pct國內(nèi)申請，說明書已公開。

技術特征：

技術總結
一種FinFET的摻雜方法，該FinFET包括襯底（20）和位于襯底上平行間隔設置的Fin（200），每根Fin包括頂面、第一側壁和第二側壁，該摻雜方法包括以下步驟：T1、在Fin的頂面、第一側壁和第二側壁中形成摻雜層；T2、將襯底元素沿著該襯底（20）的法線方向注入至Fin的頂面中以減小頂面中摻雜元素的濃度。通過較長時間的離子注入實現(xiàn)注入的飽和，并在側壁完成注入之后增加一道襯底元素注入的工藝，最終實現(xiàn)Fin的均勻摻雜。

技術研發(fā)人員：洪俊華;吳漢明;陳炯;張勁
受保護的技術使用者：上海凱世通半導體股份有限公司
技術研發(fā)日：2015.01.08
技術公布日：2017.08.29