相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)依據(jù)35u.s.c.§119(e)要求2014年7月11日提交的題為“integratedhigh-powertunablelaserwithadjustableoutputs”的美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)序列第62/023,483號(hào)的權(quán)益，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用合并到本文中。本申請(qǐng)涉及可調(diào)諧激光器、光放大器，并且涉及光通信系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
：：可調(diào)諧激光器通常由諧振激光腔內(nèi)的可調(diào)諧波長(zhǎng)濾波器和單個(gè)光學(xué)增益介質(zhì)組成。圖1中示出了常規(guī)可調(diào)諧激光器100的圖示。激光腔可以包括在高反射器端鏡105與部分透射鏡140(稱為“輸出耦合器”)之間反射的腔內(nèi)光束102。當(dāng)腔內(nèi)光束在端鏡與輸出耦合器之間循環(huán)時(shí)，其穿過(guò)增益介質(zhì)110和可調(diào)諧波長(zhǎng)濾波器130。這樣的激光器通常具有從輸出耦合器140發(fā)射的僅一個(gè)輸出光束104。例如，輸出耦合器可以將腔內(nèi)光束102中約10％的光學(xué)功率傳輸至激光腔外部以形成輸出光束104。通常，在激光器工作時(shí)不能調(diào)節(jié)耦合到激光腔外部的功率量。替代地，必須關(guān)閉激光器，并且安裝和對(duì)準(zhǔn)不同的輸出耦合器130。因?yàn)槌Ｒ?guī)激光器包含一種增益介質(zhì)，所以激光功率受到增益介質(zhì)130的飽和功率的限制。一旦在增益介質(zhì)中達(dá)到飽和功率水平，則激光腔的輸出功率不能實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步顯著增加。為了增加可利用的激光功率，常規(guī)技術(shù)使輸出光束104通過(guò)位于激光器100下游的光放大器。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本技術(shù)涉及可調(diào)諧激光器、大功率激光器和光放大器。多個(gè)光放大器可以并行集成到激光腔中。另外，激光器可以包括可調(diào)諧濾波器并且提供多個(gè)功率輸出端口，其中每個(gè)端口的功率是可調(diào)節(jié)的。根據(jù)一些實(shí)施方式，具有激光腔的激光器可以包括：在激光腔的第一端處的反射器；以及腔內(nèi)n×m耦合器，其被布置成在第一端口處接收來(lái)自反射器的光并且將光分布到n個(gè)輸出端口。激光器還可以包括：q個(gè)光放大器，其被布置成放大來(lái)自n個(gè)輸出端口中的至少一些輸出端口的光；以及至少一個(gè)反射器，其被布置成將經(jīng)放大的光反射回n×m耦合器。結(jié)合在激光腔中的光放大器的數(shù)目可以大于或等于2。還描述了用于操作具有集成光放大器的可調(diào)諧激光器的方法。根據(jù)一些實(shí)施方式，產(chǎn)生相干光的方法可以包括以下動(dòng)作：從第一反射器反射光；以及利用n×m耦合器將經(jīng)反射的光分布到n個(gè)光路。該方法還可以包括：通過(guò)放大n個(gè)光路中的至少兩個(gè)光路中的光來(lái)產(chǎn)生經(jīng)放大的光；以及使經(jīng)放大的光返回到n×m耦合器和第一反射器。操作可調(diào)諧激光器的方法還可以包括：調(diào)節(jié)n個(gè)光路中的至少一個(gè)光路中的光信號(hào)的相位以調(diào)節(jié)來(lái)自可調(diào)諧激光器的多個(gè)功率輸出端口中之一的輸出功率。附圖說(shuō)明將參照以下附圖描述本申請(qǐng)的各個(gè)方面和實(shí)施方式。應(yīng)當(dāng)理解，附圖不一定按比例繪制。出現(xiàn)在多個(gè)附圖中的項(xiàng)目在其出現(xiàn)的所有附圖中都用相同的附圖標(biāo)記表示。圖1示出了常規(guī)可調(diào)諧激光腔；圖2示出了根據(jù)一些實(shí)施方式的包括并行布置的n個(gè)光放大器的可調(diào)諧激光器；圖3a示出了根據(jù)一些實(shí)施方式的n×m耦合器；圖3b示出了根據(jù)一些實(shí)施方式的n×m耦合器；圖4示出了根據(jù)一些實(shí)施方式的熱光移相器；圖5示出了根據(jù)一些實(shí)施方式的可調(diào)諧波長(zhǎng)濾波器；圖6a示出了根據(jù)一些實(shí)施方式的波導(dǎo)環(huán)路鏡；圖6b示出了根據(jù)一些實(shí)施方式的波導(dǎo)鏡；圖7a示出了根據(jù)一些實(shí)施方式的具有模式尺寸適配區(qū)的對(duì)接耦合波導(dǎo)；圖7b示出了根據(jù)一些實(shí)施方式的具有模式尺寸適配區(qū)的對(duì)接耦合波導(dǎo)；圖8示出了根據(jù)一些實(shí)施方式的半導(dǎo)體光放大器；圖9示出了根據(jù)一些實(shí)施方式的包括耦合到相干光接收器和光發(fā)射器的n個(gè)光放大器的可調(diào)諧激光器；圖10a和圖10b示出了用于將n個(gè)光放大器耦合到可調(diào)諧激光腔中的n×m耦合器的n個(gè)端口的可替選實(shí)施方式；圖11a示出了耦接的光放大器芯片和硅光子芯片的實(shí)施方式，其中激光腔分布在所述兩個(gè)芯片之間；圖11b示出了耦接的光放大器芯片和硅光子芯片的實(shí)施方式，其中激光腔分布在所述兩個(gè)芯片之間；以及圖11c示出了耦接的光放大器芯片和硅光子芯片的實(shí)施方式，其中激光腔分布在所述兩個(gè)芯片之間。具體實(shí)施方式本技術(shù)涉及可以在光通信系統(tǒng)以及其他應(yīng)用中使用的可調(diào)諧激光器。本申請(qǐng)的各方面包括提供可調(diào)諧激光器的裝置和方法，所述可調(diào)諧激光器包括并行配置的多個(gè)光放大器，并且所述可調(diào)諧激光器可以從多個(gè)可調(diào)功率端口提供輸出功率。另外，可調(diào)諧激光器易于擴(kuò)展到更大功率和附加功率端口。根據(jù)本申請(qǐng)的另一方面，公開(kāi)了制造本文所述類型的可調(diào)諧激光器的方法。根據(jù)一些實(shí)施方式，可調(diào)諧激光器(例如下面結(jié)合圖2所描述的可調(diào)諧激光器200)可以被微制造并用于集成光學(xué)系統(tǒng)(例如光子集成電路(pic))中。例如，pic可以用于光通信系統(tǒng)或光學(xué)相干斷層成像系統(tǒng)。在一些情況下，可調(diào)諧激光器可以用于向光發(fā)射器和接收器提供光載波和/或本地振蕩器。在一些實(shí)施方式中，可調(diào)諧激光器(例如可調(diào)諧激光器200)可以在光纖系統(tǒng)中制造為例如可調(diào)諧光纖激光器。可調(diào)諧光纖激光器可以包括并行布置的并且使用光纖耦合器耦合到激光腔中的多個(gè)光纖放大器。以上描述的各方面和實(shí)施方式以及另外的方面和實(shí)施方式將在下面進(jìn)行進(jìn)一步描述。這些方面和/或?qū)嵤┓绞娇梢詥为?dú)地使用、全部一起使用、或者以兩個(gè)或更多個(gè)的任意組合來(lái)使用，因?yàn)樵谶@一點(diǎn)上本申請(qǐng)不受限制。參考圖2，根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)方面的可調(diào)諧激光器200可以包括光放大器230-1、230-2……230-n(統(tǒng)稱為230并且單獨(dú)地稱為230-m)的陣列，其在可調(diào)諧激光腔的第一端處耦合到腔內(nèi)n×m光耦合器250并且耦合到第一腔反射器207。n個(gè)光放大器可以通過(guò)多個(gè)光路212和222耦合到n×m耦合器。在一些實(shí)施方式中，光路可以包括例如由基板上的半導(dǎo)體和/或氧化物材料制成的集成光子波導(dǎo)。在一些實(shí)現(xiàn)方式中，光路212和/或222可以包括光纖波導(dǎo)。激光腔的第二端可以包括第二反射器205，其被布置成將光反射回通過(guò)光放大器230。另外，激光器可以包括p個(gè)輸出功率端口260-1……260-p(統(tǒng)稱為260并且單獨(dú)地稱為260-m)。如下所述，在一些實(shí)施方式中，n和p是整數(shù)，并且p可以等于或小于m-1。盡管圖2示出了耦合到n×m耦合器的n個(gè)輸入端口的n個(gè)光放大器，但是一些實(shí)施方式可以具有少于n個(gè)的光放大器。例如，一些實(shí)施方式可以具有耦合到n×m耦合器的n個(gè)輸入端口的一部分的q個(gè)光放大器，其中q小于n。在一些實(shí)施方式中不具有耦合到其的光放大器的輸入端口可以用作腔內(nèi)功率監(jiān)測(cè)器?？烧{(diào)諧激光器200還可以包括可調(diào)諧波長(zhǎng)濾波器130和至少一個(gè)腔內(nèi)移相器?？梢蕴峁┰趎×m耦合器250與第一腔反射器207之間延伸的至少一個(gè)激光腔光路224，并且所述至少一個(gè)激光腔光路224可以包括可調(diào)諧波長(zhǎng)濾波器130。在一些實(shí)施方式中，激光腔光路224可以包括移相器。在所示的實(shí)施方式中，提供有多個(gè)腔內(nèi)移相器240-1、240-2……240-n(統(tǒng)稱為240，并且單獨(dú)地稱為240-m)，每個(gè)光放大器230對(duì)應(yīng)于一個(gè)腔內(nèi)移相器。一個(gè)或多個(gè)移相器240可以位于連接到n×m耦合器250的光路222中。波長(zhǎng)濾波器130可以被調(diào)諧以選擇在第一腔反射器207與第二反射器205之間循環(huán)的通過(guò)光放大器230的激射波長(zhǎng)。一個(gè)或多個(gè)移相器240可以被調(diào)諧以調(diào)節(jié)從功率端口260-1……260-p中的一個(gè)或更多個(gè)功率端口輸送的輸出功率量。在一些實(shí)施方式中，移相器的調(diào)諧(或調(diào)節(jié))可以是動(dòng)態(tài)的(在激光器的操作期間)。因此，可以通過(guò)向可調(diào)諧波長(zhǎng)濾波器130提供控制信號(hào)來(lái)選擇可調(diào)諧激光器200的激射波長(zhǎng)。另外，可以在激光器工作時(shí)通過(guò)向一個(gè)或更多個(gè)移相器提供一個(gè)或更多個(gè)控制信號(hào)來(lái)調(diào)節(jié)來(lái)自一個(gè)或更多個(gè)功率端口的功率?？烧{(diào)諧激光器200還可以包括波長(zhǎng)鎖定器270。波長(zhǎng)鎖定器270可以包括被配置成感測(cè)可調(diào)諧激光器的工作波長(zhǎng)的集成光子電路。波長(zhǎng)鎖定器270可以包括干涉儀、布拉格光柵結(jié)構(gòu)、諧振器或其組合，并且波長(zhǎng)鎖定器270可以產(chǎn)生通過(guò)波長(zhǎng)鎖定電路280檢測(cè)的指示可調(diào)諧激光器的激射波長(zhǎng)的信號(hào)。來(lái)自波長(zhǎng)鎖定電路280的輸出可以被提供至腔內(nèi)可調(diào)諧波長(zhǎng)濾波器130以使可調(diào)諧激光器的工作波長(zhǎng)穩(wěn)定。在一些實(shí)施方式中，波長(zhǎng)鎖定器270可以由具有低熱光系數(shù)的材料制成。在一些情況下，可以使用熱電冷卻器或加熱器來(lái)對(duì)波長(zhǎng)鎖定器和/或在其上制造可調(diào)諧激光器的一個(gè)或多個(gè)芯片的至少一部分進(jìn)行溫度控制。在操作中，可調(diào)諧激光器200可以產(chǎn)生激光，該激光從第一腔反射器207反射出，通過(guò)在其處被分布的n×m耦合器250，并且被n個(gè)光放大器230放大，然后行進(jìn)到第二反射器205，在第二反射器205處激光被反射回通過(guò)放大器和激光腔。當(dāng)光在激光腔中來(lái)回循環(huán)時(shí)，n個(gè)光放大器230中的每一個(gè)對(duì)腔內(nèi)激光功率貢獻(xiàn)增益。另外，腔內(nèi)功率的一部分通過(guò)p個(gè)輸出功率端口260從腔引出。在各種實(shí)施方式中，n、m和p是整數(shù)。n可以大于或等于2。m可以小于、等于或大于n。p可以小于或等于m。在一些實(shí)施方式中，n＝m，并且p＝n-1。在激光腔中提供并行的光放大器230的陣列而不是僅一個(gè)較大的放大器提高了可調(diào)諧激光器200的熱性能和光學(xué)性能。所述陣列在較大的面積上擴(kuò)散由放大器230產(chǎn)生的熱，在較大的面積上熱可以更容易地被消散。例如，驅(qū)動(dòng)放大器以獲得給定功率量的注入電流散布在基板的n個(gè)單獨(dú)區(qū)域上，而不是集中在單個(gè)區(qū)域中。光放大器陣列還允許激光器中較高的光飽和功率。在半導(dǎo)體光放大器中，對(duì)于光學(xué)增益，每單位體積的可用載波的量會(huì)具有上限。多個(gè)放大器并行增加了放大器體積，同時(shí)保持每個(gè)放大器中的光學(xué)單模操作，因此增加了用于光學(xué)增益的可用載波的量。根據(jù)一些實(shí)施方式，光放大器230可以位于第一半導(dǎo)體芯片210上。n×m耦合器250和可調(diào)諧濾波器130可以位于第二半導(dǎo)體芯片220上。移相器240可以位于第一半導(dǎo)體芯片或第二半導(dǎo)體芯片上。第一半導(dǎo)體芯片210可以包括任意合適的第一半導(dǎo)體材料，例如磷化銦和/或其任意合金(統(tǒng)稱為磷化銦)、砷化鎵和/或其任意合金、或氮化鎵和/或其任意合金。第一半導(dǎo)體芯片210的材料可以不同于第二半導(dǎo)體芯片220的第二半導(dǎo)體材料。例如，第二半導(dǎo)體芯片220可以包括硅、二氧化硅、氮氧化硅和/或氮化硅，并且包括集成硅光子器件。當(dāng)可調(diào)諧激光器(例如可調(diào)諧激光器200)跨兩個(gè)半導(dǎo)體芯片分布時(shí)，可以在所述兩個(gè)半導(dǎo)體芯片之間的光路的接合處形成有模式尺寸適配器(mode-sizeadapters)。例如，模式尺寸適配器可以形成在延伸到芯片的邊緣的集成波導(dǎo)的端部處。在圖2的示例中，提供模式尺寸適配器215-1、215-2……215-n(本文統(tǒng)稱為215)，對(duì)于每個(gè)光路212提供一個(gè)模式尺寸適配器。模式尺寸適配器可以提高從第一半導(dǎo)體芯片210上的光路(例如，波導(dǎo))212到第二半導(dǎo)體芯片222上的光路(例如，波導(dǎo))222的光輻射的耦合效率。在圖3a中示出了可以用作圖2的n×m耦合器250的光學(xué)n×m耦合器350的一個(gè)示例，但是本申請(qǐng)的各個(gè)方面不限于僅這種類型的耦合器。在一些實(shí)現(xiàn)方式中，光耦合器可以包括多模干涉(mmi)耦合器或星形耦合器。光耦合器可以包括在耦合區(qū)320的一側(cè)的n個(gè)第一端口和在耦合區(qū)的第二側(cè)的m個(gè)第二端口。在所示出的示例中，n等于四，使得提供第一端口310-1……310-4(統(tǒng)稱為310)，而m等于二，使得提供第二端口330-1和330-2(統(tǒng)稱為330并且單獨(dú)地稱為330-m)。應(yīng)當(dāng)理解，可以提供其他數(shù)目的端口。在一些實(shí)施方式中，耦合區(qū)320可以包括集成平板波導(dǎo)，在所述集成平板波導(dǎo)中從n個(gè)第一端口310進(jìn)入的光模在通過(guò)m個(gè)第二端口330離開(kāi)之前擴(kuò)展并且光學(xué)干涉。在一些實(shí)現(xiàn)方式中，光耦合器350可以形成為集成硅光學(xué)器件，其中n個(gè)端口和m個(gè)端口以及耦合區(qū)320被制造為硅波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。n個(gè)端口和m個(gè)端口可以包括單模光波導(dǎo)，每個(gè)單模光波導(dǎo)具有在約50nm至約700nm之間的橫向尺寸。在一些實(shí)施方式中，單模波導(dǎo)可以具有在約50nm至約300nm之間的高度以及在約200nm至約700nm之間的寬度。耦合區(qū)320可以包括多模平板波導(dǎo)，并且具有與n個(gè)端口和m個(gè)端口的波導(dǎo)相同的高度。耦合區(qū)的寬度可以在約1微米至約50微米之間。在其他實(shí)施方式中，可以使用任何合適的半導(dǎo)體材料、介電材料或材料組合物形成光耦合器350。在一些實(shí)施方式中，材料組合物可以包括金屬層。介電材料可以包括諸如氧化物或氮化物的絕緣體。由其他材料或材料組合物形成的光耦合器可以具有與上面列出的尺寸不同的尺寸。對(duì)于光耦合器350，第一端口310可以被稱為“輸入”端口，并且第二端口330可以被稱為“輸出”端口。然而，n×m光耦合器可以呈現(xiàn)互易性(reciprocity)并且在兩個(gè)方向上操作。例如，光耦合器可以將在n個(gè)“輸入”端口處接收的光分布在m個(gè)“輸出”端口中。所接收的光可以具有n個(gè)不同強(qiáng)度的分布。分布在m個(gè)輸出端口中的光可以具有m個(gè)不同強(qiáng)度的分布。根據(jù)光耦合器的設(shè)計(jì)，輸出強(qiáng)度的總和可以近似等于或者可以不近似等于輸入強(qiáng)度的總和。在一些實(shí)現(xiàn)方式中，光的方向可以顛倒，使得光耦合器將在m個(gè)端口處接收的光分布在具有n個(gè)不同強(qiáng)度的相同分布的n個(gè)端口中。雖然圖3a示出了4×2光耦合器，但是可以存在任意其他數(shù)目的第一端口310和第二端口330。圖3b示出了n×m光耦合器352的另一示例。在所示出的示例中，n等于二，使得提供第一端口310-1和310-2，并且m等于四，使得提供第二端口330-1……330-4。這些數(shù)字僅僅是示例。根據(jù)一些實(shí)施方式，光耦合器可以包括沿著其長(zhǎng)度相互作用的多個(gè)單模光波導(dǎo)。例如，兩個(gè)或更多個(gè)波導(dǎo)可以在耦合區(qū)315和325(例如，光學(xué)定向耦合器或光學(xué)絕熱耦合器)處彼此平行并且彼此靠近地延伸。耦合區(qū)可以是其中兩個(gè)或更多個(gè)波導(dǎo)彼此靠近地間隔開(kāi)使得至少來(lái)自一個(gè)波導(dǎo)的漸逝場(chǎng)延伸到至少一個(gè)相鄰波導(dǎo)中的區(qū)域。當(dāng)光模沿著波導(dǎo)行進(jìn)時(shí)，功率將從一個(gè)波導(dǎo)耦合到至少一個(gè)相鄰波導(dǎo)中。如上所述，在n×m光耦合器250和n個(gè)光放大器230之間延伸的一個(gè)或更多個(gè)光路可以包括一個(gè)或更多個(gè)移相器240。在一些實(shí)現(xiàn)方式中，在每個(gè)光路222中存在一個(gè)移相器。移相器240-m可以被配置成調(diào)節(jié)沿著光路222行進(jìn)的光學(xué)信號(hào)的相位，并且影響n×m耦合器250處的場(chǎng)的光學(xué)干涉。通過(guò)調(diào)節(jié)在一個(gè)或更多個(gè)光路222中的光學(xué)信號(hào)的相位，可以改變從輸出功率端口260發(fā)射的并且在激光腔光路224中的功率量。例如，調(diào)節(jié)光路徑222之一中的相位可以改變光學(xué)場(chǎng)在n×m耦合器250處干涉的方式并且可以將功率輸送到m個(gè)端口中的每一個(gè)。作為示例，根據(jù)一個(gè)相位設(shè)置，所有腔內(nèi)功率可以流過(guò)激光腔光路224。另一相位設(shè)置可以將腔內(nèi)功率中的一些分布在功率端口260中。對(duì)于移相器240在寬的波長(zhǎng)范圍上一致地影響n×m耦合器250中的光學(xué)干涉，通過(guò)每個(gè)光放大器在n×m耦合器與第二反射器205之間的光路長(zhǎng)度可以近似相等。在實(shí)踐中，光路長(zhǎng)度可以不同，只要它們相差不超過(guò)激光輻射的時(shí)間相干長(zhǎng)度即可。具有不同的光路長(zhǎng)度可以導(dǎo)致波長(zhǎng)依賴性，并且可以在一些實(shí)施方式中用于在激光腔中提供光學(xué)波長(zhǎng)濾波。在一些實(shí)現(xiàn)方式中，可以通過(guò)手動(dòng)和/或自動(dòng)改變的控制信號(hào)來(lái)調(diào)節(jié)移相器240。例如，每個(gè)功率端口260-m可以包括光學(xué)分路器和功率檢測(cè)器，使得操作者可以提供控制信號(hào)以調(diào)節(jié)移相器，從而從功率端口獲得期望的功率比。另外地或可替選地，反饋電路或任何合適的控制電路可以響應(yīng)于在一個(gè)或更多個(gè)端口處檢測(cè)到的功率向移相器240提供控制信號(hào)，以使來(lái)自一個(gè)或更多個(gè)端口260的功率穩(wěn)定。反饋電路可以是任何合適的電路或者可以經(jīng)由數(shù)字信號(hào)處理來(lái)實(shí)現(xiàn)。反饋電路可以從布置成監(jiān)測(cè)來(lái)自功率端口的功率的檢測(cè)器接收至少一個(gè)功率信號(hào)，并且向移相器240-m提供控制信號(hào)以響應(yīng)于所接收到的功率信號(hào)來(lái)改變相位。反饋電路可以將所接收到的功率信號(hào)與第二信號(hào)進(jìn)行比較以確定控制信號(hào)的值。圖4示出了可以用于可調(diào)諧激光器(例如，作為可調(diào)諧激光器200的移相器240-m)中的移相器440的非限制性示例。根據(jù)一些實(shí)施方式，移相器440可以是熱光移相器，如由m.r.watts等人在“adiabaticthermo-opticmach-zehnderswitch”opt.lett.vol.38，no.5,733-735(2013)中所描述的，其通過(guò)引用并入本文。這樣的熱光移相器可以在小于20微米的波導(dǎo)長(zhǎng)度中實(shí)現(xiàn)高達(dá)2π的有效光學(xué)相位調(diào)制。在其他實(shí)施方式中，移相器440可以包括通過(guò)電流注入到波導(dǎo)中來(lái)改變相位的半導(dǎo)體基移相器。對(duì)于光纖實(shí)現(xiàn)方式，移相器可以包括拉伸纖維的長(zhǎng)度的壓電材料。不管移相器440的類型如何，其可以由電偏壓控制以調(diào)節(jié)穿過(guò)光路222的光學(xué)信號(hào)的相位。熱光移相器可以包括定位成與光路(在本示例中假設(shè)為波導(dǎo))222相鄰的電阻元件410。在一些實(shí)施方式中，可以存在與波導(dǎo)相鄰的僅一個(gè)電阻元件410。電阻元件410可以位于光波導(dǎo)旁邊和/或上方和/或下方。電阻元件可以由電阻半導(dǎo)體材料、金屬或?qū)㈦娏鬓D(zhuǎn)換成熱的任何其他合適的材料形成。熱光移相器440還可以包括延伸到第一端子425和第二端子427的導(dǎo)電跡線(trace)。第一端子和第二端子可以是接觸焊盤(pán)。電流可以經(jīng)由第一端子和第二端子施加在電阻元件410兩端。當(dāng)電流流過(guò)電阻元件時(shí)，電阻元件可以消散耦合到光波導(dǎo)222的至少一部分的熱，并且從而改變光波導(dǎo)內(nèi)的折射率。折射率的這種變化可以改變傳播通過(guò)波導(dǎo)222的光學(xué)信號(hào)的相位。根據(jù)一些實(shí)施方式，熱光移相器可以沿著波導(dǎo)在約2微米至約400微米之間的距離上延伸。其他實(shí)施方式可以包括其他長(zhǎng)度。本文中所描述的各個(gè)方面不限于熱光移相器440。在一些實(shí)現(xiàn)方式中，移相器240-m可以包括電光移相器。電光移相器可以包括在集成波導(dǎo)的一部分中形成的半導(dǎo)體結(jié)(例如，p-n或p-i-n)。半導(dǎo)體結(jié)可以被配置成將載流子注入到光模行進(jìn)通過(guò)的波導(dǎo)的區(qū)域中。載流子的注入增加了光吸收，并且可以通過(guò)應(yīng)用于光吸收的kramers-kronig關(guān)系改變波導(dǎo)中的折射率。根據(jù)一些實(shí)施方式，電光移相器可以沿著波導(dǎo)在約50微米至約800微米之間的距離上延伸。其他實(shí)施方式可以包括其他長(zhǎng)度。圖5示出了根據(jù)一些實(shí)施方式的可以包括在大功率可調(diào)諧激光腔中的可調(diào)諧波長(zhǎng)濾波器530。例如，可調(diào)諧波長(zhǎng)濾波器530可以用作圖2的可調(diào)諧波長(zhǎng)濾波器130?？烧{(diào)諧波長(zhǎng)濾波器530可以包括定位成與激光腔光路224相鄰的成對(duì)的集成光子環(huán)形諧振器510、520。環(huán)形諧振器510、520可以是圓形、橢圓形或具有跑道形圖案(racetrackpattern)，并且可以具有不同的尺寸。每個(gè)環(huán)形諧振器可以具有可以通過(guò)電阻加熱元件540熱光調(diào)節(jié)的自由光譜范圍。通過(guò)調(diào)節(jié)每個(gè)環(huán)形諧振器的自由光譜范圍，可以選擇可以從激光腔光波導(dǎo)224-1耦合到第一環(huán)形諧振器510、耦合到中間波導(dǎo)224-2、耦合到第二環(huán)形諧振器520、以及耦合到端波導(dǎo)224-3光學(xué)信號(hào)的波長(zhǎng)，其中光學(xué)信號(hào)行進(jìn)到激光腔反射器207并且從激光腔反射器207反射出。根據(jù)一些實(shí)施方式，環(huán)形諧振器510、520可以形成為集成光波導(dǎo)。環(huán)形諧振器波導(dǎo)可以具有與腔光波導(dǎo)224-1的橫向輪廓大致相同的橫向輪廓，如上所述。在一些實(shí)施方式中，環(huán)形諧振器波導(dǎo)可以由與腔光波導(dǎo)224-1相同的材料(例如，硅)形成。根據(jù)一些實(shí)施方式，第一激光腔反射器207可以包括可以集成在pic上的任何合適的反射器。圖6a中示出了反射器的一個(gè)示例。根據(jù)這種實(shí)施方式，反射器可以包括波導(dǎo)環(huán)路鏡。例如，腔光路(例如，波導(dǎo))224的端部可以在激光腔的端部處延伸到腔光學(xué)波導(dǎo)上回繞的環(huán)610中。在一些實(shí)施方式中，環(huán)610可以包括具有相同的橫向輪廓并且由與腔光波導(dǎo)224相同的材料形成的單模波導(dǎo)。環(huán)可以以任何合適的形狀(例如淚珠形狀)延伸。圖6b中示出了可以在芯片上的波導(dǎo)的端部處實(shí)現(xiàn)的反射器207的另一示例。根據(jù)這種實(shí)施方式，反射器可以包括具有波導(dǎo)224的擴(kuò)展區(qū)630的多模干涉反射器。擴(kuò)展區(qū)630可以包括平板波導(dǎo)區(qū)或光學(xué)腔，沿著波導(dǎo)224行進(jìn)的光?？梢詳U(kuò)展到該平板波導(dǎo)區(qū)或光學(xué)腔中，進(jìn)行光學(xué)干涉，并反射回波導(dǎo)224中。根據(jù)一些實(shí)施方式，在激光腔的相對(duì)端處的第二反射器205可以實(shí)現(xiàn)為沉積在光波導(dǎo)212上的面上的反射涂層。例如，第一半導(dǎo)體芯片可以被分開(kāi)或切割，露出穿過(guò)光放大器的波導(dǎo)212的面。然后可以在所露出的面上沉積反射涂層。反射涂層可以包括在激射波長(zhǎng)下具有高反射率的多層介電涂層。在其他實(shí)施方式中，可以使用多個(gè)第二反射器。例如，每個(gè)波導(dǎo)212可以包括環(huán)形鏡或多模干涉反射器，使得第二反射器205包括反射器陣列。如圖2所示，光放大器230可以位于第一半導(dǎo)體芯片210上，并且n×m耦合器250可以位于第二半導(dǎo)體芯片220上。光放大器230可以通過(guò)包括集成光波導(dǎo)的n個(gè)光路212、222連接到n×m耦合器。在一些實(shí)現(xiàn)方式中，集成波導(dǎo)可以在半導(dǎo)體芯片的邊緣處彼此對(duì)接耦合，如圖7a和圖7b中所示出。這樣的對(duì)接耦合波導(dǎo)可以提供從一個(gè)芯片上的一個(gè)波導(dǎo)212到相鄰芯片上的另一波導(dǎo)222的有效功率傳輸。在波導(dǎo)在芯片的邊緣處相遇的地方，可以存在模式尺寸適配器215。模式尺寸適配器715的一個(gè)示例在圖7a中示出。在一些實(shí)現(xiàn)方式中，模式尺寸適配器715可以包括集成光波導(dǎo)的一部分，該集成光波導(dǎo)當(dāng)其接近半導(dǎo)體芯片的邊緣或者接近與另一波導(dǎo)將發(fā)生光耦合的區(qū)域時(shí)在結(jié)構(gòu)上改變。例如，用于光放大器230-1的波導(dǎo)212可以在靠近第一半導(dǎo)體芯片210的邊緣的模式尺寸適配區(qū)720處尺寸逐漸擴(kuò)展和/或彎曲。在一些情況下，尺寸的擴(kuò)展可以使波導(dǎo)的橫向尺寸增加最高達(dá)2微米或更大。擴(kuò)展可以使得波導(dǎo)中的光模能夠在橫向于靠近芯片邊緣的波導(dǎo)的方向上擴(kuò)展，從而使光模從第一芯片上的一個(gè)波導(dǎo)耦合到對(duì)波導(dǎo)之間的未對(duì)準(zhǔn)較不敏感的第二半導(dǎo)體芯片220上的第二波導(dǎo)222。每個(gè)波導(dǎo)的模式尺寸適配區(qū)720、730可以遵循任意合適的彎曲路徑，使得沿第一適配區(qū)720中的光軸703行進(jìn)并離開(kāi)第一半導(dǎo)體芯片210的光模與第二適配區(qū)730的光軸對(duì)準(zhǔn)并且相對(duì)于芯片邊緣處的每個(gè)波導(dǎo)的面的法線形成角度α。根據(jù)一些實(shí)施方式，角度α可以在約5°至約40°之間。使用這樣的成角度的光軸的對(duì)接耦合可以減少來(lái)自芯片邊緣的潛在反射的有害影響。例如，來(lái)自芯片邊緣的潛在反射可以反射到不容易耦合回到光波導(dǎo)212中的方向。反射光可以在波導(dǎo)的數(shù)值孔徑之外的方向上，因此反射光不被波導(dǎo)212捕獲和引導(dǎo)。在一些情況下，可以使用光學(xué)粘合劑或折射率匹配粘合劑來(lái)使對(duì)接耦合的波導(dǎo)接合。在一些實(shí)現(xiàn)方式中，對(duì)接耦合波導(dǎo)的光軸可以垂直于芯片邊緣，并且光學(xué)粘合劑或折射率匹配粘合劑可以用于接合對(duì)接耦合波導(dǎo)。根據(jù)一些實(shí)施方式，可以在對(duì)接耦合波導(dǎo)的面上形成抗反射涂層(例如，多層介電疊層)以減少界面反射(例如，當(dāng)從其中包層可以包括inp的inp芯片發(fā)出到其中包層可以包括氧化物的si芯片時(shí))。在圖7b中示出了模式尺寸適配器717的另一示例。在一些實(shí)施方式中，光波導(dǎo)可以在相應(yīng)芯片的邊緣處的模式尺寸適配區(qū)722、732中在橫向和/或豎直尺寸上逐漸變細(xì)且減小。在一些實(shí)現(xiàn)方式中，波導(dǎo)的橫向尺寸可以減小到約50nm。通過(guò)減小光波導(dǎo)的橫向尺寸，波導(dǎo)內(nèi)的光模被較不強(qiáng)烈地限制，并且隨著波導(dǎo)變得更小而擴(kuò)展到周圍的介電質(zhì)或空氣中。這可以增加沿著波導(dǎo)行進(jìn)的光模當(dāng)其接近半導(dǎo)體芯片的邊緣時(shí)的橫向尺寸。根據(jù)一些實(shí)施方式并且再次參考圖2，光放大器230可以包括任何合適類型的光放大器。在光纖系統(tǒng)中，光放大器可以包括例如摻鉺光纖。當(dāng)在pic中實(shí)現(xiàn)時(shí)，光放大器可以包括半導(dǎo)體光放大器(soa)。在一些實(shí)施方式中，soa800可以具有如圖8的正視圖中所示的結(jié)構(gòu)。例如，soa可以形成在半導(dǎo)體基板805上，半導(dǎo)體基板805可以是硅(si)基板或磷化銦(inp)基板，但是在其他實(shí)施方式中可以使用其他半導(dǎo)體基板。在基板上可以存在或者可以不存在介電或絕緣層810(例如，氧化物或氮化物層)。例如，根據(jù)一些實(shí)施方式，基板可以包括絕緣體上半導(dǎo)體(soi)基板。絕緣層810可以為約50nm厚至約4微米厚。在一些實(shí)現(xiàn)方式中，半導(dǎo)體光放大器800可以包括inp材料并且可以包括形成在基板上的第一n摻雜的inp基極層820。基極層820可以為100nm厚至約2微米厚。在基極層820上可以形成包括n摻雜的inp的緩沖層825。根據(jù)一些實(shí)施方式，緩沖層825可以通過(guò)外延生長(zhǎng)或離子注入形成，并且可以為約5nm至約50nm厚。隨后可以在緩沖層上外延生長(zhǎng)inp的本征層830。根據(jù)一些實(shí)施方式，本征層830可以為約50nm和約200nm厚。在本征層上可以形成p摻雜層840以形成p-i-n結(jié)。本征層830和p摻雜層840可以是外延生長(zhǎng)的。在一些實(shí)施方式中，soa800可以另外包括電子阻擋層和空穴阻擋層(未示出)。在p摻雜層840上可以形成第一電接觸部(未示出)，第二電接觸部可以連接到基極層820，使得可以跨p-i-n結(jié)施加電流。根據(jù)一些實(shí)現(xiàn)方式，soa(例如soa800)可以在波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中被圖案化。波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的截面可以具有如圖8所示的輪廓。光?？梢韵抻诓▽?dǎo)并且主要通過(guò)波導(dǎo)的本征區(qū)830，在波導(dǎo)的本征區(qū)830中可以發(fā)生載流子復(fù)合和光放大。盡管圖8示出了脊波導(dǎo)，但是一些實(shí)施方式可以包括掩埋波導(dǎo)(例如，包括在兩側(cè)或更多側(cè)上由具有較低折射率的介電質(zhì)包圍的半導(dǎo)體材料的波導(dǎo))。盡管結(jié)合圖8描述了半導(dǎo)體光放大器是基于磷化銦的(其包括inp的合金)，但是在其他實(shí)施方式中可以使用其他材料用于soa。例如，soa可以包括砷化鎵和/或其合金。在一些實(shí)施方式中，soa可以包括氮化鎵和/或其合金。在一些實(shí)施方式中，soa可以包括銦-鋁的合金。根據(jù)一些實(shí)施方式，包括多個(gè)光放大器的可調(diào)諧激光器可以在用于光通信的pic中實(shí)現(xiàn)，如圖9所示。pic900可以包括可調(diào)諧激光器901，可調(diào)諧激光器901包括：例如4×4光耦合器250；四個(gè)soa230-1、230-2、230-3和230-4；四個(gè)模式尺寸適配器215-1、215-2、215-3和215-4；以及四個(gè)移相器240-1、240-2、240-3和240-4。除了將腔內(nèi)功率引導(dǎo)到可調(diào)諧波長(zhǎng)濾波器130和反射器207的激光腔路徑244之外，可調(diào)諧激光器901可以包括三個(gè)功率輸出端口904-1至904-3。激光腔路徑244本質(zhì)上可以與先前描述的路徑224相同。來(lái)自第一功率端口904-1的激光可以耦合到相干接收器902。這種激光可以向相干接收器提供本地振蕩器信號(hào)。由可調(diào)諧激光器901產(chǎn)生的激光也可以通過(guò)兩個(gè)其他功率端口904-2、904-3提供到光發(fā)射器903。相干接收器902可以與可調(diào)諧激光器901的一部分形成在同一半導(dǎo)體芯片220上，或者可以形成在不同的半導(dǎo)體芯片上。在一些實(shí)施方式中，相干光接收器可以包括光表面耦合器910，該光表面耦合器910被配置成從光纖接收其上信息被編碼的信號(hào)光并且將信號(hào)光耦合到相干接收器902的集成光波導(dǎo)中。相干接收器還可以包括一個(gè)或更多個(gè)集成相干接收器光子電路920-1、920-2，所述集成相干接收器光子電路920-1、920-2處理所接收的信號(hào)光并且產(chǎn)生可以通過(guò)接觸焊盤(pán)915檢測(cè)的多個(gè)電信號(hào)。從可調(diào)諧激光器901提供的本地振蕩器信號(hào)可以用光分路器912分開(kāi)以向集成相干接收器電路920-1、920-2中的每一個(gè)提供本地振蕩器信號(hào)。集成相干接收器電路920-1、920-2可以包括相位分集和極化分集光子電路。光發(fā)射器903可以包括成對(duì)嵌套的馬赫-曾德?tīng)?mach-zehnder)干涉儀950。嵌套的馬赫-曾德?tīng)柛缮鎯x可以包括多個(gè)光分路器912和多個(gè)熱光移相器940。嵌套的馬赫-曾德?tīng)柛缮鎯x還可以包括高速電光相位調(diào)制器952。嵌套的馬赫-曾德?tīng)柛缮鎯x可以用于光信號(hào)的正交信號(hào)調(diào)制和/或雙極化調(diào)制。光發(fā)射器903還可以包括輸出表面耦合器980，其被配置將來(lái)自一個(gè)或更多個(gè)波導(dǎo)的光輻射耦合到光纖。根據(jù)一些實(shí)施方式，嵌套的馬赫-曾德?tīng)柛缮鎯x950還可以包括2×2光耦合器914，一個(gè)出口端口可以從所述2×2光耦合器914向芯片上光電檢測(cè)器提供光參考信號(hào)。光電檢測(cè)器可以將光參考信號(hào)轉(zhuǎn)換為可以在信號(hào)焊盤(pán)915處檢測(cè)的電信號(hào)?？梢员O(jiān)測(cè)電信號(hào)以確定來(lái)自兩個(gè)嵌套的馬赫-曾德?tīng)柛缮鎯x950的相對(duì)功率。盡管可調(diào)諧激光器已經(jīng)被描述為具有包括形成在第一半導(dǎo)體芯片210上的光放大器的一部分以及形成在第二半導(dǎo)體芯片220上的第二部分，但是在一些實(shí)現(xiàn)方式中，可調(diào)諧激光器可以形成在單個(gè)半導(dǎo)體芯片上，如圖10a所描述的在芯片1010上的可調(diào)諧激光器1000。在圖10b中示出了該結(jié)構(gòu)的正視圖。例如，在基板1005上的第一半導(dǎo)體層1022中可以形成n×m光耦合器320和集成光波導(dǎo)310-1……310-4、330-1……330-4。在一些實(shí)現(xiàn)方式中，第一半導(dǎo)體層可以包括硅半導(dǎo)體層(例如，絕緣體上硅層)。另外，在第一半導(dǎo)體層1022上可以形成用于耦合器320的n個(gè)輸入端口中的一個(gè)或更多個(gè)的移相器240-1……240-4。在第一半導(dǎo)體層1022之上可以形成第二半導(dǎo)體材料(例如inp)層1024，如圖10b所示。根據(jù)一些實(shí)施方式，第二半導(dǎo)體材料層可以通過(guò)接合過(guò)程形成。例如，可以采用晶片接合和回蝕刻過(guò)程，如在美國(guó)專利第9,020,001號(hào)中所描述的，其通過(guò)引用并入本文。在第二半導(dǎo)體層1024中可以形成半導(dǎo)體光放大器230及其相應(yīng)的波導(dǎo)212。在一些實(shí)施方式中，在層之間可以沉積絕緣介電質(zhì)(例如氧化物)1030。還可以沉積絕緣層作為覆蓋層以使器件鈍化。來(lái)自第二層上的半導(dǎo)體光放大器230的功率可以通過(guò)漸逝耦合耦合到下端口(例如，硅波導(dǎo))310。以這種方式，激光腔中的功率可以從一個(gè)腔反射器205通過(guò)半導(dǎo)體光放大器進(jìn)入下面的硅波導(dǎo)，并且通過(guò)n×m光耦合器320到達(dá)耦合到光耦合器320的一個(gè)端口330-m的另一腔鏡207(未示出)。在一些實(shí)施方式中，可以優(yōu)選地在與可調(diào)諧激光器的其他部件不同的基板上形成光放大器230。圖11a至圖11c示出了其中soa可以形成在第一基板或半導(dǎo)體芯片210上并且耦合到其上布置有n×m耦合器、移相器和可調(diào)諧波長(zhǎng)濾波器的第二半導(dǎo)體芯片220的實(shí)施方式。在一些實(shí)現(xiàn)方式中，soa可以形成在第一半導(dǎo)體芯片210的“處理側(cè)”或“器件側(cè)”1110上。如圖11a的配置1101所示，第一芯片可以倒裝并且接合到第一副安裝座1115。這樣的倒裝芯片接合可以改善來(lái)自soa的散熱。例如，副安裝座可以包括與第一半導(dǎo)體芯片210的材料(例如，磷化銦)相比具有較高熱導(dǎo)率的材料(例如，氮化鋁)。第一副安裝座1115可以接合到基底安裝座1105。然后第二半導(dǎo)體芯片220可以與基底安裝座對(duì)準(zhǔn)并接合到基底安裝座。在一些實(shí)施方式中，第二半導(dǎo)體芯片220上的部件形成在處理側(cè)1120上。在一些實(shí)施方式中，第二半導(dǎo)體芯片220可以用定位裝置操縱，并且其與第一芯片的對(duì)準(zhǔn)被調(diào)節(jié)，直到實(shí)現(xiàn)恰當(dāng)?shù)膶?duì)準(zhǔn)為止。根據(jù)一些實(shí)施方式，可以通過(guò)監(jiān)測(cè)從一個(gè)芯片傳遞到另一芯片的光功率來(lái)檢測(cè)恰當(dāng)?shù)膶?duì)準(zhǔn)。在一些情況下，可以查看或處理芯片接口的放大圖像以確定恰當(dāng)?shù)膶?duì)準(zhǔn)。放大圖像可以通過(guò)使用光學(xué)透鏡以及ccd或cmos成像陣列的光學(xué)和電子放大的組合來(lái)獲得。一旦對(duì)準(zhǔn)，環(huán)氧或uv可固化粘合劑1130然后可被固化以固定第二半導(dǎo)體芯片220并保持對(duì)準(zhǔn)。在一些實(shí)施方式中，uv可固化粘合劑或光學(xué)粘合劑可以附加地定位在第一半導(dǎo)體芯片210與第二半導(dǎo)體芯片220之間，以在每個(gè)芯片上的光路(例如，波導(dǎo))212、222之間提供粘合和折射率匹配兩者。根據(jù)一些實(shí)施方式，第一半導(dǎo)體芯片210和第二半導(dǎo)體芯片220兩者可以被倒裝芯片接合到基底安裝座1105，如圖11b的配置1102所示。在一些情況下，芯片中的一個(gè)或兩個(gè)可以被釬料接合(例如，使用凸塊接合)到基底安裝座1105。例如，可以在接合之前加熱釬料，使芯片對(duì)準(zhǔn)，然后釬料可以被冷卻以接合芯片并保持對(duì)準(zhǔn)。在一些實(shí)施方式中，可以在芯片之間和/或在芯片與基底安裝座1105之間附加地使用uv可固化或光學(xué)粘合劑，以有助于在實(shí)現(xiàn)對(duì)準(zhǔn)之后永久固定芯片。根據(jù)一些實(shí)現(xiàn)方式，含有soa的第一半導(dǎo)體芯片210可以倒裝芯片接合到第二半導(dǎo)體芯片220，如圖11c的配置1103中所示出。根據(jù)這種實(shí)施方式，第二半導(dǎo)體芯片220可以包括溝槽1150或其他容納特征以容納第一半導(dǎo)體芯片210。例如，溝槽可以具有約500nm至約10微米的深度，使得在所述兩個(gè)芯片上的光路(例如，波導(dǎo))212、222在芯片接合在一起時(shí)變得基本上共面。芯片可以使用如上所述的釬料接合和/或粘合劑接合來(lái)對(duì)準(zhǔn)和接合。因此已經(jīng)描述了本申請(qǐng)的技術(shù)的若干方面和實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將容易想到各種改變、修改和改進(jìn)。這樣的改變、修改和改進(jìn)旨在在本申請(qǐng)中描述的技術(shù)的精神和范圍內(nèi)。因此，應(yīng)當(dāng)理解，前述實(shí)施方式僅以示例的方式給出，并且在所附權(quán)利要求及其等同內(nèi)容的范圍內(nèi)，本發(fā)明實(shí)施方式可以以不同于具體描述的方式實(shí)踐。此外，本文中描述的兩個(gè)或更多個(gè)特征、系統(tǒng)、制品、材料和/或方法的任意組合被包括在本公開(kāi)內(nèi)容的范圍內(nèi)，只要這樣的特征、系統(tǒng)、制品、材料和/或方法并非互不一致即可。此外，如所描述的，一些方面可以被實(shí)施為一個(gè)或更多個(gè)方法。作為方法的一部分執(zhí)行的動(dòng)作可以以任何合適的方式排序。因此，可以構(gòu)造其中以不同于所示的順序執(zhí)行動(dòng)作的實(shí)施方式，其可以包括同時(shí)執(zhí)行一些動(dòng)作，即使在說(shuō)明性實(shí)施方式中被示為順序動(dòng)作也是如此。如本文所定義和使用的所有定義應(yīng)理解為支配字典定義、通過(guò)引用并入的文獻(xiàn)中的定義和/或被定義術(shù)語(yǔ)的普通含義。除非有相反指明，不定冠詞“一個(gè)/一種”如在說(shuō)明書(shū)中和在權(quán)利要求書(shū)中使用的那樣應(yīng)當(dāng)理解為意指“至少一個(gè)/一種”。措詞“和/或”如在說(shuō)明書(shū)中和在權(quán)利要求書(shū)中使用的那樣應(yīng)當(dāng)理解為意指這樣聯(lián)合的元素中的“任一個(gè)或者兩個(gè)”，即，在一些情況下共同存在而在其他情況下分開(kāi)存在的元素。如在說(shuō)明書(shū)中和在權(quán)利要求書(shū)中使用的那樣，短語(yǔ)“至少一個(gè)”在提及一個(gè)或更多個(gè)元素的列表時(shí)應(yīng)當(dāng)理解為意味著從元素列表中的任何一個(gè)或更多個(gè)元素中選擇的至少一個(gè)元素，但是并非必然地包括在元素列表中具體列舉的所有每個(gè)元素中的至少一個(gè)元素，也不排除元素列表中的元素的任何組合。這個(gè)定義也允許除了在短語(yǔ)“至少一個(gè)”所提及的元素列表內(nèi)具體標(biāo)識(shí)的元素之外的元素，無(wú)論與具體標(biāo)識(shí)的那些元素相關(guān)還是無(wú)關(guān)，都可以可選地存在。在一些實(shí)施方式中，術(shù)語(yǔ)“大約”和“約”可用于表示在目標(biāo)值的±20％內(nèi)，在一些實(shí)施方式中在目標(biāo)值的±10％內(nèi)，在一些實(shí)施方式中在目標(biāo)值的±5％內(nèi)，而在一些實(shí)施方式中，在目標(biāo)值的±2％內(nèi)。術(shù)語(yǔ)“大約”和“約”可以包括目標(biāo)值。在權(quán)利要求書(shū)中以及在以上說(shuō)明書(shū)中，諸如“包括”、“包含”、“攜帶”、“具有”、“含有”、“涉及到”、“持有”、“包括(composedof)”等所有過(guò)渡短語(yǔ)將理解為開(kāi)放式，即意指包括但不限于。過(guò)渡短語(yǔ)“由……組成”和“實(shí)質(zhì)上由……組成”應(yīng)當(dāng)分別是封閉式或者半封閉式過(guò)渡短語(yǔ)。當(dāng)前第1頁(yè)12當(dāng)前第1頁(yè)12