技術(shù)總結(jié)
對(duì)拉伸性應(yīng)變的硅層進(jìn)行圖案化以形成在第一襯底區(qū)域中的第一組鰭以及在第二襯底區(qū)域中的第二組鰭。該第二組鰭覆蓋有拉伸性應(yīng)變的材料，并且執(zhí)行退火以使在該第二組鰭中的拉伸性應(yīng)變的硅半導(dǎo)體材料弛豫并在該第二區(qū)域中產(chǎn)生多個(gè)弛豫的硅半導(dǎo)體鰭。該第一組鰭覆蓋有掩模，并且在這些弛豫的硅半導(dǎo)體鰭上提供硅鍺材料。然后，將來(lái)自該硅鍺材料的鍺驅(qū)入這些弛豫的硅半導(dǎo)體鰭中以在該第二襯底區(qū)域中產(chǎn)生多個(gè)壓縮性應(yīng)變的硅鍺半導(dǎo)體鰭(從中形成多個(gè)p溝道鰭式FET器件)。去除該掩模以顯露出在該第一襯底區(qū)域中的多個(gè)拉伸性應(yīng)變的硅半導(dǎo)體鰭(從中形成多個(gè)n溝道鰭式FET器件)。

技術(shù)研發(fā)人員：柳青;P·莫林
受保護(hù)的技術(shù)使用者：意法半導(dǎo)體公司
文檔號(hào)碼：201511021307
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.30
技術(shù)公布日：2016.11.16