技術(shù)特征：
1.一種磁性隧道結(jié)MTJ裝置，包括：第二電極層上的第一導(dǎo)電硬掩模，所述第二電極層在MTJ層堆疊上并電耦合至所述MTJ層堆疊；所述第一導(dǎo)電硬掩模的側(cè)壁、所述第二電極層的側(cè)壁以及所述MTJ層堆疊的表面上的第一間隔體；以及與所述第一間隔體的側(cè)壁對準(zhǔn)的第二導(dǎo)電硬掩模，所述第二導(dǎo)電硬掩模在所述第一導(dǎo)電硬掩模和所述第一間隔體上，其中所述第二導(dǎo)電硬掩模被安排成與所述第一導(dǎo)電硬掩模和所述第二電極層交疊并且其中所述MTJ層堆疊的橫向尺寸與所述第二導(dǎo)電硬掩模的橫向尺寸對準(zhǔn)。2.如權(quán)利要求1所述的MTJ裝置，其特征在于，所述第二導(dǎo)電硬掩模電耦合至所述第一導(dǎo)電硬掩模。3.如權(quán)利要求1所述的MTJ裝置，其特征在于，所述第二導(dǎo)電硬掩模是由鉭、鉿和鉑構(gòu)成的組中的材料。4.如權(quán)利要求1所述的MTJ裝置，其特征在于，所述第一間隔體的厚度在10納米與50納米之間。5.如權(quán)利要求1所述的MTJ裝置，其特征在于，所述第一間隔體上的第一介電層是SiNx材料。6.如權(quán)利要求1所述的MTJ裝置，其特征在于，進一步包括電耦合至所述MTJ層堆疊的第一電極層。7.如權(quán)利要求6所述的MTJ裝置，其特征在于，進一步包括所述第一電極層和所述第二導(dǎo)電硬掩模上的第二間隔體。8.如權(quán)利要求7所述的MTJ裝置，其特征在于，進一步包括所述MTJ層堆疊的側(cè)壁上、所述第一間隔體的側(cè)壁上以及所述第二導(dǎo)電硬掩模的側(cè)壁上的所述第二間隔體。9.如權(quán)利要求7所述的MTJ裝置，其特征在于，進一步包括所述第二間隔體上的第二介電層。10.如權(quán)利要求9所述的MTJ裝置，其特征在于，進一步包括延伸通過所述第二間隔體和所述第二介電層并電耦合至所述第二導(dǎo)電硬掩模的導(dǎo)電互連。11.如權(quán)利要求1所述的MTJ裝置，其特征在于，所述MTJ裝置被集成到移動電話、機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航設(shè)備、計算機、手持式個人通信系統(tǒng)(PCS)單元、便攜式數(shù)據(jù)單元、和/或固定位置數(shù)據(jù)單元中。12.一種磁性隧道結(jié)MTJ裝備，包括：用于掩蓋耦合至MTJ層堆疊的第一電極層以及用于提供至所述第一電極層的導(dǎo)電路徑的第一裝置，所述第一裝置鄰接所述第一電極層；用于保護所述第一裝置的側(cè)壁的裝置，所述用于保護的裝置鄰接所述第一裝置的所述側(cè)壁、所述第一電極層的側(cè)壁、以及所述MTJ層堆疊的表面；以及用于掩蓋MTJ層堆疊以及用于電耦合至所述導(dǎo)電路徑的第二裝置，所述第二裝置與所述用于保護的裝置的側(cè)壁對準(zhǔn)并鄰接所述第一裝置的表面，其中所述第二裝置被安排成與所述第一裝置和所述第一電極層交疊并且其中所述MTJ層堆疊的橫向尺寸與所述第二裝置的橫向尺寸對準(zhǔn)。13.如權(quán)利要求12所述的MTJ裝備，其特征在于，所述MTJ裝備被集成到移動電話、機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航設(shè)備、計算機、手持式個人通信系統(tǒng)(PCS)單元、便攜式數(shù)據(jù)單元、和/或固定位置數(shù)據(jù)單元中。