技術(shù)特征：

1.一種多晶硅片擴(kuò)散后小黑點(diǎn)去除的方法，其包括如下步驟：

S1.將擴(kuò)散后小黑點(diǎn)硅片進(jìn)行噴蠟掩膜處理；

S2.用HNO₃與HF混合液去除所述硅片非掩膜區(qū)域小黑點(diǎn)；

S3.用KOH與BDG混合液去除所述硅片石蠟掩膜殘留物；

S4.用去離子水清洗所述硅片并烘干。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅片擴(kuò)散后小黑點(diǎn)去除的方法，其特征在于：所述的S1根據(jù)印刷圖形需要，可掩膜成不同圖形，具體方法為，打印與絲網(wǎng)柵線圖案一樣的有機(jī)材料掩膜作為腐蝕阻擋層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅片擴(kuò)散后小黑點(diǎn)去除的方法，其特征在于：所述的S2 HNO₃與HF的混合液配置比例為HF：HNO₃：DI-water=1:9:16，混合液具體制備方法為：先向槽體中加入140L去離子水，然后加入9L濃度為49%的HF， 再加入80L濃度為69%的HNO₃，反應(yīng)時(shí)間為60s～70s，反應(yīng)溫度為15±2℃，腐蝕深度控制在15nm～30nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅片擴(kuò)散后小黑點(diǎn)去除的方法，其特征在于：所述的S3 KOH與BDG混合液配置比例KOH：BDG：DI-water=1:4:60，混合液具體制備方法為：先向槽體中加入120L去離子水，然后加入2L濃度為48%的KOH，再加入8L濃度為99.7%的BDG，反應(yīng)時(shí)間為80s～90s，反應(yīng)溫度為25±5℃。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅片擴(kuò)散后小黑點(diǎn)去除的方法，其特征在于：所述的S4去離子水清洗所述硅片后，進(jìn)行烘干，烘干溫度30℃～50℃，烘干時(shí)間5s～10s。