本發(fā)明涉及一種背光單元及側(cè)發(fā)光二極管封裝件，尤其涉及一種應(yīng)用側(cè)發(fā)光二極管封裝件的背光單元和側(cè)發(fā)光二極管封裝件。

背景技術(shù)：

通常，發(fā)光二極管封裝件大體分為塔型發(fā)光二極管封裝件和側(cè)發(fā)光二極管(side-viewlight-emittingdiode)封裝件。側(cè)發(fā)光二極管封裝件結(jié)合于背光單元的導(dǎo)光板側(cè)面而被較多地用作顯示裝置的背光用光源。最近，側(cè)發(fā)光二極管封裝件除了現(xiàn)有顯示裝置的背光用途之外，逐漸被多樣地使用。

通常，側(cè)發(fā)光二極管封裝件在主體的前表面包括用于貼裝發(fā)光二極管的腔體。并且，引腳框架在封裝件主體的內(nèi)部通過(guò)封裝件主體的底面而向外部延伸，并在腔體內(nèi)與發(fā)光二極管芯片電連接。此時(shí)，將封裝件主體內(nèi)的引腳框架稱為內(nèi)部引腳，并將外部的引腳框架稱為外部引腳。

此時(shí)，外部引腳在封裝件主體的底面下方彎曲而通過(guò)焊接等方式焊接連接到基板的焊接圖案(solderpattern)。據(jù)此，發(fā)光二極管封裝件被安裝在基板上，同時(shí)與基板上的焊料圖案電連接。

并且，隨著最近顯示裝置的厚度變薄，側(cè)發(fā)光二極管封裝件的厚度也逐漸變薄?，F(xiàn)有的側(cè)發(fā)光二極管封裝件被開(kāi)發(fā)至0.4t的厚度，但是在制造更薄的厚度的情況下，由于發(fā)光二極管芯片與反射器之間的空間變得狹小，而存在光老化變多的問(wèn)題，因此存在難以利用現(xiàn)有的側(cè)發(fā)光二極管封裝件的結(jié)構(gòu)而制造成更薄的厚度的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

技術(shù)問(wèn)題

本發(fā)明所要解決的課題為，提供一種應(yīng)用如下的側(cè)發(fā)光二極管封裝件的背光單元及側(cè)發(fā)光二極管封裝件，所述側(cè)發(fā)光二極管封裝件具有能夠?qū)?cè)發(fā)光二極管封裝件的厚度更薄地制造的結(jié)構(gòu)。

技術(shù)方案

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的背光單元可以包括：導(dǎo)光板；以及發(fā)光二極管封裝件，結(jié)合于所述導(dǎo)光板的側(cè)面，向所述導(dǎo)光板的內(nèi)部發(fā)出光，所述發(fā)光二極管封裝件包括：基板；一對(duì)引腳，形成于所述基板的兩個(gè)末端；發(fā)光二極管芯片，貼裝于所述基板的上部；反射部，以圍繞所述發(fā)光二極管芯片的側(cè)面的方式形成；以及波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部，形成于所述發(fā)光二極管芯片和反射部的上部。

此時(shí)，所述反射部可以以覆蓋貼裝有所述發(fā)光二極管芯片的基板的方式形成。并且，所述反射部可以形成為與所述基板相隔的狀態(tài)，所述反射部以所述反射部的末端與所述一對(duì)引腳的末端對(duì)齊的寬度形成，所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部可以以覆蓋所述反射部的上部整體的方式形成。其中，所述一對(duì)引腳可以在所述基板的兩個(gè)末端向下表面彎曲而形成。

所述一對(duì)引腳可以以圍繞所述基板的兩個(gè)末端的方式從所述基板的上部面向下部面延伸形成。

另外，根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的側(cè)發(fā)光二極管封裝件可以包括：基板；一對(duì)引腳，形成于所述基板的兩個(gè)末端；發(fā)光二極管芯片，貼裝于所述基板的上部；反射部，以圍繞所述發(fā)光二極管的側(cè)面的方式形成；波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部，形成于所述發(fā)光二極管芯片和反射部的上部。

此時(shí)，所述反射部可以以覆蓋貼裝有所述發(fā)光二極管芯片的基板的方式形成。并且，所述反射部可以形成為與所述基板相隔的狀態(tài)，所述反射部以所述反射部的末端與所述一對(duì)引腳的末端對(duì)齊的寬度形成，所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部可以以覆蓋所述反射部的上部整體的方式形成。在此，所述一對(duì)引腳可以在所述基板的兩個(gè)末端向下表面彎曲而形成。

所述一對(duì)引腳可以以圍繞所述基板的兩個(gè)末端的方式從所述基板的上部面向下部面延伸形成。

有益效果

根據(jù)本發(fā)明的一方面，將發(fā)光二極管芯片直接貼裝于基板而制造，從而具有能夠制造超薄型或者超纖薄的背光單元及側(cè)發(fā)光二極管封裝件的效果。

并且，導(dǎo)光板位于側(cè)發(fā)光二極管的發(fā)光二極管芯片所發(fā)光的方向，從而具有最大化入射到導(dǎo)光板的光效率的效果。

附圖說(shuō)明

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的背光單元的圖。

圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的應(yīng)用于背光單元的側(cè)發(fā)光二極管封裝件的圖。

圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的應(yīng)用于背光單元的側(cè)發(fā)光二極管封裝件的圖。

圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的應(yīng)用于背光單元的側(cè)發(fā)光二極管封裝件的圖。

符號(hào)說(shuō)明

100：背光單元110：導(dǎo)光板

120：薄膜130：側(cè)發(fā)光二極管封裝件

131：基板132：引腳

133：發(fā)光二極管芯片134：電極

135：反射部136：波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部

具體實(shí)施方式

參考附圖而對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行更詳細(xì)的說(shuō)明。

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的背光單元的圖，圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的應(yīng)用于背光單元的側(cè)發(fā)光二極管封裝件的圖。

如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的背光單元100包括導(dǎo)光板110、多個(gè)薄膜120以及側(cè)發(fā)光二極管封裝件130。

導(dǎo)光板110布置于液晶顯示面板(未示出)的下方，并將從發(fā)光二極管封裝件入射的光的路徑向液晶顯示面板側(cè)變更而引導(dǎo)。導(dǎo)光板110為了最小化光損失而優(yōu)選由透明物質(zhì)形成。例如，由透明的聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate:pmma)或者聚碳酸酯(polycarbonate:pc)材質(zhì)形成。

并且，在導(dǎo)光板110的下部面可以形成有用于光的漫反射的預(yù)定的反射圖案(未示出)。一示例中，形成于導(dǎo)光板110的下部面的所述反射圖案可以包括印刷圖案或者凹凸圖案等。因此，從側(cè)發(fā)光二極管封裝件130入射到導(dǎo)光板110的內(nèi)部的光借助所述反射圖案而漫反射，在導(dǎo)光板110的上表面以超過(guò)特定臨界角的角度入射的光通過(guò)導(dǎo)光板110的上表面而射出。

并且，導(dǎo)光板110可以具有，布置有側(cè)發(fā)光二極管封裝件130的入射面和作為其相反部分的對(duì)光面具有彼此相同厚度的板形狀，也可以具有厚度從入射面到對(duì)光面逐漸變薄的楔狀?；蛘?，如圖1所示，入射面?zhèn)鹊囊徊糠挚梢孕纬蔀樾睿鴱男畹綄?duì)光面可以以相同的厚度形成。

薄膜120包括擴(kuò)散片、棱鏡片、吸收片等。除了圖1所示的部分以外，薄膜120還可以包括其他棱鏡片或者保護(hù)片等板狀或片狀的其他光學(xué)片。

如圖1所示，側(cè)發(fā)光二極管封裝件130結(jié)合于導(dǎo)光板110的側(cè)面，且發(fā)出的光入射到導(dǎo)光板110的內(nèi)部。為此，如圖2所示，側(cè)發(fā)光二極管封裝件130包括基板、一對(duì)引腳132、發(fā)光二極管芯片133、反射部135及波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部136。

基板131可以貼裝有發(fā)光二極管芯片133，并且形成有多個(gè)導(dǎo)電圖案。并且，基板131無(wú)需被特殊限定，例如，可以是有利于散熱的金屬pcb，也可以是具有長(zhǎng)軸和短軸的條形(bartype)。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，可以將條形基板131的長(zhǎng)度制造為1.8t。

一對(duì)引腳132與基板131的多個(gè)導(dǎo)電圖案電連接，并以圍繞基板131的兩個(gè)末端的方式布置。即，一對(duì)引腳132在基板131上部面沿著側(cè)面延伸，再次沿著基板131的下部面而延伸。據(jù)此，如圖2所示，一對(duì)引腳132形成為“匚”字形狀。

發(fā)光二極管芯片133是借助從外部供應(yīng)的電源而發(fā)出預(yù)定波長(zhǎng)的光的一種半導(dǎo)體元件，其可以只配備有一個(gè)，也可以根據(jù)實(shí)施例而在基板131配備有多個(gè)。發(fā)光二極管芯片133可以在基板131上與通過(guò)直接倒裝焊接(flipbonding)或者表面貼裝技術(shù)(smt，surfacemounttechnology)而形成于基板131的多個(gè)導(dǎo)電圖案電連接。

此時(shí)，由于本發(fā)明的側(cè)發(fā)光二極管封裝件130不使用線材，所以不需要用于保護(hù)線材的模塑部，并且無(wú)需為了暴露電極134而去除波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部136的一部分，

反射部135可以以圍繞發(fā)光二極管芯片133的周圍的方式形成，以使從發(fā)光二極管芯片133發(fā)出的光只向一個(gè)方向發(fā)出。如圖2所示，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，反射部135在發(fā)光二極管芯片133貼裝于基板131的狀態(tài)下，以圍繞發(fā)光二極管芯片133周圍的方式形成。據(jù)此，反射部135以與發(fā)光二極管芯片133的側(cè)面及基板131的上表面相接的方式形成。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，為了形成反射部135，在發(fā)光二極管芯片133貼裝于基板131的狀態(tài)下，將反射部135以圍繞發(fā)光二極管芯片133周圍的方式形成，然后將液態(tài)的反射部135形成于發(fā)光二極管芯片133周圍。此時(shí)，一對(duì)引腳132起到防止液態(tài)的反射部135向外部溢出的阻斷作用。

并且，可以將反射部135形成為白色而使從發(fā)光二極管芯片133發(fā)出的光容易反射，并使在反射部135反射的光通過(guò)開(kāi)放的上部的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部136而發(fā)出。據(jù)此，如果從發(fā)光二極管芯片133發(fā)出的光通過(guò)出射面的側(cè)面發(fā)出，而不是通過(guò)出射面發(fā)出，則使該光在反射部135反射而被引導(dǎo)向波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部136側(cè)。

波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部136形成于發(fā)光二極管芯片133和反射部135上部。即，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部136包括出射面而與發(fā)光二極管芯片133的上部面相接而形成，并比發(fā)光二極管芯片133的寬度大地形成，從而形成為能夠覆蓋至反射部135的上部的大小。此時(shí)，出射面表示發(fā)光二極管芯片133的一側(cè)面中的用于使光發(fā)出的面。并且，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部136可以包括熒光體。熒光體可以對(duì)從發(fā)光二極管芯片133發(fā)出的光進(jìn)行波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換。

如上所述，通過(guò)制造側(cè)發(fā)光二極管封裝件130，能夠?qū)?cè)發(fā)光二極管封裝件130的厚度制造成0.3t，并且在發(fā)光二極管芯片133發(fā)出的熱能夠通過(guò)基板131而快速散熱。

圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的應(yīng)用于背光單元的側(cè)發(fā)光二極管封裝件的圖。

如圖3所示，本發(fā)明的另一實(shí)施例的側(cè)發(fā)光二極管封裝件130側(cè)發(fā)光二極管封裝件130包括基板131、一對(duì)引腳132、發(fā)光二極管芯片133、反射部135及波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部136。此時(shí)，省略與本發(fā)明的一實(shí)施例相同的說(shuō)明。

本發(fā)明的另一實(shí)施例的側(cè)發(fā)光二極管封裝件130中，形成有引腳132的基板131與形成有反射部135及波長(zhǎng)部的發(fā)光二極管芯片133被單獨(dú)制造。即，在基板131形成一對(duì)引腳132，然后單獨(dú)地在發(fā)光二極管芯片133形成反射部135和波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部136。然后，將發(fā)光二極管芯片133貼裝到基板131而制造如圖3所示的側(cè)發(fā)光二極管封裝件130。

此時(shí)，將反射部135以圍繞發(fā)光二極管芯片133的側(cè)面的方式形成預(yù)定厚度，然后在形成有反射部135的發(fā)光二極管芯片133的出射面以覆蓋至反射部135的方式形成波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部136。此時(shí)，反射部135的厚度只要是從發(fā)光二極管芯片133發(fā)出的光不穿透反射部135的程度即可。

如上所述，根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的側(cè)發(fā)光二極管封裝件130在將基板131和發(fā)光二極管芯片133單獨(dú)制造的狀態(tài)下將它們結(jié)合，因此具有容易制造的優(yōu)點(diǎn)。

圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的應(yīng)用于背光單元的側(cè)發(fā)光二極管封裝件的圖。

如圖4所示，本發(fā)明的又一實(shí)施例的側(cè)發(fā)光二極管封裝件130側(cè)發(fā)光二極管封裝件130包括基板131、一對(duì)引腳132、發(fā)光二極管芯片133、反射部135及波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部136。此時(shí)，省略與本發(fā)明的一實(shí)施例相同的說(shuō)明。

在本發(fā)明的又一實(shí)施例的側(cè)發(fā)光二極管封裝件130中，形成有一對(duì)引腳132的基板131與形成有反射部135及波長(zhǎng)部的發(fā)光二極管芯片133被單獨(dú)制造。即，在基板131形成一對(duì)引腳132之后，將發(fā)光二極管芯片133貼裝到基板131而制造如圖4所示的側(cè)發(fā)光二極管封裝件130。

此時(shí)，如圖4所示，本發(fā)明的又一實(shí)施例中，一對(duì)引腳132不形成于基板131的上部面。即，一對(duì)引腳132以從基板131的側(cè)面像下部面彎曲并延伸的方式形成。

并且，形成于發(fā)光二極管芯片133的周圍的反射部135以圍繞發(fā)光二極管芯片133的側(cè)面的方式形成為預(yù)定厚度，并且反射部135的厚度形成為相當(dāng)于基板131的寬度。即，如圖4所示，在發(fā)光二極管芯片133貼裝于基板131時(shí)，形成為反射部135的末端與基板131的末端對(duì)齊的厚度。

波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部136以將發(fā)光二極管芯片133的出射面與反射部135全部覆蓋的方式形成。據(jù)此，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部136形成為以預(yù)定比例以上的比例相對(duì)大于發(fā)光二極管芯片133的大小，因此從發(fā)光二極管芯片133發(fā)出的光發(fā)出到外部的發(fā)出效率高。

如上所述，借助參照附圖的實(shí)施例而進(jìn)行了對(duì)本發(fā)明的具體說(shuō)明，但是上述實(shí)施例只是對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選示例進(jìn)行了說(shuō)明，本發(fā)明不應(yīng)局限于上述實(shí)施例，本發(fā)明的權(quán)利范圍應(yīng)被理解為權(quán)利要求書(shū)以及其等價(jià)概念。