本發(fā)明涉及一種應(yīng)用于將兩個導(dǎo)體之間電連接、機(jī)械連接的導(dǎo)電性粘接劑的導(dǎo)電粒子；使用該導(dǎo)電粒子的導(dǎo)電性粘接劑；經(jīng)由該導(dǎo)電性粘接劑對電子部件進(jìn)行加壓，從而使該電子部件連接于電路基板的連接體的制造方法；電子部件的連接方法；以及通過該連接方法制造的連接體。

背景技術(shù)：

在現(xiàn)有技術(shù)中，作為PC顯示器、智能手機(jī)、便攜式游戲機(jī)、數(shù)字音頻播放器、平板終端或穿戴式終端、或者車載用監(jiān)視器等的各種顯示輸入單元，正使用著觸摸面板，該觸摸面板具備：液晶顯示裝置或有機(jī)EL面板等的顯示裝置；以及通過向該顯示裝置施加壓力來檢測畫面位置的信息并作為信息信號而輸出的輸入裝置。近年來，在這種觸摸面板裝置中，從微間距(fine pitch)化、輕型薄型化等的觀點出發(fā)，正采用著：使用各向異性導(dǎo)電膜(ACF：Anisotropic Conductive Film)來連接IC芯片或柔性基板等電子部件和形成有透明電極的玻璃基板的工藝方法。

各向異性導(dǎo)電膜，是將導(dǎo)電粒子混入到粘合劑樹脂(粘接劑)并形成薄膜狀的膜，通過在兩個導(dǎo)體之間加熱壓接來用導(dǎo)電粒子在導(dǎo)體之間形成電導(dǎo)通，并且通過粘合劑樹脂在導(dǎo)體之間保持機(jī)械連接。作為構(gòu)成各向異性導(dǎo)電膜的粘接劑，通常采用可靠性高的熱固化性粘合劑樹脂，但也可以是光固化性粘合劑樹脂或光熱兼用型粘合劑樹脂。

在使用各向異性導(dǎo)電膜來將IC芯片連接到玻璃基板的情況下，首先，通過臨時壓接單元將各向異性導(dǎo)電膜以低溫低壓進(jìn)行加熱按壓來臨時粘貼在玻璃基板的電極上。接著，經(jīng)由各向異性導(dǎo)電膜將IC芯片搭載于玻璃基板上并形成臨時連接體。在臨時連接體載置于連接裝置的工作臺之后，IC芯片通過熱壓接頭等熱壓接單元來與各向異性導(dǎo)電膜一起被加熱按壓于玻璃基板側(cè)。通過由該熱壓接頭進(jìn)行的加熱，各向異性導(dǎo)電膜的粘合劑樹脂引起熱固化反應(yīng)，從而形成在玻璃基板上連接有IC芯片的連接體。

但是，在移動用途的電子設(shè)備中，為降低耗電而要求實現(xiàn)進(jìn)一步的低電阻化，因此使用由導(dǎo)電性優(yōu)異的金屬材料構(gòu)成的電路電極。但是，這種金屬材料也存在有其表面容易形成氧化膜的缺點。

因此，作為導(dǎo)電粒子，提出了使用具有高硬度的金屬微細(xì)粉末的粒子、或表面被金屬薄膜覆蓋的塑料微粒的粒子。

另外，作為導(dǎo)電粒子，提出了在核心(core)粒子覆蓋鈀(palladium)層并在該鈀層表面配置絕緣性粒子的粒子(例如，參照專利文獻(xiàn)1)、或在核心粒子的表面設(shè)置硬度較高的金屬粒子并用金屬鍍層覆蓋的粒子(例如，參照專利文獻(xiàn)2)。

【現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)】

【專利文獻(xiàn)】

專利文獻(xiàn)1:日本特開2009-212077號公報

專利文獻(xiàn)2:日本特開2011-231326號公報

技術(shù)實現(xiàn)要素：

【發(fā)明要解決的問題】

在將具有高硬度的金屬微細(xì)粉末用作導(dǎo)電粒子的情況下，即使氧化膜形成于電路電極的表面，也能夠戳破該氧化膜而連接電路電極彼此之間。但是，對于金屬微細(xì)粉末而言，通常其粒度分布較寬，因此存在有在微間距化的電極之間發(fā)生短路的憂慮。另外，如果在形成連接體之后，伴隨溫度或濕度環(huán)境的變化而在粘合劑樹脂或經(jīng)由粘合劑樹脂連接的電路基板和IC芯片產(chǎn)生膨脹或收縮，并且電極之間的距離發(fā)生變動，則存在有金屬微細(xì)粉末無法充分進(jìn)行隨動，其連接電阻上升的憂慮。

另外，在將表面被金屬薄膜覆蓋的塑料微粒用作導(dǎo)電粒子的情況下，粒度分布也較窄且可對應(yīng)于微間距化，而且，也能夠充分地隨動伴隨溫度的變動等的電極之間距離的變動。但是，塑料微粒與金屬微細(xì)粉末相比通常其硬度低，因此在電路電極的表面形成有氧化膜的情況下無法充分地戳破該氧化膜，并且連接部分的電阻值變高。另外，例如在使用于智能手機(jī)等各種液晶顯示面板的驅(qū)動用IC等的IC芯片中，隨著高像素化的進(jìn)程，與各像素相對應(yīng)的輸出信號也會增加，且輸出凸起(bump)也會增加，如果通過塑料微粒施加能夠戳破形成于電路電極表面的氧化膜的程度的按壓力，則需要超過現(xiàn)有熱壓接裝置的壓力上限的按壓力。

而且，在使用上述專利文獻(xiàn)1或?qū)＠墨I(xiàn)2所記載的導(dǎo)電粒子的情況下，在連接初期或耐久試驗后的導(dǎo)通性、絕緣性以及腐蝕性的所有項目中表現(xiàn)出良好結(jié)果的觀點上，不能稱為滿足其的粒子，有待于進(jìn)行改進(jìn)。

尤其，在將上述專利文獻(xiàn)2所記載的核心粒子表面設(shè)置硬度較高的金屬微粒并用金屬鍍層覆蓋的粒子用作導(dǎo)電粒子的情況下，存在如下憂慮：這種類型的導(dǎo)電粒子根據(jù)金屬微粒的尺寸，以金屬微粒作為起點而發(fā)生鍍層裂紋，并在連接初期或者環(huán)境試驗后連接電阻值上升。

本發(fā)明是鑒于這種實際情況而提出的，其目的在于提供一種，即使要連接的電極由其表面容易形成氧化膜的金屬材料構(gòu)成，也可以充分降低連接結(jié)構(gòu)的電阻值，并且能夠確保良好的導(dǎo)通性，另一方面，絕緣性優(yōu)異且耐腐蝕性也優(yōu)異的導(dǎo)電粒子、導(dǎo)電性粘接劑、連接體的制造方法、電子部件的連接方法、以及連接體。

【解決問題的方案】

為解決上述問題，本發(fā)明的導(dǎo)電粒子具備：核心粒子；第二金屬層，其覆蓋上述核心粒子；微粒，其配置于上述第二金屬層；以及第一金屬層，其一并覆蓋上述第二金屬層和上述微粒。

另外，本發(fā)明的導(dǎo)電性粘接劑為在粘合劑樹脂中含有導(dǎo)電粒子的導(dǎo)電性粘接劑，上述導(dǎo)電粒子具備：核心粒子；第二金屬層，其覆蓋上述核心粒子；微粒，其配置于上述第二金屬層；以及第一金屬層，其一并覆蓋上述第二金屬層和上述微粒。

另外，本發(fā)明的連接體的制造方法包括以下工序：將電子部件經(jīng)由導(dǎo)電性粘接劑搭載于電路基板上，上述導(dǎo)電性粘接劑具有含有導(dǎo)電粒子的粘合劑樹脂；以及通過熱壓接工具從上述電子部件之上進(jìn)行加熱按壓，并且以上述導(dǎo)電粒子被挾持在上述電路基板和上述電子部件的各電極之間的狀態(tài)使上述粘合劑樹脂固化，其中，上述導(dǎo)電粒子具備：核心粒子；第二金屬層，其覆蓋上述核心粒子；微粒，其配置于上述第二金屬層；以及第一金屬層，其一并覆蓋上述第二金屬層和上述微粒。

另外，本發(fā)明的電子部件的連接方法包括以下工序：將電子部件經(jīng)由導(dǎo)電性粘接劑搭載于電路基板上，上述導(dǎo)電性粘接劑具有含有含有導(dǎo)電粒子的粘合劑樹脂；以及通過熱壓接工具從上述電子部件之上進(jìn)行加熱按壓，并且以上述導(dǎo)電粒子被挾持在上述電路基板和上述電子部件的各電極之間的狀態(tài)使上述粘合劑樹脂固化，其中，上述導(dǎo)電粒子具備：核心粒子；第二金屬層，其覆蓋上述核心粒子；微粒，其配置于上述第二金屬層；以及第一金屬層，其一并覆蓋上述第二金屬層和上述微粒。

另外，本發(fā)明的連接體是通過如上所述的方法制造的。

【發(fā)明效果】

根據(jù)本發(fā)明，導(dǎo)電粒子具有在核心粒子設(shè)置第二金屬層，并且吸附微粒，而且用第一金屬層覆蓋的結(jié)構(gòu)，因此微粒突起能夠通過熱壓接來戳破形成于電極的氧化膜，由此能夠確保良好的導(dǎo)通性。此時，由于在核心粒子設(shè)置有第二金屬層，且在該第二金屬層上設(shè)置有微粒，因此各個層具有適當(dāng)?shù)娜嵝?，并且防止發(fā)生裂紋，而且能夠維持良好的導(dǎo)通性。

據(jù)此，根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種，能夠解決上述問題，并且在連接初期和耐久試驗后也能夠確保良好的導(dǎo)電性，另一方面，絕緣性優(yōu)異且耐腐蝕性也優(yōu)異的導(dǎo)電粒子、導(dǎo)電性粘接劑、連接體的制造方法、電子部件的連接方法以及連接體。

附圖說明

圖1是表示應(yīng)用本發(fā)明的各向異性導(dǎo)電膜的剖視圖。

圖2是表示應(yīng)用本發(fā)明的導(dǎo)電粒子的剖視圖。

具體實施方式

以下，參照附圖詳細(xì)說明應(yīng)用本發(fā)明的導(dǎo)電粒子、導(dǎo)電性粘接劑、連接體的制造方法、電子部件的連接方法以及連接體。此外，本發(fā)明并不僅限于以下實施方式，在不脫離本發(fā)明的要點的范圍內(nèi)可以進(jìn)行各種各樣的變更是理所當(dāng)然的。另外，附圖是示意性圖，各個尺寸的比例等可能與實際物體會有所出入。具體尺寸等需參考以下說明進(jìn)行判斷。另外，即使在附圖之間包含尺寸的相互關(guān)系或比例不同的部分是理所當(dāng)然的。

[各向異性導(dǎo)電膜]

應(yīng)用本發(fā)明的導(dǎo)電粒子在將電子部件和電路基板的各個電極彼此之間導(dǎo)通連接的情況等，更適用于將兩個導(dǎo)體之間電連接、機(jī)械連接的導(dǎo)電性粘接劑。以下，作為含有本發(fā)明的導(dǎo)電粒子的導(dǎo)電性粘接劑，將各向異性導(dǎo)電膜(ACF：Anisotropic Conductive Film)作為一例進(jìn)行說明。

如圖1所示，各向異性導(dǎo)電膜1，通常是在作為基材的剝離薄膜2上形成有含有導(dǎo)電粒子4的粘合劑樹脂層(粘接劑層)3的薄膜。各向異性導(dǎo)電膜1是熱固化型或者紫外線等的光固化型粘接劑，例如粘貼在形成于電路基板的基板電極上，并且搭載有IC芯片，通過熱壓接頭進(jìn)行熱加壓而實現(xiàn)流動化，從而導(dǎo)電粒子4在相對置的基板電極和IC芯片的凸起之間被壓扁，并且導(dǎo)電粒子4通過加熱或者紫外線的照射以被壓扁的狀態(tài)進(jìn)行固化。據(jù)此，各向異性導(dǎo)電膜1能夠使電路基板和IC芯片連接并使其導(dǎo)通。

對于各向異性導(dǎo)電膜1而言，在含有膜形成樹脂、固化性樹脂、潛伏性固化劑、硅烷偶聯(lián)劑等的通常的粘合劑樹脂層3中分散有導(dǎo)電粒子4。

用于支撐粘合劑樹脂層3的剝離薄膜2，例如在PET(Poly Ethylene Terephthalate)、OPP(Oriented Polypropylene)、PMP(Poly-4-methylpentene-1)、PTFE(Polytetrafluoroethylene)等上涂敷硅酮等的剝離劑而成，用于防止各向異性導(dǎo)電膜1的干燥，并且用于維持各向異性導(dǎo)電膜1的形狀。

作為粘合劑樹脂層3中含有的膜形成樹脂，優(yōu)選平均分子量為10,000～80,000左右的樹脂。作為膜形成樹脂，可舉出環(huán)氧樹脂、改性環(huán)氧樹脂、聚氨酯樹脂、苯氧基樹脂等各種樹脂。其中，從膜形成狀態(tài)、連接可靠性等的觀點看，尤其優(yōu)選苯氧基樹脂。

對固化性樹脂無特別限定，例如可舉出市場上出售的環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂等。

對環(huán)氧樹脂無特別限定，例如可舉出萘(naphthalene)型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯(biphenyl)型環(huán)氧樹脂、酚醛(phenol novolac)型環(huán)氧樹脂、雙酚(bisphenol)型環(huán)氧樹脂、二苯乙烯(stilbene)型環(huán)氧樹脂、三酚基甲烷型環(huán)氧樹脂、芳烷基酚(phenol aralkyl)型環(huán)氧樹脂、萘酚(naphthol)型環(huán)氧樹脂、二環(huán)戊二烯(dicyclopentadiene)型環(huán)氧樹脂、三苯代甲烷(triphenylmethane)型環(huán)氧樹脂等。這些可以是單獨一種，也可以是兩種以上的組合。

對丙烯酸樹脂無特別限定，根據(jù)使用目的可以適當(dāng)?shù)剡x擇丙烯化合物、液態(tài)丙烯酸酯等。例如可舉出丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸環(huán)氧酯、乙二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯(trimethylolpropane triacrylate)、二羥甲基三環(huán)癸烷二丙烯酸酯(dimethylol tricyclodecane diacrylate)、1,4-丁二醇四丙烯酸酯(tetramethylene glycol tetraacrylate)、2-羥基-1,3-二丙烯酰氧基丙烷、2,2-雙[4-(丙烯酰氧基甲氧基)苯基]丙烷、2,2-雙[4-(丙烯酰氧基乙氧基)苯基]丙烷、二環(huán)戊烯基丙烯酸酯(dicyclopentenyl acrylate)、三環(huán)癸基丙烯酸酯(tricyclodecanyl acrylate)、三(丙烯酰氧乙基)異氰脲酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、丙烯酸環(huán)氧酯等。此外，也可以使用將丙烯酸酯改為甲基丙基酸酯的樹脂。這些可以單獨使用，也可以并用兩種以上。

對潛伏性固化劑無特別限定，例如可舉出加熱固化型、UV固化型等各種固化劑。潛伏性固化劑通常不反應(yīng)，通過根據(jù)熱、光、加壓等用途而選擇的各種觸發(fā)(trigger)來被活性化，并開始進(jìn)行反應(yīng)。熱激活型潛伏性固化劑的激活方法包括：通過基于加熱的分解反應(yīng)等來生成活性種(陽離子或陰離子、自由基)的方法；在室溫附近穩(wěn)定分散于環(huán)氧樹脂中且在高溫下與環(huán)氧樹脂相溶、溶解，并開始進(jìn)行固化反應(yīng)的方法；將分子篩密封型固化劑在高溫下熔析并開始進(jìn)行固化反應(yīng)的方法；基于微型膠囊的熔析、固化方法等。作為熱激活型潛伏性固化劑，可舉出咪唑系、酰肼系、三氟化硼胺絡(luò)合物、锍鹽、胺基酰亞胺、多胺鹽、雙氰胺等，或這些的改性物，這些可以單獨使用，也可以是兩種以上的混合體。其中，微型膠囊型咪唑系潛伏性固化劑為優(yōu)選。

另外，近年來，在使用各向異性導(dǎo)電膜的連接工藝方法中，從減輕對構(gòu)件的損傷、防止高溫壓接時的翹曲、提高生產(chǎn)效率等的觀點出發(fā)要求進(jìn)行低溫壓接，因此作為熱固性樹脂含有環(huán)氧樹脂，并且作為固化劑可以大量使用產(chǎn)酸劑也可。如后述那樣，在應(yīng)用本發(fā)明的導(dǎo)電粒子4中，通過使用具有耐酸性的微粒13，能夠提供耐腐蝕性優(yōu)異且具有導(dǎo)通可靠性的各向異性導(dǎo)電膜1。

對硅烷偶聯(lián)劑無特別限定，例如可舉出環(huán)氧系、氨基系、巰基硫化物系、酰脲系等。通過添加硅烷偶聯(lián)劑，提高有機(jī)材料和無機(jī)材料之間的界面的粘接性。

用于構(gòu)成粘合劑樹脂層3的粘接劑組合物，不限于含有膜形成樹脂、固化性樹脂、潛伏性固化劑、硅烷偶聯(lián)劑等的情況，可以由通常用作各向異性導(dǎo)電膜的粘接劑組合物的任意材料構(gòu)成。

[導(dǎo)電粒子]

接著，說明應(yīng)用本發(fā)明的導(dǎo)電粒子4。如圖2所示，導(dǎo)電粒子4具備：核心粒子10；第二金屬層12，其覆蓋核心粒子10；微粒13，其配置于第二金屬層12；以及第一金屬層11，其一并覆蓋第二金屬層12和微粒。

[核心粒子]

核心粒子10可以使用金屬粉或樹脂粒子等用作導(dǎo)電粒子的核心粒子的公知粒子。其中，優(yōu)選使用可與電極端子之間的距離變動隨動的樹脂核心粒子。作為樹脂核心粒子，例如可以列舉環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、丙烯酸樹脂、丙烯腈-苯乙烯(AS)樹脂、苯并胍胺樹脂、二乙烯基苯系樹脂、苯乙烯系樹脂等的粒子。

[第二金屬層]

覆蓋核心粒子10的第二金屬層12，為了即使在導(dǎo)電粒子4被按壓變形的情況下，也能防止裂紋的產(chǎn)生且維持導(dǎo)電粒子4的導(dǎo)電性，優(yōu)選由具有延展性、韌性的金屬形成。另外，第二金屬層12優(yōu)選使用如下金屬：即使在構(gòu)成外層的第一金屬層11產(chǎn)生裂紋等，且暴露于粘合劑樹脂或溶劑等的情況下，也能夠防止由腐蝕引起的導(dǎo)電粒子4的導(dǎo)電性能降低的、具有耐酸性的金屬。據(jù)此，優(yōu)選地，作為構(gòu)成第二金屬層12的金屬，例如使用銅或以銅作為主要成分的合金。

第二金屬層12例如可以通過非電解鍍覆、電解鍍覆、濺鍍(sputtering)等公知的成膜方法來形成于核心粒子10的表面。另外，第二金屬層12的膜厚優(yōu)選為2nm～120nm。如果第二金屬層12的膜厚小于2nm，則在導(dǎo)電粒子4被按壓時或者由核心粒子10的伸縮等而產(chǎn)生裂紋，從而存在導(dǎo)通可靠性降低的憂慮。另外，第二金屬層12的膜厚大于120nm，則在具有規(guī)定粒徑的導(dǎo)電粒子4的膜結(jié)構(gòu)中，韌性相對高的第二金屬層12的膜厚比變高，且導(dǎo)電粒子4整體的硬度降低，因此無法得到戳破氧化膜而嵌入電極表面程度的硬度，從而存在初期導(dǎo)通性和導(dǎo)通可靠性降低的憂慮。

[微粒]

就微粒13而言，其設(shè)置在第二金屬層12上，并且被第一金屬層11覆蓋，從而在導(dǎo)電粒子4的表面形成突起14。導(dǎo)電粒子4可以通過突起14嵌入電路基板或電子部件的電極并戳破氧化膜來確保導(dǎo)通性。因此，微粒13要求具有與電極材料同等以上的硬度，并且要求具有在壓接時戳破氧化膜而嵌入電極表面的硬度。此外，此時的硬度，是指JIS Z 2244所規(guī)定的維氏硬度。

另外，微粒13優(yōu)選使用如下金屬：即使在第一金屬層11產(chǎn)生裂紋等，且暴露于粘合劑樹脂或溶劑等的情況下，也能夠防止由腐蝕引起的導(dǎo)電粒子4的導(dǎo)電性能降低的、具有耐酸性的金屬。

即，近年來，在使用各向異性導(dǎo)電膜的連接工藝方法中，從減輕對構(gòu)件的損傷、防止高溫壓接時的翹曲、提高生產(chǎn)效率等的觀點出發(fā)要求進(jìn)行低溫壓接。作為實現(xiàn)低溫化的方法，通常采用在固化系使用自由基聚合系或陽離子聚合系的方法。

但是，對于自由基聚合系而言，其相對于玻璃的粘接性通常較低，并且難以用于COG或FOG的用途。另外，對于陽離子聚合系而言，通常將產(chǎn)酸劑用作固化劑，但是在用陽離子聚合系進(jìn)一步實現(xiàn)低溫化的情況下，會配合大量的該產(chǎn)酸劑。據(jù)此，在利用各向異性導(dǎo)電膜進(jìn)行壓接之后，導(dǎo)電粒子隨時間變化而發(fā)生腐蝕，且損壞導(dǎo)通性。該導(dǎo)電粒子可以通過在導(dǎo)電粒子的最外層實施鍍金來在某種程度上降低腐蝕，但是存在大幅度增加成本的問題。

因此，作為微粒13，優(yōu)選使用能夠防止由腐蝕引起的導(dǎo)電粒子4的導(dǎo)電性能降低的、具有耐酸性的金屬。

作為這種微粒13，可以使用鎳等的金屬微粒或金屬氧化物、金剛石顆粒等。作為金屬氧化物，例如有鋁、硅、鈦、鋯、鈮、鋅、錫、鈰、鎂的氧化物。其中，優(yōu)選使用具有高硬度、耐酸性且能以低價獲得的氧化鋁或氧化鈦或氧化硅。

此外，微粒13優(yōu)選使用其形狀比較整齊的球狀顆粒。不適用鱗片狀等的微粒是因為，在導(dǎo)電粒子4的表面所形成的突起14的高度或形狀產(chǎn)生偏差，由此對電極的按壓力變得不均勻，從而使導(dǎo)通性能變得不穩(wěn)定。

另外，微粒13的粒徑優(yōu)選為50nm～500nm。如果微粒13的粒徑小于50nm，則被第一金屬層11覆蓋時無法形成突起14的高度，由此在使用各向異性導(dǎo)電膜1時無法嵌入至電極且無法戳破氧化膜，因此存在初期導(dǎo)通性和導(dǎo)通可靠性降低的憂慮。另外，如果微粒13的粒徑大于500nm，則突起14的高度過高而使導(dǎo)電粒子4的粒徑變大，由此在使用各向異性導(dǎo)電膜1時相鄰的粒子彼此之間容易接觸，因此存在使微間距化的電極之間引起短路的憂慮。

此外，微粒13通過化學(xué)吸附來設(shè)置在第二金屬層12上，并且與第二金屬層12一并被第一金屬層11覆蓋而固定。

[第一金屬層]

第一金屬層11通過覆蓋第二金屬層12和微粒13而形成突起14。另外，如果第一金屬層11硬度高且被按壓在電路基板和電子部件之間，則突起14戳破氧化膜并嵌入至電極而導(dǎo)通。因此，第一金屬層11由具有導(dǎo)通性且高硬度的金屬形成，例如優(yōu)選使用鎳或鈀、或者這些的合金。

第一金屬層11例如可以通過非電解鍍覆、電解鍍覆、濺鍍等公知的成膜方法來形成于吸附有微粒13的第二金屬層12的表面。另外，第一金屬層11的膜厚優(yōu)選為5nm～500nm。第一金屬層11的膜厚小于5nm，則導(dǎo)電粒子4整體的硬度降低，因此在導(dǎo)電粒子4被按壓時或由核心粒子10的伸縮等產(chǎn)生裂紋，從而存在初期導(dǎo)通性或?qū)煽啃越档偷膽n慮。另外，第一金屬層11的膜厚大于500nm，則導(dǎo)電粒子4的粒徑變大，由此在使用各向異性導(dǎo)電膜1時，導(dǎo)電粒子4彼此之間容易接觸、凝聚，從而存在使微間距化的電極之間引起短路的憂慮。

此外，第一金屬層11優(yōu)選由硬度高于第二金屬層12的金屬形成。第一金屬層11通過采用高硬度金屬，能夠在壓接時對電極施加較高接觸壓力，并且切實地戳破氧化膜而嵌入至電極，從而能夠確保導(dǎo)通性。另外，第二金屬層12通過硬度低于第一金屬層11且具備韌性，吸收施加于第一金屬層11或微粒13的壓力，從而能夠防止由產(chǎn)生裂紋所引起的導(dǎo)通性的降低。即，對于導(dǎo)電粒子4而言，在核心粒子10設(shè)置第二金屬層12，并且在該第二金屬層12之上設(shè)置有微粒13和第一金屬層，因此各個層具有適當(dāng)?shù)娜嵝?，并且防止產(chǎn)生裂紋，而且維持良好的導(dǎo)通性，從而能夠構(gòu)筑難以破裂的構(gòu)造。

各向異性導(dǎo)電膜1可以以任意方法制作，例如可以以如下方法制作。對含有膜形成樹脂、固化性樹脂、潛伏性固化劑、硅烷偶聯(lián)劑、導(dǎo)電粒子4等的粘接劑組合物進(jìn)行調(diào)整。將已調(diào)整的粘接劑組合物通過刮棒涂敷機(jī)、涂敷裝置等涂敷在剝離薄膜2上，并通過烤箱等進(jìn)行干燥，由此得到粘合劑樹脂層3支撐于剝離薄膜2的各向異性導(dǎo)電膜1。

[雙層ACF]

另外，本發(fā)明的各向異性導(dǎo)電膜1也可以層疊粘合劑樹脂層3和絕緣性粘接劑層而形成雙層結(jié)構(gòu)的各向異性導(dǎo)電膜，所述粘合劑樹脂層3含有導(dǎo)電粒子4，所述絕緣性粘接劑層由不含導(dǎo)電粒子的絕緣性的粘接劑組合物形成。

構(gòu)成絕緣性粘接材料層的絕緣性的粘接劑組合物，由含有膜形成樹脂、固化性樹脂、潛伏性固化劑、硅烷偶聯(lián)劑等的通常粘合劑組分形成，可以由與上述粘合劑樹脂層3的粘接劑組合物相同的材料構(gòu)成。

該雙層結(jié)構(gòu)的各向異性導(dǎo)電膜1可以通過以下方式形成：將構(gòu)成絕緣性粘接劑層的粘接劑組合物涂敷在剝離薄膜并進(jìn)行干燥，之后與上述的支撐于剝離薄膜2的粘合劑樹脂層3貼合而形成。

此外，對各向異性導(dǎo)電膜1的形狀無特別限定，如圖1所示，例如通過形成為可卷繞在卷繞筒6的長條帶狀，可以切割成規(guī)定長度來使用。

另外，在上述實施方式中，作為各向異性導(dǎo)電膜1，以將含有導(dǎo)電粒子4的熱固性樹脂組合物成型為薄膜狀的粘接薄膜作為一例進(jìn)行了說明，但是本發(fā)明的粘接劑并不限于此，例如可以使用由含有導(dǎo)電粒子4的粘合劑樹脂3形成的導(dǎo)電性粘接膏。

[連接體的制造工序]

接著，以將IC芯片連接于透明基板的連接工序作為一例，對使用各向異性導(dǎo)電膜1的連接工序進(jìn)行說明。在連接工序中，首先，將各向異性導(dǎo)電膜1臨時粘貼在透明基板的形成有電極端子的COG安裝部上，接著，將IC芯片經(jīng)由各向異性導(dǎo)電膜1搭載于透明基板的COG安裝部上。

接著，利用加熱至使粘合劑樹脂層3固化的規(guī)定溫度的熱壓接頭，以規(guī)定的壓力、時間從IC芯片上進(jìn)行熱加壓。據(jù)此，各向異性導(dǎo)電膜1的粘合劑樹脂層3呈現(xiàn)出流動性，并從IC芯片和透明基板的COG安裝部之間流出，并且粘合劑樹脂層3中的導(dǎo)電粒子4被夾持在IC芯片的凸起和透明基板的電極端子之間并被壓扁，而且被熱壓接頭加熱的粘合劑樹脂在該狀態(tài)下固化。

此時，導(dǎo)電粒子4具有突起14，所述突起14通過核心粒子10被具有優(yōu)異韌性的第二金屬層12覆蓋，并且微粒13被高硬度的第一金屬層11覆蓋來形成，因此即使在氧化膜形成于透明基板的電極端子或IC芯片的凸起的情況下，也可以通過突起14戳破該氧化膜并嵌入至電極端子。其結(jié)果，電極端子和凸起通過夾持導(dǎo)電粒子4來具有良好的導(dǎo)通性，并且被熱壓接頭加熱的粘合劑樹脂在該狀態(tài)下固化。

另外，各向異性導(dǎo)電膜1通過使用具有耐酸性的微粒13，即使在具備大量含有產(chǎn)酸劑的低溫固化性的粘合劑樹脂的情況下，也能夠防止由微粒13的腐蝕引起的導(dǎo)通不良，并且根據(jù)形成連接體之后的溫度或濕度環(huán)境的變化等，也能夠維持良好的導(dǎo)通性。

而且，各向異性導(dǎo)電膜1通過使導(dǎo)電粒子4的第二金屬層12具備韌性，在壓接時或者在形成連接體之后伴隨溫度或濕度環(huán)境的變化而在粘合劑樹脂或經(jīng)由粘合劑樹脂相連接的電路基板和IC芯片產(chǎn)生膨脹或收縮的情況下，能夠吸收施加于第一金屬層11或微粒13的壓力，并且能夠防止由產(chǎn)生裂紋所引起的導(dǎo)通性的降低。

不存在于電極端子和凸起之間的導(dǎo)電粒子4，其分散于相鄰的凸起之間的空間中的粘合劑樹脂，并維持電絕緣狀態(tài)。據(jù)此，形成只在IC芯片的凸起和透明基板的電極端子之間實現(xiàn)電導(dǎo)通的連接體。此外，作為粘合劑樹脂，使用自由基聚合反應(yīng)系的快速固化型，由此以較短的加熱時間也能夠使粘合劑樹脂快速固化。另外，作為各向異性導(dǎo)電膜1，并不限定于熱固化型，只要能進(jìn)行加壓連接，就可以使用光固化型或者光熱兼用型粘接劑。

實施例

接著，說明本發(fā)明的實施例。在本實施例中，通過改變導(dǎo)電粒子的結(jié)構(gòu)、粘合劑樹脂的配合以及各向異性導(dǎo)電膜的壓接條件，來制作了將評估用IC連接于評估用玻璃基板的連接體樣品，分別測量了在連接初期和可靠性試驗之后的導(dǎo)通電阻值、相鄰的電極之間的絕緣性以及腐蝕性，并進(jìn)行了評估。

[各向異性導(dǎo)電膜]

作為使用于評估用IC的連接的各向異性導(dǎo)電膜，準(zhǔn)備了配合1和配合2這兩種類型。依據(jù)配合1的各向異性導(dǎo)電膜以如下方式形成：制備了將60質(zhì)量份的苯氧基樹脂(商品名：YP50，新日鐵化學(xué)公司制)、40質(zhì)量份的環(huán)氧樹脂(商品名：EP828，日本環(huán)氧樹脂公司(Japan Epoxy Resins)制)、1質(zhì)量份的硅烷偶聯(lián)劑(商品名：KBM-403，信越化學(xué)工業(yè)公司制)、10質(zhì)量份的熱陽離子系固化劑(商品名：SI-60L，三新化學(xué)工業(yè)公司制)、30質(zhì)量份的導(dǎo)電粒子添加至溶劑的粘合劑樹脂組合物，并將該粘合劑樹脂組合物涂敷在剝離薄膜(PET)上，之后通過使溶劑揮發(fā)而形成。

依據(jù)配合2的各向異性導(dǎo)電薄膜以如下方式形成：制備了將60質(zhì)量份的苯氧基樹脂(商品名：YP50，新日鐵化學(xué)公司制)、40質(zhì)量份的環(huán)氧樹脂(商品名：EP828，日本環(huán)氧樹脂公司制)、1質(zhì)量份的硅烷偶聯(lián)劑(商品名：KBM-403，信越化學(xué)工業(yè)公司制)、3質(zhì)量份的熱陽離子系固化劑(商品名：SI-60L，三新化學(xué)工業(yè)公司制)、30質(zhì)量份的導(dǎo)電粒子添加至溶劑的粘合劑樹脂組合物，并將該粘合劑樹脂組合物涂敷在剝離薄膜(PET)上，之后通過使溶劑揮發(fā)而形成。

依據(jù)配合1和配合2的各向異性導(dǎo)電膜所含有的導(dǎo)電粒子以如下方式制作：通過非電解鍍覆法將下述實施例的第二金屬層形成在平均粒徑3μm的聚苯乙烯粒子(核心粒子)的表面，并且使其化學(xué)吸附了下述實施例的微粒之后，通過非電解鍍覆法來形成下述實施例的第一金屬層而制作。

[導(dǎo)通性的評估]

作為用于測量導(dǎo)通電阻的評估元件，準(zhǔn)備了具備寬1.8mm×長20mm、厚0.5mm的IC基板，且多個鍍金凸起沿著一側(cè)邊緣以一列直線排列而形成的評估用IC。各凸起為30μm×85μm、厚15μm。

作為連接有用于測量導(dǎo)通電阻的評估用IC的評估用玻璃基板，使用了厚度為0.7mm、形成有電極圖案的ITO圖案玻璃，所述電極圖案具有與用于測量導(dǎo)通電阻的評估用IC的凸起相同的尺寸和間距。

在將各向異性導(dǎo)電膜臨時粘貼于該評估用玻璃基板之后，進(jìn)行IC凸起和基板電極的校準(zhǔn)(alignment)的同時搭載了評估用IC，并通過基于熱壓接頭的熱壓接來制作了連接體樣品。壓接條件根據(jù)各向異性導(dǎo)電膜的配合，采用了壓接條件1(170℃、60MPa、5sec/特氟隆(注冊商標(biāo))50μm)和壓接條件2(200℃、60MPa、5sec/特氟隆(注冊商標(biāo))50μm)這兩個條件。

對制作的各連接體樣品，測量了流過1mA電流時的連接初期和可靠性試驗之后的導(dǎo)通電阻?？煽啃栽囼灥臈l件為85℃、85％RH、500hr。

對于導(dǎo)通性的評估而言，無論是初期還是可靠性試驗之后，均將小于2Ω設(shè)定為◎(最優(yōu))，將2Ω以上且小于3Ω設(shè)定為○(良好)，將3Ω以上且小于5Ω設(shè)定為△(普通)，將5Ω以上設(shè)定為×(不良)。

[絕緣性的評估]

另外，作為用于評估絕緣性的評估元件，準(zhǔn)備了具有寬1.5mm×長130mm、厚0.5mm的IC基板，且多個鍍金凸起沿著一側(cè)邊緣以一列直線排列而形成的評估用IC。各凸起的厚度為15μm，凸起之間的空間為10μm。

作為連接有用于評估絕緣性的評估用IC的評估用玻璃基板，使用了厚度0.5mm、形成有梳齒狀電極圖案的ITO圖案玻璃，所述電極圖案具有與用于評估絕緣性的評估用IC的凸起相同的尺寸和間距。

在將各向異性導(dǎo)電膜臨時粘貼于該評估用玻璃基板之后，進(jìn)行IC凸起和基板電極的校準(zhǔn)的同時搭載了評估用IC，并通過基于熱壓接頭的熱壓接來制作了連接體樣品。壓接條件根據(jù)各向異性導(dǎo)電膜的配合，采用了壓接條件1(170℃、60MPa、5sec/特氟隆(注冊商標(biāo))50μm)和壓接條件2(200℃、60MPa、5sec/特氟隆(注冊商標(biāo))50μm)這兩個條件。

對制作的各連接體樣品，通過兩端子方法測量了相鄰的凸起之間是否存在短路。在評估用IC形成了八處由十組凸起構(gòu)成的電極圖案，并記錄了十組中一組以上發(fā)生短路的電極圖案的數(shù)量。測量結(jié)果，將108Ω以下設(shè)為發(fā)生了短路，并且發(fā)生短路的電極圖案的數(shù)量為零的情況設(shè)定為〇(最優(yōu))，發(fā)生短路的電極圖案為兩處以下的情況設(shè)定為△(普通)，發(fā)生短路的電極圖案為三處以上的情況設(shè)定為×(不良)。

[腐蝕性的評估]

另外，作為用于評估腐蝕性的評估元件，準(zhǔn)備了寬1.8mm×長20mm、厚0.5mm的IC基板，且多個鍍金凸起沿著一側(cè)邊緣以一列直線排列而形成的評估用IC。各凸起為30μm×85μm、厚15μm。

作為連接有用于評估腐蝕性的評估用IC的評估用玻璃基板，使用了厚度為0.7mm、且形成有Al電極圖案的玻璃基板，所述Al電極圖案具有與用于評估腐蝕性的評估用IC的凸起相同的尺寸和間距。

在將各向異性導(dǎo)電膜臨時粘貼于該評估用玻璃基板之后，進(jìn)行IC凸起和基板電極的校準(zhǔn)的同時搭載了評估用IC，并通過基于熱壓接頭的熱壓接來制作了連接體樣品。壓接條件根據(jù)各向異性導(dǎo)電膜的配合，采用了壓接條件1(170℃、60MPa、5sec/特氟隆(注冊商標(biāo))50μm)和壓接條件2(200℃、60MPa、5sec/特氟隆(注冊商標(biāo))50μm)這兩個條件。

對制作的各連接體樣品，測量了流過1mA電流時的可靠性試驗之后的導(dǎo)通電阻?？煽啃栽囼灥臈l件為121℃1atm72小時的高壓鍋(pressure cooker)試驗。對于評估而言，電流通過的(無導(dǎo)通不良)情況設(shè)定為〇，電流不通過的(發(fā)生導(dǎo)通不良)的情況設(shè)定為×。

[實施例1]

實施例1中，作為第二金屬層在核心粒子形成了厚度為15nm的Cu層，并且吸附了氧化鋁粒子。接著，作為第一金屬層形成了厚度為100nm的Ni層，由此得到了形成有高度為150nm的突起的導(dǎo)電粒子。使用該導(dǎo)電粒子制作了依據(jù)配合1的各向異性導(dǎo)電膜，并以壓接條件1制造了連接體樣品。

對于實施例1的連接體樣品而言，在導(dǎo)通性的評估中，初期導(dǎo)通性為◎，可靠性試驗之后也為〇。另外，絕緣性的評估和腐蝕性的評估也均為〇。

[實施例2]

對于實施例2的導(dǎo)電粒子而言，除了作為第一金屬層形成了厚度為100nm的Pd層以外，與實施例1相同。使用該導(dǎo)電粒子制作了依據(jù)配合1的各向異性導(dǎo)電膜，并以壓接條件1制造了連接體樣品。

實施例2的連接體樣品在導(dǎo)通性的評估中，初期導(dǎo)通性為◎，可靠性試驗之后也為〇。另外，絕緣性的評估和腐蝕性的評估也均為〇。

[實施例3]

對于實施例3的導(dǎo)電粒子而言，除了作為第二金屬層形成了厚度為2nm的Cu層以外，與實施例1相同。使用該導(dǎo)電粒子制作了依據(jù)配合1的各向異性導(dǎo)電膜，并以壓接條件1制造了連接體樣品。

實施例3的連接體樣品在導(dǎo)通性的評估中，初期導(dǎo)通性為〇，可靠性試驗之后也為△。另外，絕緣性的評估和腐蝕性的評估也均為〇。

[實施例4]

對于實施例4的導(dǎo)電粒子而言，除了作為第二金屬層形成了厚度為5nm的Cu層以外，與實施例1相同。使用該導(dǎo)電粒子制作了依據(jù)配合1的各向異性導(dǎo)電膜，并以壓接條件1制造了連接體樣品。

實施例4的連接體樣品在導(dǎo)通性的評估中，初期導(dǎo)通性為〇，可靠性試驗之后也均為〇。另外，絕緣性的評估和腐蝕性的評估也均為〇。

[實施例5]

對于實施例5的導(dǎo)電粒子而言，除了作為第二金屬層形成了厚度為100nm的Cu層以外，與實施例1相同。使用該導(dǎo)電粒子制作了依據(jù)配合1的各向異性導(dǎo)電膜，并以壓接條件1制造了連接體樣品。

實施例5的連接體樣品在導(dǎo)通性的評估中，初期導(dǎo)通性為◎，可靠性試驗之后也為〇。另外，絕緣性的評估和腐蝕性的評估也均為〇。

[實施例6]

對于實施例6的導(dǎo)電粒子而言，除了作為第二金屬層形成了厚度為120nm的Cu層以外，與實施例1相同。使用該導(dǎo)電粒子制作了依據(jù)配合1的各向異性導(dǎo)電膜，并以壓接條件1制造了連接體樣品。

實施例6的連接體樣品在導(dǎo)通性的評估中，初期導(dǎo)通性為〇，可靠性試驗之后也為△。另外，絕緣性的評估和腐蝕性的評估也均為〇。

[實施例7]

對于實施例7的導(dǎo)電粒子而言，除了作為第一金屬層形成了厚度為5nm的Ni層以外，與實施例1相同。使用該導(dǎo)電粒子制作了依據(jù)配合1的各向異性導(dǎo)電膜，并以壓接條件1制造了連接體樣品。

實施例7的連接體樣品在導(dǎo)通性的評估中，初期導(dǎo)通性為△，可靠性試驗之后也為△。另外，絕緣性的評估和腐蝕性的評估也均為〇。

[實施例8]

對于實施例8的導(dǎo)電粒子而言，除了作為第一金屬層形成了厚度為50nm的Ni層以外，與實施例1相同。使用該導(dǎo)電粒子制作了依據(jù)配合1的各向異性導(dǎo)電膜，并以壓接條件1制造了連接體樣品。

實施例8的連接體樣品在導(dǎo)通性的評估中，初期導(dǎo)通性為〇，可靠性試驗之后也為〇。另外，絕緣性的評估和腐蝕性的評估也均為〇。

[實施例9]

對于實施例9的導(dǎo)電粒子而言，除了作為第一金屬層形成了厚度為150nm的Ni層以外，與實施例1相同。使用該導(dǎo)電粒子制作了依據(jù)配合1的各向異性導(dǎo)電膜，并以壓接條件1制造了連接體樣品。

實施例9的連接體樣品在導(dǎo)通性的評估中，初期導(dǎo)通性為◎，可靠性試驗之后也為〇。另外，絕緣性的評估和腐蝕性的評估也均為〇。

[實施例10]

對于實施例10的導(dǎo)電粒子而言，除了作為第一金屬層形成了厚度為500nm的Ni層以外，與實施例1相同。使用該導(dǎo)電粒子制作了依據(jù)配合1的各向異性導(dǎo)電膜，并以壓接條件1制造了連接體樣品。

實施例10的連接體樣品在導(dǎo)通性的評估中，初期導(dǎo)通性為〇，可靠性試驗之后也為〇。另外，絕緣性的評估中為△，腐蝕性的評估中為〇。

[實施例11]

對于實施例11的導(dǎo)電粒子而言，除了作為微粒使用了二氧化硅粒子以外，與實施例1相同。使用該導(dǎo)電粒子制作了依據(jù)配合1的各向異性導(dǎo)電膜，并以壓接條件1制造了連接體樣品。

實施例11的連接體樣品在導(dǎo)通性的評估中，初期導(dǎo)通性為◎，可靠性試驗之后也為〇。另外，絕緣性的評估和腐蝕性的評估也均為〇。

[實施例12]

對于實施例12的導(dǎo)電粒子而言，除了作為微粒使用了氧化鈦粒子以外，與實施例1相同。使用該導(dǎo)電粒子制作了依據(jù)配合1的各向異性導(dǎo)電膜，并以壓接條件1制造了連接體樣品。

實施例12的連接體樣品在導(dǎo)通性的評估中，初期導(dǎo)通性為◎，可靠性試驗之后也為〇。另外，絕緣性的評估和腐蝕性的評估也均為〇。

[實施例13]

對于實施例13的導(dǎo)電粒子而言，除了作為微粒使用了氧化鋁粒子，且形成了高度為50nm的突起以外，與實施例1相同。使用該導(dǎo)電粒子制作了依據(jù)配合1的各向異性導(dǎo)電膜，并以壓接條件1制造了連接體樣品。

實施例13的連接體樣品在導(dǎo)通性的評估中，初期導(dǎo)通性為△，可靠性試驗之后也為△。另外，絕緣性的評估和腐蝕性的評估也均為〇。

[實施例14]

對于實施例14的導(dǎo)電粒子而言，除了作為微粒使用了氧化鋁粒子，且形成了高度為100nm的突起以外，與實施例1相同。使用該導(dǎo)電粒子制作了依據(jù)配合1的各向異性導(dǎo)電膜，并以壓接條件1制造了連接體樣品。

實施例14的連接體樣品在導(dǎo)通性的評估中，初期導(dǎo)通性為〇，可靠性試驗之后也為〇。另外，絕緣性的評估和腐蝕性的評估也均為〇。

[實施例15]

對于實施例15的導(dǎo)電粒子而言，除了作為微粒使用了氧化鋁粒子，且形成了高度為200nm的突起以外，與實施例1相同。使用該導(dǎo)電粒子制作了依據(jù)配合1的各向異性導(dǎo)電膜，并以壓接條件1制造了連接體樣品。

實施例15的連接體樣品在導(dǎo)通性的評估中，初期導(dǎo)通性為◎，可靠性試驗之后也為〇。另外，絕緣性的評估和腐蝕性的評估也均為〇。

[實施例16]

對于實施例16的導(dǎo)電粒子而言，除了作為微粒使用了氧化鋁粒子，且形成了高度為500nm的突起以外，與實施例1相同。使用該導(dǎo)電粒子制作了依據(jù)配合1的各向異性導(dǎo)電膜，并以壓接條件1制造了連接體樣品。

實施例16的連接體樣品在導(dǎo)通性的評估中，初期導(dǎo)通性為◎，可靠性試驗之后也為〇。另外，絕緣性的評估中為△，腐蝕性的評估中為〇。

[實施例17]

在實施例17中，作為第二金屬層在核心粒子形成了厚度為16nm的Cu層，并且吸附了鎳粒子。接著，作為第一金屬層形成了厚度為100nm的Ni層，由此得到了形成有高度為150nm的突起的導(dǎo)電粒子。使用該導(dǎo)電粒子制作了依據(jù)配合2的各向異性導(dǎo)電膜，并以壓接條件2制造了連接體樣品。

實施例17的連接體樣品在導(dǎo)通性的評估中，初期導(dǎo)通性為〇，可靠性試驗之后也為〇。另外，絕緣性的評估和腐蝕性的評估也均為〇。

[比較例1]

比較例1中，在核心粒子吸附了氧化鋁粒子之后，作為第一金屬層形成了厚度為115nm的Ni層，由此得到了形成有高度為150nm的突起的導(dǎo)電粒子。使用該導(dǎo)電粒子制作了依據(jù)配合1的各向異性導(dǎo)電膜，并以壓接條件1制造了連接體樣品。

實施例1的連接體樣品在導(dǎo)通性的評估中，初期導(dǎo)通性為〇，可靠性試驗之后為×。另外，絕緣性的評估和腐蝕性的評估也均為〇。

[比較例2]

比較例2中，作為第二金屬層在核心粒子形成了厚度為100nm的Pd層，接著吸附了氧化鋁粒子。據(jù)此，得到了形成有高度為150nm的突起的導(dǎo)電粒子。使用該導(dǎo)電粒子制作了依據(jù)配合1的各向異性導(dǎo)電膜，并以壓接條件1制造了連接體樣品。

比較例2的連接體樣品在導(dǎo)通性的評估中，初期導(dǎo)通性為△，可靠性試驗之后為×。另外，絕緣性的評估和腐蝕性的評估也均為〇。

[比較例3]

比較例3中，作為第二金屬層在核心粒子形成了厚度為100nm的Cu層，接著吸附了氧化鋁粒子。據(jù)此，得到了形成有高度為150nm的突起的導(dǎo)電粒子。使用該導(dǎo)電粒子制作了依據(jù)配合1的各向異性導(dǎo)電膜，并以壓接條件1制造了連接體樣品。

比較例3的連接體樣品在導(dǎo)通性的評估中，初期導(dǎo)通性為△，可靠性試驗之后為×。另外，絕緣性的評估和腐蝕性的評估也均為〇。

[表1]

如表1所示，在實施例1-17中，連接初期和可靠性試驗之后的導(dǎo)通性、絕緣性以及腐蝕性的評估均為良好。這是因為：各實施例的導(dǎo)電粒子具有在核心粒子設(shè)置第二金屬層，并且吸附了微粒，而且被第一金屬層覆蓋的結(jié)構(gòu)，由此突起通過熱壓接而戳破形成于評估用玻璃基板的電極上的氧化膜而確保了良好的導(dǎo)通性。

另一方面，在比較例1中，由于在核心粒子未設(shè)置第二金屬層，并且形成有高硬度的鎳層，因此，無法與伴隨粘合劑樹脂的壓縮或膨脹的核心粒子的變動隨動而產(chǎn)生裂紋，而且可靠性試驗之后的導(dǎo)通性變差。

另外，比較例2、3中的未設(shè)置第一金屬層的導(dǎo)電粒子，也沒有顯示出連接初期和可靠性試驗之后的導(dǎo)通性為良好的結(jié)果。

在實施例3中，由于作為第二金屬層的Cu層的厚度為較薄的2nm且韌性不足，因此無法全部吸收微粒的按壓而在可靠性試驗之后導(dǎo)通電阻稍微上升。另外，在實施例6中，由于作為第二金屬層的Cu層的厚度為較厚的120nm且韌性過大，因此導(dǎo)電粒子4整體的硬度降低，從而在可靠性試驗之后導(dǎo)通電阻稍微上升。另一方面，在實施例4(厚度為5nm的Cu層)或?qū)嵤├?(厚度為100nm的Cu層)中，連接初期和可靠性試驗之后的導(dǎo)通性良好。由此可以確認(rèn)：將第二金屬層的厚度形成為2nm～120nm是優(yōu)選的，厚度為5nm～100nm是更優(yōu)選的。

在實施例7中，由于作為第一金屬層的Ni層的厚度為較薄的5nm且導(dǎo)電粒子整體的硬度變小，因此，在導(dǎo)電粒子被按壓時或由核心粒子的伸縮等產(chǎn)生裂紋，在連接初期和可靠性試驗之后導(dǎo)通電阻稍微上升。另外，在實施例10中，作為第一金屬層的Ni層的厚度為較厚的500nm，因此，導(dǎo)電粒子的粒徑變大，當(dāng)使用了各向異性導(dǎo)電膜時，導(dǎo)電粒子彼此之間容易產(chǎn)生接觸、凝聚，并且在微間距化的電極之間發(fā)生了多處短路。另一方面，在實施例8(厚度為50nm的Ni層)或?qū)嵤├?(厚度為150nm的Ni層)中，初期和可靠性試驗之后的導(dǎo)通性、絕緣性均良好。由此可以確認(rèn)：將第一金屬層的厚度形成為5nm～500nm是優(yōu)選的，形成為50nm～150nm是更優(yōu)選的。

在實施例13中，由于使用了突起高度為50nm的導(dǎo)電粒子，因此嵌入至電極的深度不夠，連接初期和可靠性試驗之后的導(dǎo)通電阻稍微上升。另外，在實施例16中，由于使用了突起高度為500nm的導(dǎo)電粒子，因此導(dǎo)電粒子的粒徑變大，當(dāng)使用了各向異性導(dǎo)電膜時，相鄰的粒子彼此之間變得容易接觸，并且在微間距化的電極之間發(fā)生了多處短路。另一方面，在實施例14(突起高度為100nm)或?qū)嵤├?5(突起高度為200nm)中，初期和可靠性試驗之后的導(dǎo)通性、絕緣性均良好。由此可以確認(rèn)：突起高度形成為50nm～500nm是優(yōu)選的，形成為100nm～200nm是更有選的。

在實施例17中，作為微粒使用了鎳粒子。因此，使用了含有較少量的產(chǎn)酸劑的配合2的各向異性導(dǎo)電膜，并采用了以比較高溫進(jìn)行熱壓接的壓接條件2。因此，在實施例17中，微粒沒有氧化，并且初期和可靠性試驗之后的導(dǎo)通性均良好。另一方面，使用含有較多量的產(chǎn)酸劑的配合1的各向異性導(dǎo)電膜，并且用低溫固化的壓接條件1對實施例17的鎳粒子進(jìn)行熱壓接的情況下，促進(jìn)了鎳粒子的氧化，且可靠性試驗之后的導(dǎo)通性變差。

附圖標(biāo)記說明

1各向異性導(dǎo)電薄膜，2剝離薄膜，3粘合劑樹脂層，4導(dǎo)電粒子，10核心粒子，11第一金屬層，12第二金屬層，13微粒，14突起。