1.一種發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)，其特征在于，其包含：
一發(fā)光二極管單元，其摻入復(fù)數(shù)個(gè)熒光粉于該發(fā)光二極管單元的一發(fā)光層一側(cè)的至少任一層中。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該發(fā)光二極管單元，其由下至上包含一第一基板、一N型半導(dǎo)體層、該發(fā)光層及一P型半導(dǎo)體層，其中該任一層為該基板、該N型半導(dǎo)體層或該P(yáng)型半導(dǎo)體層。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該發(fā)光二極管芯片，倒裝設(shè)置電性連接于一第二基板之上。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該任一層為該第二基板。
5.如權(quán)利要求1項(xiàng)所述的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該至少任一層為兩層以上時(shí)，所摻雜該些熒光粉的比例不相同。
6.一種發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)，其特征在于，其包含：
一發(fā)光二極管單元，其排列復(fù)數(shù)個(gè)熒光粉顆粒于該發(fā)光二極管單元的至少一出光面。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該發(fā)光二極管單元的該至少一出光面為一N型半導(dǎo)體與一P型半導(dǎo)體的表面、一透明基板的表面或該N型半導(dǎo)體、該P(yáng)型半導(dǎo)體與該透明基板的表面。
8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該些個(gè)熒光粉排列于該N型半導(dǎo)體、該P(yáng)型半導(dǎo)體與該透明基板的表面，位于該發(fā)光二極管單元的出光量較大的表面的該些個(gè)熒光粉數(shù)量大于位于該發(fā)光二極管單元的出光量較小的表面的該些個(gè)熒光粉數(shù)量。
9.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該些個(gè)熒光粉排列于該發(fā)光二極管單元的該至少一出光面的方式為蒸鍍、濺鍍或離子布值。
10.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該至少一出光面為兩面以上時(shí)，所排列該些熒光粉顆粒的比例不相同。