技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
用于等離子體處理半導(dǎo)體基板的設(shè)備。該設(shè)備的情形包括上屏蔽件，上屏蔽件具有布置于上屏蔽件中心的氣體擴(kuò)散器。氣體擴(kuò)散器與上屏蔽件允許處理氣體以層流的方式進(jìn)入處理腔室。上屏蔽件剖面促進(jìn)處理氣體的徑向擴(kuò)散和自基板表面蝕刻來的材料的徑向移動(dòng)。上屏蔽件的曲率引導(dǎo)蝕刻的材料至下屏蔽件，減少蝕刻的材料沉積于上屏蔽件上。下屏蔽件亦包括將蝕刻的材料引導(dǎo)往狹槽的彎曲表面，而使蝕刻的材料能夠自處理腔室離開，減少蝕刻的材料沉積于下屏蔽件上。

技術(shù)研發(fā)人員：邦妮·T·基亞;蔡振雄
受保護(hù)的技術(shù)使用者：應(yīng)用材料公司
技術(shù)研發(fā)日：2015.11.11
技術(shù)公布日：2017.08.29