1.一種密封組合物，其含有：
具有陽(yáng)離子性官能團(tuán)且重均分子量為2000～1000000的聚合物(A)、以及苯并三唑化合物，
所述聚合物(A)的含量相對(duì)于密封組合物100質(zhì)量份為0.05質(zhì)量份～0.20質(zhì)量份，
所述密封組合物中的所述苯并三唑化合物的含量為3質(zhì)量ppm～200質(zhì)量ppm，
所述密封組合物的pH為3.0～6.5。
2.一種密封組合物，其含有：
具有陽(yáng)離子性官能團(tuán)且重均分子量為2000～1000000的聚合物(A)、以及苯并三唑化合物，
密封組合物中的所述苯并三唑化合物的含量為3質(zhì)量ppm～200質(zhì)量ppm，
所述密封組合物的pH為3.0～6.5。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的密封組合物，其還含有一元羧酸化合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的密封組合物，其以元素基準(zhǔn)計(jì)，鈉和鉀的含量分別為10質(zhì)量ppb以下。
5.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其具有：
密封組合物賦予工序，在半導(dǎo)體基板的至少下述凹部的底面和側(cè)面賦予權(quán)利要求1所述的密封組合物，所述半導(dǎo)體基板具有設(shè)有凹部的層間絕緣層和含有銅的配線，該配線的表面的至少一部分在所述凹部的底面的至少一部分露出，以及
洗滌工序，在所述密封組合物賦予工序之后，用含有0.3毫摩爾/升～230毫摩爾/升的多元羧酸單體的沖洗液洗滌至少所述凹部的側(cè)面和底面。
6.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其具有：
密封組合物賦予工序，其在具有層間絕緣層和含有銅的配線的半導(dǎo)體基板的至少所述層間絕緣層以及所述配線的表面賦予權(quán)利要求2所述的密封組合物，以及
洗滌工序，在所述密封組合物賦予工序之后，用含有0.3毫摩爾/升～230毫摩爾/升的多元羧酸單體的沖洗液洗滌至少所述層間絕緣層以及所述配線的表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，所述多元羧酸單體滿足：具有兩個(gè)芳香環(huán)、以及分子量為342以上中的至少一者。
8.根據(jù)權(quán)利要求5～7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，所述沖洗液的pH為4.0～7.0。
9.根據(jù)權(quán)利要求5～8中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，所述密封組合物中，以元素基準(zhǔn)計(jì)，鈉和鉀的含量分別為10質(zhì)量ppb以下。
10.根據(jù)權(quán)利要求5～9中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，在所述密封組合物賦予工序后且在所述洗滌工序之前，具有將所述半導(dǎo)體基板在溫度70℃～125℃進(jìn)行加熱的加熱工序。
11.根據(jù)權(quán)利要求5～10中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，在所述洗滌工序后，具有將所述半導(dǎo)體基板在溫度200℃～425℃進(jìn)行加熱的高溫加熱工序。
12.根據(jù)權(quán)利要求5～11中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，所述密封組合物還含有一元羧酸。