1.一種形成半導(dǎo)體裝置的方法，包括：
(a)在一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體晶片上形成多個(gè)半導(dǎo)體裸芯；
(b)至少部分地通過隱形激光技術(shù)從該一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體晶片切片該多個(gè)半導(dǎo)體裸芯，該隱形激光技術(shù)在該一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體晶片的中間深度形成孔，該晶片被切片而使得該多個(gè)半導(dǎo)體裸芯的切片邊緣具有電接觸；
(c)使用堆疊中的相對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體裸芯之間的裸芯貼附膜來將該多個(gè)半導(dǎo)體裸芯上下堆疊以形成塊，該多個(gè)半導(dǎo)體裸芯的邊緣對(duì)準(zhǔn)于該塊的公共邊緣；
(d)對(duì)該塊的表面施加壓力以移除氣泡；以及
(e)在該塊的公共邊緣上形成導(dǎo)電圖案以使該塊中的該多個(gè)半導(dǎo)體裸芯彼此電性耦合，及與外部電連接器電性耦合。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，切片該裸芯使得該多個(gè)半導(dǎo)體裸芯的切片邊緣具有電接觸的所述步驟(b)包括在該多個(gè)半導(dǎo)體裸芯上形成裸芯鍵合墊于該多個(gè)半導(dǎo)體裸芯的切片邊緣處。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，切片該裸芯使得該多個(gè)半導(dǎo)體裸芯的切片邊緣具有電接觸的所述步驟(b)包括在該多個(gè)半導(dǎo)體裸芯的裸芯鍵合墊上形成電引線，并彎曲該電引線以延伸至該多個(gè)半導(dǎo)體裸芯的切片邊緣。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，切片該裸芯使得該多個(gè)半導(dǎo)體裸芯的切片邊緣具有電接觸的所述步驟(b)包括在該多個(gè)半導(dǎo)體裸芯的切片邊緣處形成再分配墊，并電連接該再分配墊至該多個(gè)半導(dǎo)體裸芯上的鍵合墊。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括將該一個(gè)或多個(gè)晶片中的一晶片安裝在帶上，并拉伸該帶的步驟。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，拉伸該帶使得通過該隱形激光技術(shù)形成的孔向該晶片的第一和第二主表面?zhèn)鞑?，以完成從該晶片切片該半?dǎo)體裸芯。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括背部研磨該一個(gè)或多個(gè)晶片中的一晶片的第二主表面以薄化該晶片的步驟。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，背部研磨該晶片使得通過該隱形激光技術(shù)形成的孔向該晶片的第一和第二主表面?zhèn)鞑ヒ酝瓿蓮脑摼衅摪雽?dǎo)體裸芯。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，該導(dǎo)電圖案包括第一導(dǎo)電圖案，該方法還包括在該塊與公共邊緣不同的至少第二表面上形成至少第二導(dǎo)電圖案的步驟。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，該多個(gè)電接觸包括多個(gè)第一電接觸，而該多個(gè)半導(dǎo)體裸芯的切片邊緣包括該多個(gè)半導(dǎo)體裸芯的第一切片邊緣，該方法還包括形成該多個(gè)半導(dǎo)體裸芯，使得至少多個(gè)第二電接觸延伸至該多個(gè)半導(dǎo)體裸芯的至少第二切片邊緣，該至少第二切片邊緣沿該塊中的第二公共邊緣彼此相互對(duì)準(zhǔn)。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，該導(dǎo)電圖案包括第一導(dǎo)電圖案，該方法還包括在該塊的至少第二公共邊緣上形成至少第二導(dǎo)電圖案的步驟。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在該塊的表面上固定多個(gè)焊料球以作為外部電連接器的步驟。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在該塊的表面上形成多個(gè)接觸指以作為外部電連接器的步驟。
14.一種形成半導(dǎo)體裝置的方法，包括：
(a)在一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體晶片上形成多個(gè)半導(dǎo)體裸芯，包括在該多個(gè)半導(dǎo)體裸芯中形成多個(gè)裸芯鍵合墊；
(b)至少部分地通過隱形激光技術(shù)從該一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體晶片切片該多個(gè)半導(dǎo)體裸芯，該隱形激光技術(shù)在該一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體晶片的中間深度形成孔，所述切片步驟包括切割該多個(gè)半導(dǎo)體裸芯中的多個(gè)接觸墊以使得該多個(gè)接觸墊暴露于該多個(gè)半導(dǎo)體裸芯的邊緣處的步驟；
(c)使用堆疊中的多個(gè)第一半導(dǎo)體裸芯中的相對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體裸芯之間的裸芯貼附膜來將多個(gè)第一半導(dǎo)體裸芯在第一方向上下堆疊以形成一維塊，該多個(gè)第一半導(dǎo)體裸芯的邊緣對(duì)準(zhǔn)于該一維塊的公共邊緣；
(d)在該公共邊緣上形成導(dǎo)電圖案，其連接至該公共邊緣處的該多個(gè)第一半導(dǎo)體裸芯的邊緣處的多個(gè)接觸墊；以及
(e)分離該一維塊為多個(gè)更小的半導(dǎo)體塊。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，還包括在該一維塊的表面上施加壓力以移除氣泡的步驟。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，還包括使用多個(gè)第二半導(dǎo)體裸芯中的相對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體裸芯的裸芯貼附膜來沿正交于該第一方向的第二方向?qū)⒃摱? 個(gè)第二半導(dǎo)體裸芯彼此并排設(shè)置以形成二維塊的步驟，該多個(gè)半導(dǎo)體裸芯的邊緣對(duì)準(zhǔn)于該公共邊緣。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，還包括在該二維塊的表面施加壓力以移除氣泡的步驟。
18.如權(quán)利要求14所述的方法，所述步驟(d)包括以正交于該第一方向的第二方向安裝該多個(gè)一維塊，并以正交于該第一和第二方向的第三方向安裝該多個(gè)一維塊以使得該多維塊包括三維塊。
19.如權(quán)利要求14所述的方法，還包括將該一個(gè)或多個(gè)晶片中的一晶片安裝在帶上，并拉伸該帶的步驟，拉伸該帶使得通過該隱形激光技術(shù)形成的孔向該晶片的第一和第二主表面?zhèn)鞑ヒ酝瓿蓮脑摼衅摪雽?dǎo)體裸芯。
20.如權(quán)利要求14所述的方法，還包括背部研磨該一個(gè)或多個(gè)晶片中的一晶片的第二主表面以薄化該晶片的步驟，背部研磨該晶片使得通過該隱形激光技術(shù)形成的孔向該晶片的第一和第二主表面?zhèn)鞑ヒ酝瓿蓮脑摼衅摪雽?dǎo)體裸芯。
21.如權(quán)利要求14所述的方法，該公共邊上的導(dǎo)電圖案包括至少第一導(dǎo)電圖案，該方法還包括在該多維塊的與該公共邊緣不同的至少第二表面上形成至少第二導(dǎo)電圖案的步驟。
22.如權(quán)利要求14所述的方法，還包括在該塊的表面上固定多個(gè)焊料球以作為外部電連接器的步驟。
23.如權(quán)利要求14所述的方法，還包括在該塊的表面上形成多個(gè)接觸指以作為外部電連接器的步驟。
24.一種形成半導(dǎo)體裝置的方法，包括：
(a)在一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體晶片上形成多個(gè)半導(dǎo)體裸芯，包括在該多個(gè)半導(dǎo)體裸芯上形成多個(gè)電接觸；
(b)至少部分地通過隱形激光技術(shù)從該一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體晶片切片該多個(gè)半導(dǎo)體裸芯，該隱形激光在該一個(gè)或多個(gè)晶片的中間深度形成孔，對(duì)該多個(gè)半導(dǎo)體裸芯的切片使得該多個(gè)電接觸暴露于該多個(gè)半導(dǎo)體裸芯的邊緣；
(c)沿第一方向上疊置且正交于該第一方向的第二方向并排設(shè)置該多個(gè)半導(dǎo)體裸芯以形成二維塊，該二維塊中的多個(gè)半導(dǎo)體裸芯的邊緣對(duì)準(zhǔn)于該二維塊的公共邊緣；
(d)施加等靜壓于該二維塊的表面以移除氣泡；
(e)在該二維塊的公共邊緣上形成導(dǎo)電圖案以使該二維塊中的多個(gè)半導(dǎo)體裸芯中的至少一些電接觸彼此電性耦合；以及
(f)分離該二維模塊為更小的單元，每個(gè)單元包括兩個(gè)或更多的半導(dǎo)體裸芯。
25.如權(quán)利要求24所述的方法，所述步驟(c)包括使用該第一方向和該第二方向中的相對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體裸芯之間的裸芯貼附膜。
26.如權(quán)利要求24所述的方法，所述步驟(f)包括將該二維塊浸沒在等靜壓中。
27.如權(quán)利要求24所述的方法，該公共邊緣上的導(dǎo)電圖案包括至少第一導(dǎo)電圖案，該方法還包括在該多維塊與公共邊緣不同的至少第二表面上形成至少第二導(dǎo)電圖案的步驟。
28.如權(quán)利要求24所述的方法，還包括在該塊的表面上粘附多個(gè)焊料球以作為外部電連接器的步驟。
29.如權(quán)利要求24所述的方法，還包括在該塊的表面上形成多個(gè)接觸指以作為外部電連接器的步驟。