1.一種紫外光用固體受光器件，其特征在于，
具有以硅(Si)為主要成分的半導(dǎo)體基體以及形成于該半導(dǎo)體基體內(nèi)的光電二極管(1)，
該光電二極管(1)具有層結(jié)構(gòu)，該層結(jié)構(gòu)為從所述基體的背面?zhèn)绕鹁邆涞谝粚?dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域(1)、以及與該半導(dǎo)體區(qū)域(1)形成半導(dǎo)體結(jié)的與第一導(dǎo)電型不同的第二導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域(2)，
所述半導(dǎo)體區(qū)域(2)中含有第二導(dǎo)電型的半導(dǎo)體雜質(zhì)(2)，
關(guān)于從所述半導(dǎo)體區(qū)域(2)的光的入射側(cè)表面起的、深度方向上的所述雜質(zhì)(2)的含有濃度分布，在至少1nm以內(nèi)的層區(qū)域(2)具有至少1×1019個/cm3的最大濃度位置(2)。
2.一種紫外光用固體受光器件，其特征在于，
具有以硅(Si)為主要成分的半導(dǎo)體基體以及形成于該半導(dǎo)體基體內(nèi)的光電二極管(1)，
該光電二極管(1)具有層結(jié)構(gòu)，該層結(jié)構(gòu)為從所述基體的背面?zhèn)绕鹁邆涞谝粚?dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域(1)、以及與該半導(dǎo)體區(qū)域(1)形成半導(dǎo)體結(jié)的與第一導(dǎo)電型不同的第二導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域(2)，所述半導(dǎo)體區(qū)域(2)中含有第二導(dǎo)電型的半導(dǎo)體雜質(zhì)(2)，
關(guān)于從所述半導(dǎo)體區(qū)域(2)的光的入射側(cè)表面起的、深度方向上的所述雜質(zhì)(2)的含有濃度分布，在至少1nm以內(nèi)的層區(qū)域(2)具有最大濃度位置(2)，該最大濃度位置(2)的所述雜質(zhì)(2)的濃度為使電力線全部終止或?qū)嵸|(zhì)上全部終止的濃度以上的濃度，該電力線是通過遠紫外光的照射而產(chǎn)生的固定電荷所形成的電力線。
3.一種紫外光用固體受光器件，具有以硅(Si)為主要成分的半導(dǎo)體基體，該半導(dǎo)體基體內(nèi)設(shè)置有以實際上立體不重疊的方式配置的第一光電二極管(PD1)和第二光電二極管(PD2)，該紫外光用固體受光器件具備差動信號處理單元，該差動信號處理單元被輸入基于光電二極管(PD1)的輸出(1)的信號(1)和基于光電二極管(PD2)的輸出(2)的信號(2)，該紫外光用固體受光器件的特征在于，
(A)光電二極管(PD1)與光電二極管(PD2)具有在所述半導(dǎo)體基體內(nèi)以相同的半導(dǎo)體制造工藝條件形成的歷史記錄，
(B)在各光電二極管(PD)中，
(a)具有第一導(dǎo)電型(1)的半導(dǎo)體層區(qū)域(1)、設(shè)置于該半導(dǎo)體層區(qū)域(1)上且極性與所述第一導(dǎo)電型(1)不同的第二導(dǎo)電型(2)的半導(dǎo)體層區(qū)域(2)以及設(shè)置于該半導(dǎo)體層區(qū)域(2)上的第一導(dǎo)電型(1)的半導(dǎo)體層區(qū)域(3)，
(b)由所述半導(dǎo)體層區(qū)域(2)和所述半導(dǎo)體層區(qū)域(3)形成半導(dǎo)體結(jié)，
(c)在所述半導(dǎo)體層區(qū)域(1)中，以濃度沿層厚度方向分布且該分布中設(shè)置有最大濃度(1)的位置(1)的狀態(tài)含有半導(dǎo)體雜質(zhì)(1)，
(d)在所述半導(dǎo)體層區(qū)域(3)中，以濃度沿層厚度方向分布且該分布中設(shè)置有最大濃度(3)的位置(3)的狀態(tài)含有半導(dǎo)體雜質(zhì)(1)，
(e)該位置(3)設(shè)置于從所述半導(dǎo)體區(qū)域(3)的光的入射側(cè)表面起沿深度方向至少1nm以內(nèi)的層區(qū)域(II)，
(f)該最大濃度(3)為至少1×1019個/cm3以上，
(C)受光側(cè)具備第一層(A1)以及第二層(A2)，其中，該第一層(A1)在空間上覆蓋所述第一光電二極管(PD1)的受光面，選擇性地使第一波長區(qū)域的光透過，該第二層(A2)在空間上覆蓋所述第二光電二極管(PD2)的受光面，使與所述第一波長區(qū)域不同的第二波長區(qū)域的光透過。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的紫外光用固體受光器件，其特征在于，
所述第一層(A1)和所述第二層(A2)包含硅(Si)以及從由氮(N)、氧(O)及碳(C)構(gòu)成的群中選擇出的至少一種元素，并且所述第一層(A1)含有氫(H)，所述第二層(A2)中的氫(H)的存在量少于所述第一層(A1)中的氫(H)的存在量。
5.一種紫外光用固體受光器件，具有以硅(Si)為主要成分的半導(dǎo)體基體，該半導(dǎo)體基體內(nèi)設(shè)置有以實際上立體不重疊的方式配置的第一光電二極管(PD1)和第二光電二極管(PD2)，該紫外光用固體受光器件具備差動信號處理單元，該差動信號處理單元被輸入基于光電二極管(PD1)的輸出(1)的信號(1)和基于光電二極管(PD2)的輸出(2)的信號(2)，該紫外光用固體受光器件的特征在于，
(A)光電二極管(PD1)與光電二極管(PD2)具有在所述半導(dǎo)體基體內(nèi)以相同的半導(dǎo)體制造工藝條件形成的歷史記錄，
(B)在各光電二極管(PD)中，
(a)具有第一導(dǎo)電型(1)的半導(dǎo)體層區(qū)域(1)、設(shè)置于該半導(dǎo)體層區(qū)域(1)上且極性與所述第一導(dǎo)電型(1)不同的第二導(dǎo)電型(2)的半導(dǎo)體層區(qū)域(2)以及設(shè)置于該半導(dǎo)體層區(qū)域(2)上的第一導(dǎo)電型(1)的半導(dǎo)體層區(qū)域(3)，
(b)由所述半導(dǎo)體層區(qū)域(2)與所述半導(dǎo)體層區(qū)域(3)形成半導(dǎo)體結(jié)，
(c)在所述半導(dǎo)體層區(qū)域(1)中，以濃度沿層厚度方向分布且該分布中設(shè)置有最大濃度(1)的位置(1)的狀態(tài)含有半導(dǎo)體雜質(zhì)(1)，
(d)在所述半導(dǎo)體層區(qū)域(3)中，以濃度沿層厚度方向分布且該分布中設(shè)置有最大濃度(3)的位置(3)的狀態(tài)含有半導(dǎo)體雜質(zhì)(1)，
(e)該位置(3)設(shè)置于從所述半導(dǎo)體區(qū)域(3)的光的入射側(cè)表面起沿深度方向至少1nm以內(nèi)的層區(qū)域(II)，
(f)該最大濃度(3)為使電力線全部終止或?qū)嵸|(zhì)上全部終止的濃度以上的濃度，該電力線是通過遠紫外光的照射而產(chǎn)生的固定電荷所形成的電力線，
(C)受光側(cè)具備第一層(A1)以及第二層(A2)，其中，該第一層(A1)在空間上覆蓋所述第一光電二極管(PD1)的受光面，選擇性地使第一波長區(qū)域的光透過，該第二層(A2)在空間上覆蓋所述第二光電二極管(PD2)的受光面，使與所述第一波長區(qū)域不同的第二波長區(qū)域的光透過。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的紫外光用固體受光器件，其特征在于，
所述第一層(A1)和所述第二層(A2)包含硅(Si)以及從由氮(N)、氧(O)及碳(C)構(gòu)成的群中選擇出的至少一種元素，并且所述第一層(A1)含有氫(H)，所述第二層(A2)中的氫(H)的存在量少于所述第一層(A1)中的氫(H)的存在量。
7.一種紫外光的測量方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)準備根據(jù)權(quán)利要求3所述的具備光電二極管的紫外光用固體受光器件；
(2)向光電二極管(PD1)和光電二極管(PD2)照射紫外光來獲得來自各光電二極管(PD)的輸出；
(3)向差動信號處理單元輸入基于光電二極管(PD1)的輸出(1)的信號(1)和基于光電二極管(PD2)的輸出(2)的信號(2)，來形成差動信號(DS)；以及
(4)基于該差動信號(DS)來測量紫外光的照射光量。
8.一種紫外光的測量方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)準備根據(jù)權(quán)利要求5所述的具備光電二極管的紫外光用固體受光器件；
(2)向光電二極管(PD1)和光電二極管(PD2)照射紫外光來獲得來自各光電二極管(PD)的輸出；
(3)向差動信號處理單元輸入基于光電二極管(PD1)的輸出(1)的信號(1)和基于光電二極管(PD2)的輸出(2)的信號(2)，來形成差動信號(DS)；以及
(4)基于該差動信號(DS)來測量紫外光的照射光量。
9.一種電子設(shè)備，具備根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項所述的紫外光用固體受光器件。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子設(shè)備，其特征在于，
所述電子設(shè)備還具備通信功能。