本發(fā)明涉及oled顯示技術領域，特別是涉及一種oled像素排列方法。

背景技術：

oled(organiclight-emittingdiode，有機發(fā)光二極管)顯示技術具有自發(fā)光的特性，采用非常薄的有機材料涂層和玻璃基板，因其具有顯示屏幕可視角度大，并且能夠節(jié)省電能的優(yōu)勢，已廣泛應用于手機、數(shù)碼攝像機、dvd機、個人數(shù)字助理(pda)、筆記本電腦、汽車音響和電視等產品中。

近年來，人們對顯示屏分辨率的要求越來越高，而在oled顯示屏有限的顯示面積中實現(xiàn)高分辨率顯示，通常會遇到一些難以解決的工藝問題，尤其是蒸鍍工藝。為了克服上述問題，pentile像素排列方式得到了越來越廣泛的應用。在pentile像素排列方式中，r子像素和b子像素面積是g子像素的2倍，g子像素等間隔均勻排列，r子像素和b子像素均交錯排列，且每個r子像素和b子像素均被位于相鄰兩側的兩個g子像素復用。然而，在pentile像素排列方式中，由于g子像素密度較高，使得r子像素或b子像素的開口率較低，不能較好得平衡r子像素和b子像素的開口率和蒸鍍工藝偏差，因此很大程度上就會限制oled顯示屏分辨率的提高。

技術實現(xiàn)要素：

基于此，針對上述如何克服pentile像素排列方式限制oled顯示屏分辨率提高的問題，本發(fā)明提供一種oled像素排列方法，能夠提高oled顯示屏的分辨率。

一種oled像素排列方法，包括：

將pentile像素排列結構中若干由行方向上相鄰2個g子像素構成的g子像素對合并為位于所述g子像素對的中間位置的1個g子像素，其中每一行的各所述g子像素對之間相差相同數(shù)量的g子像素，且控制所述g子像素對的數(shù)量， 使得像素排布結構中g子像素的數(shù)量介于pentile像素排列結構中g子像素總數(shù)量的1/2至所述總數(shù)量之間；

調整其他子像素的位置，使得合并后的g子像素通過復用b子像素和r子像素而構成的像素的物理尺寸，與由合并前對應的所述g子像素對通過復用b子像素和r子像素構成的像素相同。

在其中一個實施例中，在將pentile像素排列結構中若干由行方向上相鄰2個g子像素構成的g子像素對合并為位于所述g子像素對的中間位置的1個g子像素的步驟中，還控制各所述g子像素對對應的位置，使得像素排布結構中各g子像素在列方向均不相鄰。

在其中一個實施例中，將pentile像素排列結構中若干由行方向上相鄰2個g子像素構成的g子像素對合并為位于所述g子像素對的中間位置的1個g子像素的步驟包括：

將pentile像素排列結構的所有g子像素劃分為若干由行方向上相鄰的4個g子像素構成的組，任一所述組中包括1對所述g子像素對，且所述g子像素對在各組中所處的位置，滿足在同行的各所述組中位于相同位置且在同列任意相鄰的兩個所述組中位于不同位置的條件；

將各所述組中的所述g子像素對合并為位于所述g子像素對中間位置的1個g子像素。

在其中一個實施例中，在將pentile像素排列結構的所有g子像素劃分為若干由行方向上相鄰的4個g子像素構成的組的步驟中，所述g子像素對在各組中所處的位置具體為：

在pentile像素排列結構同列且相鄰的兩行子像素陣列中，位于上方的各所述組中的子像素對均對應位于右側的兩個g子像素，位于下方的各所述組中的子像素對均對應位于左側的兩個g子像素；或者

在pentile像素排列結構中同列且相鄰的兩行子像素陣列中，位于上方的各所述組中的子像素對均對應位于左側的兩個g子像素，位于下方的各所述組中的子像素對均對應位于右側的兩個g子像素。

在其中一個實施例中，調整其他子像素的位置的步驟包括：

在所述合并后的g子像素與相鄰且沒有合并的g子像素之間設置1個b子像素；

在2個相鄰且沒有合并的g子像素之間設置1個r子像素。

在其中一個實施例中，所述b子像素的面積大于所述r子像素的面積，且所述r子像素的面積大于所述g子像素的面積。

在其中一個實施例中，調整其他子像素的位置的步驟還包括：將沒有合并的g子像素向與其相鄰且合并后的g子像素移動，且移動的距離應滿足所述b子像素和r子像素的開口率要求。

在其中一個實施例中，所述移動的距離小于所述像素邊長的1/8。

在其中一個實施例中，還包括：

將所有斜向相鄰且傾斜角度相同的兩個b子像素合并為1個以所述傾斜角度傾斜排布的b子像素；

將所有g子像素和r子像素以所述傾斜角度傾斜排布。

在其中一個實施例中，在以行方向為基準線的情況下，所述傾斜角度介于58度至65度之間。

上述oled像素排列方法具有的有益效果為：該oled像素排列方法將pentile像素排列結構中若干由行方向上相鄰2個g子像素構成的g子像素對合并為位于該g子像素對中間位置的1個g子像素，即由1個g子像素代替兩個g子像素，從而減小了g子像素的密度。同時在最終合并后形成的像素排列結構，g子像素的數(shù)量介于pentile像素排列結構中g子像素總數(shù)量的1/2至該總數(shù)量之間，且通過調整其他子像素的位置，使得合并后的g子像素通過復用b子像素和r子像素而構成的像素的物理尺寸，與由合并前對應的g子像素對通過復用b子像素和r子像素構成的像素相同，從而使得合并后形成的整個像素排布結構的顯示效果與原pentile像素排列結構相當。因此，該oled像素排列方法在確保合并后形成的像素排布結構顯示效果不變的情況下，減小了g子像素的密度，增大了相應g子像素之間的空間，因此能夠在相應空間內布置開口率較大的其他顏色的子像素，從而提高了oled顯示屏的分辨率。

附圖說明

圖1為pentile像素排列結構的局部示意圖。

圖2為第一實施例的oled像素排列方法的步驟流程圖。

圖3為圖2所示實施例的oled像素排列方法中步驟s110的具體實現(xiàn)流程圖。

圖4為圖2所示實施例的oled像素排列方法中步驟s120的具體實現(xiàn)流程圖。

圖5為圖2所示實施例的oled像素排列方法對應像素排布結構的局部示意圖。

圖6為第二實施例的oled像素排列方法中對步驟s120改進之后的具體實現(xiàn)流程圖。

圖7為圖6所示實施例的oled像素排列方法對應像素排布結構的局部示意圖。

圖8為圖6所示實施例的oled像素排列方法對應像素排布結構的整體示意圖。

圖9為第三實施例的oled像素排列方法的步驟流程圖。

圖10為圖9所示實施例的oled像素排列方法對應像素排布結構的整體示意圖。

具體實施方式

為了更清楚的解釋本發(fā)明提供的oled像素排列方法，以下結合實施例作具體的說明。以下各實施例提供的oled像素排列方法，均在傳統(tǒng)的pentile像素排列結構的基礎上進行了改進。

在第一實施例中，如圖2所示，oled像素排列方法包括：

s110、將pentile像素排列結構中若干由行方向上相鄰2個g子像素構成的g子像素對合并為位于該g子像素對的中間位置的1個g子像素。

需注意的是，在第一實施例中所有關于描述相鄰2個g子像素的內容，都是只針對整個像素排布結構中的g子像素來說的，即使兩個g子像素之間設有 一個或多個其他顏色的子像素例如r子像素或b子像素，在第一實施例中都認為這兩個g子像素相鄰。

由于在顯示過程中，對所有子像素都是按行掃描，因此在行方向上將相應的g子像素合并，并不會影響原有g子像素的顯示效果。同時，g子像素對的中間位置即為該g子像素對包括的2個g子像素之間的中間位置，從而使得合并后的g子像素能夠同時兼顧合并前的2個g子像素的顯示效果。將若干由兩個g子像素構成的g子像素對合并為1個g子像素后，能夠增加相應g子像素之間的距離，如此，即可在這一較大的空間內設置開口率較大的r子像素或b子像素。

在步驟s110中，合并g子像素的同時還應滿足：每一行的各g子像素對之間相差相同數(shù)量的g子像素，且控制g子像素對的數(shù)量，使得合并后形成的像素排布結構中g子像素的數(shù)量介于pentile像素排列結構中g子像素總數(shù)量的1/2至該總數(shù)量之間。

也就是說，在第一實施例最終形成的像素排布結構中，同時存在合并后的g子像素和沒有合并的g子像素，而且每一行中的各合并后的g子像素之間的間隔是相同的(即相差相同數(shù)量的g子像素)。同時為了保證各g子像素均能夠正常復用相鄰的r子像素和b子像素從而達到正常的顯示效果，第一實施例通過限制g子像素對的數(shù)量來控制最終形成的像素排布結構中g子像素的總數(shù)量(包括合并后的g子像素和沒有合并的g子像素)，介于pentile像素排列結構中g子像素總數(shù)量的1/2至pentile像素排列結構中g子像素的總數(shù)量之間。其中，限制g子像素對的數(shù)量相當于限制合并后g子像素減少的數(shù)量，即合并后最多只能將g子像素的數(shù)量減少一半。

具體的，由于在傳統(tǒng)的pentile像素排列結構中，g子像素在列方向均相鄰，且在列方向上的各g子像素之間不設置在步驟s110中，還控制各g子像素對對應的位置，使得合并后最終形成的像素排布結構中各合并后的g子像素在列方向不相鄰。其中控制各g子像素對對應的位置，相當于在pentile像素排列結構中合理選擇待合并的若干相鄰兩個g子像素，即在不同行交錯合并g子像素，從而使得最終形成的像素排布結構中的所有合并后的g子像素在列方向均不相 鄰，以便于提高蒸鍍工藝的良率。

可以理解的是，各g子像素對對應的位置不限于上述一種情況，若蒸鍍工藝的良率在各g子像素在列方向相鄰的情況下仍然能夠滿足要求，則無需控制各g子像素對對應的位置，使得合并后最終形成的像素排布結構中各g子像素在列方向和行方向均不相鄰。

具體的，在第一實施例中，如圖3所示，步驟s110具體包括以下步驟。

s111、將pentile像素排列結構的所有g子像素劃分為若干由行方向上相鄰的4個g子像素構成的組，任一組中包括1對上述g子像素對，且g子像素對在各組中所處的位置，滿足在同行的各組中位于相同位置且在同列任意相鄰的兩個組中位于不同位置的條件。

也就是說，第一實施例中以行方向上每相鄰4個g子像素為1組劃分為若干組，且每組均包括1對待合并的g子像素對和2個無需合并的g子像素，從而實現(xiàn)用3個g子像素來代替4個g子像素。

另外，在g子像素對在各組中所處的位置方面，假設將每個組中的4個g子像素按從左向右的順序依次標號(例如1、2、3、4)，那么g子像素對在同行的各組中位于相同位置且在同列且任意相鄰的兩個組中均位于不同位置，即相當于待合并的兩個g子像素在同行的各組中對應的序號均相同，而在同列且任意相鄰的兩個組中對應的序號均不同。由于各組中還存在不合并的g子像素，因此在同行的各組中，若待合并的g子像素在各組中所處的位置相同，那么各組合并后的g子像素之間一定存在沒有合并的所處的位置滿足上述條件時，即可保證合并后最終形成的像素排布結構中各g子像素在列方向和行方向均不相鄰。

具體的，在步驟s111中，為了使g子像素對在各組中所處的位置，滿足在同行的各組中位于相同位置且在同列任意相鄰的兩個組中位于不同位置的條件，第一實施例通過以下措施來設置g子像素對在各組中所處的位置。

在pentile像素排列結構同列且相鄰的兩行子像素陣列中，位于上方的各組中的子像素對均對應位于右側的兩個g子像素，位于下方的各組中的子像素對均對應位于左側的兩個g子像素。

以如圖1來說明，在傳統(tǒng)的pentile像素排列結構中選取位于同列且分別位于上方一行、下方一行中的上下兩個組。在位于上方的組中將位于右側的兩個g子像素(即g子像素111和g子像素112)作為g子像素對110，其中g子像素111和g子像素112相當于序號分別為3、4的g子像素。而在位于下方的該組中將位于左側的兩個g子像素(即g子像素121和g子像素122)作為該組的g子像素對120，其中g子像素121和g子像素122相當于序號分別為1、2的g子像素。那么在整個像素排布結構中位于上方整行的其他組中同樣將位于右側的2個g子像素作為g子像素對，而位于下方整行的其他組中同樣將位于左側的2個g子像素作為g子像素對。

或者g子像素對在各組中所處的位置可以為另一種方式：在pentile像素排列結構同列且相鄰的兩行子像素陣列中，位于上方的各組中的子像素對均對應位于左側的兩個g子像素，位于下方的各組中的子像素對均對應位于右側的兩個g子像素。

可以理解的是，g子像素對在各組中所處的位置并不限于上述情況，只要能夠使得g子像素對在各組中所處的位置，滿足在同行的各組中位于相同位置且在同列任意相鄰的兩個組中位于不同位置的條件即可。例如，可以將上方一整行的各組中序號為2、3的兩個g子像素作為g子像素對，而將下方一整行的各組中序號為3、4的兩個g子像素作為g子像素對。

s112、將各組中的g子像素對合并為位于g子像素對中間位置的1個g子像素。

如圖5所示，對應于圖1的像素排布結構，將由g子像素111和g子像素112構成的g子像素對110合并為g子像素131，且將g子像素131置于g子像素111和g子像素112之間的中間位置。同時將由g子像素121和g子像素122構成的g子像素對120合并為g子像素141，且將g子像素141置于g子像素121和g子像素122之間的中間位置。

如此一來，g子像素131與同行相鄰的g子像素161之間的距離、g子像素141與同行相鄰的g子像素191之間的距離均增大為傳統(tǒng)距離的1.5倍，而該傳統(tǒng)的距離即為pentile像素排列結構中相鄰兩個g子像素之間的距離，例如 g子像素181和g子像素161之間的距離。因此，第一實施例通過合并g子像素，減小了g子像素的密度，并能夠在合并后的g子像素和相鄰的沒有合并后的g子像素之間布置一個開口率較大的其他顏色子像素。

另外，在本實施例中，用3個g子像素來代替4個g子像素，與傳統(tǒng)的pentile像素排列結構相比，相當于僅減少了1/4的g子像素的數(shù)量，能夠均衡減少g子像素的數(shù)量和保證像素排布結構的整體顯示效果這兩方面的要求。

可以理解的是，步驟s110并不限于上述一種情況，只要能夠實現(xiàn)減小g子像素的密度并控制g子像素的數(shù)量使得合并后的像素排布結構中g子像素的數(shù)量介于pentile像素排列結構中g子像素總數(shù)量的1/2至該總數(shù)量之間即可。例如，若在某些具體的應用場合中，更重視像素排布結構的整體顯示效果，那么即可用4個g子像素代替5個g子像素，以保證減小的g子像素的數(shù)量較少；或者若在某些具體的應用場合中更重視減少g子像素的數(shù)量這一方面，那么即可用2個g子像素代替3個g子像素，來增加g子像素減少的數(shù)量。

s120、調整其他子像素的位置，使得合并后的g子像素通過復用b子像素和r子像素而構成的像素的物理尺寸，與由合并前對應的上述g子像素對通過復用b子像素和r子像素構成的像素相同。

因此第一實施例中，雖然減少了g子像素的數(shù)量，但在最終形成的像素排布結構中，由子像素通過相互之間的復用而構成的各像素的物理尺寸仍然保持不變，而變化的只是增加了相應子像素之間的距離(即合并后的g子像素與相鄰且沒有合并的g子像素之間的距離)，以增加位于該空間內的相應子像素的開口率，從而在保持傳統(tǒng)pentile像素排列結構的顯示效果的基礎上，能夠較好得平衡r子像素、b子像素的開口率和蒸鍍工藝偏差。

具體的，如圖4所示，步驟s120包括以下步驟。

s121、在合并后的g子像素與相鄰且沒有合并的g子像素之間設置1個b子像素。

如圖5所示，在第一實施例中，合并后的g子像素與相鄰且沒有合并的g子像素之間的距離較原有距離增大了1.5倍，因此能夠設置一個開口率較大的子像素。例如在g子像素131和g子像素161之間設置b子像素151，而在g子 像素141和g子像素191之間設置另一個b子像素。

s122、在2個相鄰且沒有合并的g子像素之間設置1個r子像素。

如圖5所示，g子像素181和g子像素161為相鄰且沒有合并的兩個g子像素，那么在這兩個像素之間即設置一個r子像素171。

因此，在最終形成的像素排布結構中，所有g子像素即能通過復用相鄰的b子像素和r子像素而構成與合并前物理尺寸相當?shù)母飨袼亍Ｔ趫D5中，g子像素181、g子像素161及g子像素141能復用同一個r子像素171，同時g子像素161、g子像素141及g子像素191能復用2個b子像素或1個b子像素，即在第一實施例中每3個g子像素復用1個r子像素和2個b子像素(或1個b子像素)。

具體的，b子像素的面積大于r子像素的面積，且r子像素的面積大于g子像素的面積。

由于與g子像素和r子像素相比，b子像素限于目前工藝的條件，具有發(fā)光率較低的特點，因此b子像素的開口率在較大程度上影響整個像素排布結構的蒸鍍工藝偏差。故第一實施例在較大的空間內(即合并后的g子像素與相鄰且沒有合并的g子像素之間)設置1個b子像素，從而使得該b子像素能夠具有較大的開口率。同時在2個相鄰且沒有合并的g子像素之間(與傳統(tǒng)pentile像素排列結構相同)設置1個面積較小的r子像素，從而在使得r子像素開口率不變的情況下，通過提高b子像素的開口率來克服b子像素發(fā)光率低的缺陷，因此從綜合方面來講，第一實施例能夠有效減小整個像素排布結構的蒸鍍工藝偏差。

可以理解的是，步驟s120不限于上述一種情況，只要使得合并后的g子像素通過復用b子像素和r子像素而構成的像素的物理尺寸，與由合并前對應的上述g子像素對通過復用b子像素和r子像素構成的像素相同即可。例如若b子像素突破目前的工藝限制而提高了發(fā)光率，那么將b子像素和r子像素的位置互換仍能夠保證有效減小整個像素排布結構的蒸鍍工藝偏差。

綜上所述，第一實施例提供的oled像素排列方法，在確保合并后形成的像素排布結構顯示效果不變的情況下，減小了g子像素的密度，并增大了相應 g子像素之間的空間，能夠在相應空間內布置開口率較大的的其他顏色的子像素，從而提高了oled顯示屏的分辨率。

第二實施例是對第一實施例中步驟120作出的進一步改進，且其他部分與第一實施例一致。

如圖6所示，在第二實施例中，對應第一實施例中步驟120的內容具體包括以下各步驟。

s221、將沒有合并的g子像素向與其相鄰且合并后的g子像素移動，且移動的距離應滿足b子像素和r子像素的開口率要求。其中，由于b子像素的發(fā)光率較低而需要較大開口率，因此在將沒有合并的g子像素移動后，仍要保證合并后的g子像素與相鄰且沒有合并的g子像素之間的距離，大于2個相鄰且沒有合并的g子像素之間的距離，從而使得在滿足b子像素開口率要求的前提下適當加大r子像素的開口率。

因此，第二實施例在結合了第一實施例中合并g子像素的基礎上，又進一步優(yōu)化了相應g子像素的位置。如圖7所示，g子像素281和g子像素261均為沒有合并的g子像素，那么在第二實施例中分別將g子像素281向左移動一定距離，而將g子像素261向右移動一定距離，從而適當增加g子像素281和g子像素261之間的距離，進而適當提高位于g子像素281和g子像素261之間的子像素的開口率。

具體的，上述移動的距離小于像素邊長的1/8。因此，在第二實施例中，將沒有合并的g子像素相應移動后，仍能保持合并后的g子像素與相鄰且沒有合并的g子像素之間的距離大于2個相鄰且沒有合并的g子像素之間的距離。

s222、在合并后的g子像素與相鄰且沒有合并的g子像素之間設置1個b子像素。

如圖7所示，由于在第二實施例中，合并后的g子像素與相鄰且沒有合并的g子像素之間的距離仍然比2個相鄰且沒有合并的g子像素之間的距離大，因此在合并后的g子像素與相鄰且沒有合并的g子像素之間仍然適于布置b子像素。其中，在g子像素231和g子像素261之間設置b子像素251，而在g子像素241和g子像素291之間設置另一個b子像素。

s223、在2個相鄰且沒有合并的g子像素之間設置1個r子像素。

如圖7所示，由于2個相鄰且沒有合并的g子像素均進行了一定移動，即這兩個g子像素之間的距離同樣比傳統(tǒng)pentile像素排列結構的兩個g子像素之間的距離大，但仍然小于上述合并后的g子像素與相鄰且沒有合并的g子像素之間，因此在2個相鄰且沒有合并的g子像素之間適于設置1個r子像素。具體的，在g子像素281和g子像素261之間設置1個r子像素271。

同時，在第二實施例最終形成的像素排布結構中，所有g子像素同樣能通過復用相鄰的b子像素和r子像素而構成與合并前物理尺寸相當?shù)母飨袼?。例如在圖7中，g子像素281、g子像素261及g子像素241能復用同一個r子像素271，而g子像素261、g子像素241及g子像素291又能復用2個b子像素或1個b子像素，即在第二實施例中每3個g子像素仍能復用1個r子像素和2個b子像素(或1個b子像素)。

最后，要形成第二實施例提供的整個像素排布結構時，即可以圖7所示為基本單元，依次重復排列即可，圖8即為第二實施例提供的oled像素排列方法對應像素排布結構的整體示意圖。

綜上所述，第二實施例在第一實施例的基礎上，通過移動沒有合并的g子像素的位置，在保證b子像素仍然滿足開口率要求的前提下，還能夠提高r子像素的開口率。隨著oled顯示屏的分辨率的逐漸提高，由于蒸鍍偏差的限制，可能出現(xiàn)即使增大b子像素的開口率，但由于r子像素的開口率仍然保持傳統(tǒng)方式而依然較小的原因明顯限制oled顯示屏的分辨率提高的情況。因此，在上述情況下，若利用第二實施例提供的oled像素排列方法，即可在保證b子像素開口率依然滿足要求的基礎上，增大r子像素的開口率，從而達到較好均衡各子像素的開口率和蒸鍍偏差的目的，進一步提高空間的合理利用。

第三實施例是在第一實施例或第二實施例的基礎上作出的進一步改進，如圖9所示。其中，步驟s310與第一實施例的步驟s110相同，步驟s320與第一實施例的步驟s120或第二實施例描述的改進的s120的相關內容相同，第三實施例的不同之處在于增加了步驟s330和s340。

s330、將所有斜向相鄰且傾斜角度相同的兩個b子像素合并為1個以該傾 斜方向傾斜排布的b子像素。

其中，斜向相鄰的兩個b子像素是分別位于相鄰兩行且距離最近的兩個b子像素，相當于是將兩行b子像素交替合并。傾斜角度是指這兩個b子像素構成的連線與行方向之間的角度。以圖10為例，斜向相鄰的兩個b子像素均是位于相應像素對應位置的左下角和右上角，同時傾斜角度相當于左下角和右上角組成的連線與行方向之間的夾角，那么合并后形成的各b子像素與行方向之間的夾角同樣對應上述傾斜角度，且所有合并后的b子像素傾斜角度均相同。

另外，為了保證各g子像素能夠正常復用相鄰的b子像素，合并后的b子像素的面積和所處的位置應保證能夠使得相鄰的g子像素復用。例如在圖10中，任一合并后的b子像素均位于環(huán)繞其周圍的3個g子像素之間，且b子像素的長邊方向加長，其中上述3個g子像素分別位于三角形的3個頂點處。

具體的，在以行方向為基準線的情況下，上述傾斜角度介于58度至65度之間。

可以理解的是，b子像素的合并和傾斜情況并不限于上述情況，同樣以圖10為例，也可以將分別位于相應像素的左上角和右下角的兩個b子像素合并為向左側傾斜的一個b子像素，只要保證合并后的所有b子像素均向相同的方向傾斜，且具有相同的傾斜角度即可。

s340、將所有g子像素和r子像素以上述傾斜角度傾斜排布，進而保證最終由所有的子像素通過自身的排布和相互之間的復用關系構成的各像素仍能均勻分布。

綜上所述，第三實施例在第一實施例或第二實施例的基礎上，將相鄰兩行的b子像素交替合并后，能夠用精密金屬掩膜板的一個開孔對合并后形成的b子像素進行蒸鍍，且該開孔的面積較大，從而降低了蒸鍍工藝的難度。同時，將各子像素以傾斜的方式進行排布，增大了r子像素長邊方向的空間(長邊方向與傾斜角度方向平行)長度，有利于進一步增大r子像素的開口率，能夠更好的平衡各子像素的開口率和蒸鍍工藝偏差，從而進一步提高像素oled顯示屏的分辨率。

以上所述實施例的各技術特征可以進行任意的組合，為使描述簡潔，未對 上述實施例中的各個技術特征所有可能的組合都進行描述，然而，只要這些技術特征的組合不存在矛盾，都應當認為是本說明書記載的范圍。

以上實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體，但并不能因此而理解為對發(fā)明專利范圍的限制。應指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。