)域；第三活性區(qū)域64，形成于上述第二通道防止層72；上部半導體層52，形成于上述第三活性區(qū)域64；分別形成于上述導電性基板10及上述上部半導體層52的下部電極80及上部電極82，上述第一活性區(qū)域60、第二活性區(qū)域62及第三活性區(qū)域64可分別由磷化鋁銦鎵類物質(zhì)形成，優(yōu)選地，由al組成x具有0≤x≤0.45的范圍的(alxga1-x)0.5in0.5p構(gòu)成，上述第一通道防止層70及第二通道防止層72為在用于僅使在整體活性區(qū)域中的一個活性區(qū)域活性化的充分的施加電壓下，電子或空穴無法移動的半導體層，在量子區(qū)域范圍內(nèi)，對相鄰的兩個活性區(qū)域進行獨立分離，上述第一通道防止層70及第二通道防止層72可由磷化鋁銦鎵類物質(zhì)形成，優(yōu)選地，可由al組成x具有0≤x≤1的范圍的(alxga1-x)0.5in0.5p構(gòu)成，上述第一通道防止層70及第二通道防止層72可分別具有3μm以上的厚度，在上述上部半導體層52被第一型的摻雜物涂敷的情況下，上述第二通道防止層72和第一通道防止層70可分別被第二型及第一型的摻雜物涂敷，在上部半導體層52被第二型的摻雜物涂敷的情況下，上述第二通道防止層72和第一通道防止層70分別被第一型及第二型的摻雜物涂敷，從而，從器件上部垂直方向形成pnpn或npnp的串聯(lián)接合，在單一半導體器件內(nèi)形成獨立的多個活性區(qū)域。

并且，上述第一活性區(qū)域60、第二活性區(qū)域62、第三活性區(qū)域64均由相同組成物質(zhì)形成，在紅色或紅外線區(qū)域，實際上具有相同波長。

實施例2

本發(fā)明的高電壓驅(qū)動紅色半導體發(fā)光器件包括：導電性基板10；下部半導體層50，形成于上述半導性基板10；形成于上述下部半導體層50的n個活性區(qū)域和夾在上述活性區(qū)域的n-1個的通道防止層(只是，n為大于2的自然數(shù))；以及上部半導體層52，形成于最后n個活性區(qū)域，分別形成于上述導電性基板10及上述上部半導體層52的下部電極80及上部電極82，上述n個活性區(qū)域可由磷化鋁銦鎵類物質(zhì)形成，優(yōu)選地，由al組成x具有0≤x≤0.45的范圍的(alxga1-x)0.5in0.5p構(gòu)成，上述n-1個的通道防止層可由磷化鋁銦鎵類物質(zhì)形成，優(yōu)選地，由al組成x具有0≤x≤1的范圍的(alxga1-x)0.5in0.5p形成，上述n-1個通道防止層為在用于僅使在整體活性區(qū)域中的一個活性區(qū)域活性化的充分的施加電壓下，電子或空穴無法移動的半導體層，在量子區(qū)域范圍內(nèi)，對相鄰的兩個活性區(qū)域進行獨立分離，上述n-1個通道防止層可分別具有3μm以上的厚度，上述n-1個通道防止層中，在上述上部半導體層52被第一型的摻雜物涂敷的情況下，從下部第偶數(shù)個通道防止層和第奇數(shù)個通道防止層能夠分別被第二型及第一型的摻雜物涂敷，在上部半導體層52被第二型的摻雜物涂敷的情況下，從下部第偶數(shù)個通道防止層和第奇數(shù)個通道防止層分別被第一型及第二型的摻雜物涂敷，從而，從上部垂直方向形成pn…pn或np…np的串聯(lián)接合。

并且，上述n個活性區(qū)域均由相同組成的物質(zhì)形成，在紅色或紅外線區(qū)域，實際上具有相同波長。

實施例3

包括上述實施例1或?qū)嵤├?中的高電壓驅(qū)動半導體發(fā)光器件的封裝及包括其的全彩顯示裝置中，上述封裝可以為燈型或3in1型，上述全彩顯示器包括：模塊，包括上述封裝；配線，用于向上述模塊施加電源及控制信號；印刷電路板；smps及控制裝置。

實施例4

高壓電驅(qū)動發(fā)光器件的制造方法包括：形成生長基板的步驟；在上述生長基板形成下部半導體層的步驟；在上述下部半導體層形成第一活性區(qū)域的步驟；在上述第一活性區(qū)域形成第一通道防止層的步驟；在上述第一通道防止層形成上述第二活性區(qū)域的步驟；在上述第二活性區(qū)域形成上部半導體層的步驟；在上述第二活性區(qū)域形成第二通道防止層的步驟；在上述第二通道防止層形成第三活性區(qū)域的步驟；以及在上述第三活性區(qū)域形成上部半導體層的步驟，上述第一通道防止層及第二通道防止層為在用于僅使在第一活性區(qū)域、第二活性區(qū)域、第三活性區(qū)域中的一個活性區(qū)域活性化的充分的施加電壓下，電子或空穴無法移動的半導體層，在量子區(qū)域范圍內(nèi)，對相鄰的兩個活性區(qū)域進行獨立分離。

并且，還可追加使通過上述制造方法制造的高壓驅(qū)動發(fā)光器件的外延層與轉(zhuǎn)接板相接合，并去除上述成長基板的工序。

以上，以實施例為中心，對本發(fā)明進行了說明，但這只是例示性實施例，而并非用于限定本發(fā)明，本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可在不超不本發(fā)明的本質(zhì)特性的范圍內(nèi)進行以上并未例示的多種變形和應(yīng)用。

例如，在構(gòu)成在本發(fā)明中提出的各個高電壓驅(qū)動發(fā)光器件的半導體層之間還可形成第三半導體層。而且，與這種變形和應(yīng)用相關(guān)的不同點屬于在發(fā)明要求保護范圍中規(guī)定的本發(fā)明的范圍內(nèi)。