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功率分配網(wǎng)絡(luò)(PDN)中交錯(cuò)的功率結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號(hào):12481619閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種集成器件,包括:

包括第一組區(qū)域的第一金屬層,所述第一組區(qū)域包括所述集成器件的功率分配網(wǎng)絡(luò)(PDN)的第一網(wǎng)絡(luò)列表結(jié)構(gòu);以及

包括第二組區(qū)域的第二金屬層,所述第二組區(qū)域包括所述集成器件的所述PDN的第二網(wǎng)絡(luò)列表結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的集成器件,其特征在于,所述第二金屬層進(jìn)一步包括:包括所述集成器件的所述PDN的所述第一網(wǎng)絡(luò)列表結(jié)構(gòu)的第三組區(qū)域。

3.如權(quán)利要求1所述的集成器件,其特征在于,所述第二金屬層進(jìn)一步包括:包括所述集成器件的所述PDN的所述第一網(wǎng)絡(luò)列表結(jié)構(gòu)的第三組島狀區(qū)域。

4.如權(quán)利要求1所述的集成器件,其特征在于,所述第一金屬層進(jìn)一步包括:包括所述集成器件的所述PDN的第三網(wǎng)絡(luò)列表結(jié)構(gòu)的第三組區(qū)域,所述第三組區(qū)域與所述第一金屬層的所述第一組區(qū)域不重疊。

5.如權(quán)利要求1所述的集成器件,其特征在于,進(jìn)一步包括配置成耦合所述第一組區(qū)域的一組通孔。

6.如權(quán)利要求1所述的集成器件,其特征在于,所述第一組區(qū)域包括定義所述第一金屬層的大部分的一組重復(fù)圖案區(qū)域。

7.如權(quán)利要求1所述的集成器件,其特征在于,所述第一組區(qū)域包括以至少星型、偏移型、交錯(cuò)型、和/或輻射型中的一者所形成的一組重復(fù)圖案區(qū)域。

8.如權(quán)利要求1所述的集成器件,其特征在于,所述第一網(wǎng)絡(luò)列表結(jié)構(gòu)包括第一組互連,并且所述第二網(wǎng)絡(luò)列表結(jié)構(gòu)包括第二組互連。

9.如權(quán)利要求1所述的集成器件,其特征在于,所述功率分配網(wǎng)絡(luò)(PDN)可以在至少印刷電路板(PCB)、管芯的重分布部分、晶片級(jí)管芯、晶片級(jí)封裝(WLP)、嵌入式晶片級(jí)封裝(eWLP)、嵌入式晶片級(jí)球格陣列(eWLB)、和/或集成扇出(INFO)晶片級(jí)封裝中的一者中實(shí)現(xiàn)。

10.如權(quán)利要求1所述的集成器件,其特征在于,所述集成器件被納入在音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航設(shè)備、通信設(shè)備、移動(dòng)設(shè)備、移動(dòng)電話、智能電話、個(gè)人數(shù)字助理、固定位置終端、平板式計(jì)算機(jī)、和/或膝上型計(jì)算機(jī)中的至少一者中。

11.一種基板,包括:

包括第一組區(qū)域的第一金屬層,所述第一組區(qū)域包括所述基板的功率分配網(wǎng)絡(luò)(PDN)的第一網(wǎng)絡(luò)列表結(jié)構(gòu);以及

包括第二組區(qū)域的第二金屬層,所述第二組區(qū)域包括所述基板的所述PDN的第二網(wǎng)絡(luò)列表結(jié)構(gòu)。

12.如權(quán)利要求11所述的基板,其特征在于,所述第二金屬層進(jìn)一步包括:包括所述基板的所述PDN的所述第一網(wǎng)絡(luò)列表結(jié)構(gòu)的第三組區(qū)域。

13.如權(quán)利要求11所述的基板,其特征在于,所述第二金屬層進(jìn)一步包括:包括所述基板的所述PDN的所述第一網(wǎng)絡(luò)列表結(jié)構(gòu)的第三組島狀區(qū)域。

14.如權(quán)利要求11所述的基板,其特征在于,所述第一金屬層進(jìn)一步包括:包括所述基板的所述PDN的第三網(wǎng)絡(luò)列表結(jié)構(gòu)的第三組區(qū)域,所述第三組區(qū)域與所述第一金屬層的所述第一組區(qū)域不重疊。

15.如權(quán)利要求11所述的基板,其特征在于,進(jìn)一步包括配置成耦合所述第一組區(qū)域的一組通孔。

16.如權(quán)利要求11所述的基板,其特征在于,所述第一組區(qū)域包括定義所述第一金屬層的大部分的一組重復(fù)圖案區(qū)域。

17.如權(quán)利要求11所述的基板,其特征在于,所述第一組區(qū)域包括以至少星型、偏移型、交錯(cuò)型、和/或輻射型中的一者所形成的一組重復(fù)圖案區(qū)域。

18.如權(quán)利要求11所述的基板,其特征在于,所述第一網(wǎng)絡(luò)列表結(jié)構(gòu)包括第一組互連,并且所述第二網(wǎng)絡(luò)列表結(jié)構(gòu)包括第二組互連。

19.如權(quán)利要求11所述的基板,其特征在于,所述基板被納入在音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航設(shè)備、通信設(shè)備、移動(dòng)設(shè)備、移動(dòng)電話、智能電話、個(gè)人數(shù)字助理、固定位置終端、平板計(jì)算機(jī)、和/或膝上型計(jì)算機(jī)中的至少一者中。

20.一種用于制造集成器件的方法,包括:

形成第一金屬層,其中形成所述第一金屬層包括在所述第一金屬層的第一組區(qū)域中形成所述集成器件的功率分配網(wǎng)絡(luò)(PDN)的第一網(wǎng)絡(luò)列表結(jié)構(gòu);以及

形成第二金屬層,其中形成所述第二金屬層包括在所述第二金屬層的第二組區(qū)域中形成所述集成器件的所述PDN的第二網(wǎng)絡(luò)列表結(jié)構(gòu)。

21.如權(quán)利要求20所述的方法,其特征在于,形成所述第一金屬層進(jìn)一步包括在所述第一金屬層的第三組區(qū)域中形成所述集成器件的所述PDN的第三網(wǎng)絡(luò)列表結(jié)構(gòu),其中所述第三組區(qū)域與所述第一金屬層的所述第一組區(qū)域不重疊。

22.如權(quán)利要求20所述的方法,其特征在于,進(jìn)一步包括形成配置成耦合所述第一組區(qū)域的一組通孔。

23.如權(quán)利要求20所述的方法,其特征在于,所述第一組區(qū)域包括以至少星型、偏移型、交錯(cuò)型、和/或輻射型中的一者所形成的一組重復(fù)圖案區(qū)域。

24.如權(quán)利要求20所述的方法,其特征在于,所述功率分配網(wǎng)絡(luò)(PDN)可以在至少印刷電路板(PCB)、管芯的重分布部分、晶片級(jí)管芯、晶片級(jí)封裝(WLP)、嵌入式晶片級(jí)封裝(eWLP)、嵌入式晶片級(jí)球格陣列(eWLB)、和/或集成扇出(INFO)晶片級(jí)封裝中的一者中實(shí)現(xiàn)。

25.如權(quán)利要求20所述的方法,其特征在于,所述集成器件被納入在音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航設(shè)備、通信設(shè)備、移動(dòng)設(shè)備、移動(dòng)電話、智能電話、個(gè)人數(shù)字助理、固定位置終端、平板式計(jì)算機(jī)、和/或膝上型計(jì)算機(jī)中的至少一者中。

26.一種用于制造基板的方法,包括:

形成第一金屬層,其中形成所述第一金屬層包括在所述第一金屬層的第一組區(qū)域中形成所述基板的功率分配網(wǎng)絡(luò)(PDN)的第一網(wǎng)絡(luò)列表結(jié)構(gòu);以及

形成第二金屬層,其中形成所述第二金屬層包括在所述第二金屬層的第二組區(qū)域中形成所述基板的所述PDN的第二網(wǎng)絡(luò)列表結(jié)構(gòu)。

27.如權(quán)利要求26所述的方法,其特征在于,形成所述第一金屬層進(jìn)一步包括在所述第一金屬層的第三組區(qū)域中形成所述基板的所述PDN的第三網(wǎng)絡(luò)列表結(jié)構(gòu),其中所述第三組區(qū)域與所述第一金屬層的所述第一組區(qū)域不重疊。

28.如權(quán)利要求26所述的方法,其特征在于,進(jìn)一步包括形成配置成耦合所述第一組區(qū)域的一組通孔。

29.如權(quán)利要求26所述的方法,其特征在于,所述第一組區(qū)域包括以至少星型、偏移型、交錯(cuò)型、和/或輻射型中的一者所形成的一組重復(fù)圖案區(qū)域。

30.如權(quán)利要求26所述的方法,其特征在于,所述基板被納入在音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航設(shè)備、通信設(shè)備、移動(dòng)設(shè)備、移動(dòng)電話、智能電話、個(gè)人數(shù)字助理、固定位置終端、平板計(jì)算機(jī)、和/或膝上型計(jì)算機(jī)中的至少一者中。

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