技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種鰭式場效應(yīng)晶體管的形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面具有鰭部；在所述半導(dǎo)體襯底上形成覆蓋鰭部側(cè)壁的隔離層，所述隔離層的表面與所述鰭部的頂部表面齊平；刻蝕所述隔離層，使所述隔離層的表面低于所述鰭部的頂部表面，所述鰭部表面具有第一表面電荷；對所述鰭部進(jìn)行表面電荷處理，使所述鰭部表面具有第二表面電荷，所述第二表面電荷的電荷量小于第一表面電荷的電荷量。所述方法降低了鰭部表面的表面電荷量，從而降低了鰭式場效應(yīng)晶體管閾值電壓的差異性。

技術(shù)研發(fā)人員：張海洋;王彥
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.31
技術(shù)公布日：2017.07.07